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公开(公告)号：CN104136994B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201280070393.2
申请日：2012-12-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/5226 , G03F7/0035 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0332 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76816 , H01L2924/0002 , Y10T428/24355 , H01L2924/00
Abstract: 使用线图案对互连级电介质层之上的第一金属硬掩模层图案化。至少一个电介质材料层、第二金属硬掩模层、第一有机平面化层(OPL)以及第一光刻胶被施加在第一金属硬掩模层之上。第一通路图案被从所述第一光刻胶层转移到所述第二金属硬掩模层。第二OPL和第二光刻胶层被施加并使用第二通路图案进行图案化，该第二通路图案被转移到所述第二金属硬掩模层内。第一和第二通路图案的第一合成图案被转移到所述至少一个电介质材料层内。使用第一金属硬掩模层中的开口区域限制第一合成图案的第二合成图案被转移到互连级电介质材料层内。
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公开(公告)号：CN102770807B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080064595.7
申请日：2010-10-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/00
CPC classification number: H01L21/0276 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 该抗反射硬掩模组合物层包含聚合物，该聚合物在主链之中具有Si-O以及非硅无机组成部分。该聚合物包含至少发色团组成部分和透明组成部分以及交联组分。抗反射硬掩模组合物层用于在衬底之上形成图案化材料的方法。
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公开(公告)号：CN102005382A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010269392.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/31 , G03F7/26 , H01L27/00
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/0035 , H01L21/0271 , H01L21/0338
Abstract: 本发明涉及两次曝光一条线路间距分离方法。一种集成电路被形成为具有这样的结构，该结构紧密邻近且彼此间的间隔比该结构的横向尺寸更小，例如用于制造到以通过暗场分离间距技术实现的最小光刻可分辨尺寸形成的电子元件的接触。通过使用酸敏硬掩模材料和经由抗蚀剂中的构图的孔径而接触硬掩模的区域的酸性上覆层，完全在光刻线路内执行对硬掩模的蚀刻，从而支持用于分离间距方法的可接受的覆盖精度和工艺效率以及吞吐量，该分离间距方法需要为多个依次施加并构图的抗蚀剂层中的每一个进行对硬掩模的蚀刻。硬掩模的接触区域被活化，以通过烘烤酸性上覆层而进行显影。
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公开(公告)号：CN101084467A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200580037630.5
申请日：2005-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03C1/76
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0046 , G03F7/0752 , G03F7/2041
Abstract: 公开了顶部抗反射涂覆材料(TARC)和阻挡层，和其在平版印刷工艺中的用途。TARC/阻挡层可以特别用于使用水作为成像介质的沉浸平版印刷。TARC/阻挡层包括一种聚合物，该聚合物包括至少一个含硅部分和至少一个含水碱溶性部分。合适的聚合物包括具有硅倍半氧烷(梯状或网络)结构的聚合物，如包含具有结构(I)的单体的聚合物，其中R1包括含水碱溶性部分，和x中约1－约1.95，更优选约1－约1.75。
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公开(公告)号：CN103843114B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280048968.0
申请日：2012-05-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0338 , H01L21/0337
Abstract: 本发明的实施例提供在具有多个关键尺寸的侧壁图像转移过程中形成半导体器件的方法。所述方法包括在多个芯棒上方形成多级介电层，多级介电层具有覆盖多个芯棒的多个区域，多级介电层的多个区域具有不同的厚度；通过应用定向蚀刻过程将多级介电层的多个区域蚀刻成间隔，间隔紧挨着多个芯棒的侧壁形成并且具有与多级介电层的多个区域的不同的厚度对应的不同的宽度；移除在间隔中间的多个芯棒；并且将间隔的底部图像转移到间隔下面的一个或多个层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102005382B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010269392.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/31 , G03F7/26 , H01L27/00
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/0035 , H01L21/0271 , H01L21/0338
Abstract: 本发明涉及两次曝光一条线路间距分离方法。一种集成电路被形成为具有这样的结构，该结构紧密邻近且彼此间的间隔比该结构的横向尺寸更小，例如用于制造到以通过暗场分离间距技术实现的最小光刻可分辨尺寸形成的电子元件的接触。通过使用酸敏硬掩模材料和经由抗蚀剂中的构图的孔径而接触硬掩模的区域的酸性上覆层，完全在光刻线路内执行对硬掩模的蚀刻，从而支持用于分离间距方法的可接受的覆盖精度和工艺效率以及吞吐量，该分离间距方法需要为多个依次施加并构图的抗蚀剂层中的每一个进行对硬掩模的蚀刻。硬掩模的接触区域被活化，以通过烘烤酸性上覆层而进行显影。
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公开(公告)号：CN102770807A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201080064595.7
申请日：2010-10-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/00
CPC classification number: H01L21/0276 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 该抗反射硬掩模组合物层包含聚合物，该聚合物在主链之中具有Si-O以及非硅无机组成部分。该聚合物包含至少发色团组成部分和透明组成部分以及交联组分。抗反射硬掩模组合物层用于在衬底之上形成图案化材料的方法。
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公开(公告)号：CN104136994A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201280070393.2
申请日：2012-12-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/5226 , G03F7/0035 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0332 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76816 , H01L2924/0002 , Y10T428/24355 , H01L2924/00
Abstract: 使用线图案对互连级电介质层之上的第一金属硬掩模层图案化。至少一个电介质材料层、第二金属硬掩模层、第一有机平面化层(OPL)以及第一光刻胶被施加在第一金属硬掩模层之上。第一通路图案被从所述第一光刻胶层转移到所述第二金属硬掩模层。第二OPL和第二光刻胶层被施加并使用第二通路图案进行图案化，该第二通路图案被转移到所述第二金属硬掩模层内。第一和第二通路图案的第一合成图案被转移到所述至少一个电介质材料层内。使用第一金属硬掩模层中的开口区域限制第一合成图案的第二合成图案被转移到互连级电介质材料层内。
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公开(公告)号：CN103843114A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280048968.0
申请日：2012-05-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0338 , H01L21/0337
Abstract: 本发明的实施例提供在具有多个关键尺寸的侧壁图像转移过程中形成半导体器件的方法。所述方法包括在多个芯棒上方形成多级介电层，多级介电层具有覆盖多个芯棒的多个区域，多级介电层的多个区域具有不同的厚度；通过应用定向蚀刻过程将多级介电层的多个区域蚀刻成间隔，间隔紧挨着多个芯棒的侧壁形成并且具有与多级介电层的多个区域的不同的厚度对应的不同的宽度；移除在间隔中间的多个芯棒；并且将间隔的底部图像转移到间隔下面的一个或多个层中。
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公开(公告)号：CN101084467B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200580037630.5
申请日：2005-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03C1/76
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0046 , G03F7/0752 , G03F7/2041
Abstract: 公开了顶部抗反射涂覆材料(TARC)和阻挡层，和其在平版印刷工艺中的用途。TARC/阻挡层可以特别用于使用水作为成像介质的沉浸平版印刷。TARC/阻挡层包括一种聚合物，该聚合物包括至少一个含硅部分和至少一个含水碱溶性部分。合适的聚合物包括具有硅倍半氧烷(梯状或网络)结构的聚合物，如包含具有结构(I)的单体的聚合物：其中R1包括含水碱溶性部分，和x中约1-约1.95，更优选约1-约1.75。
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