公开(公告)号：CN103843114B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201280048968.0

申请日：2012-05-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·拉古纳塔安 ,  S·卡纳卡萨巴帕特伊 ,  R·O·尤恩格 ,  A·H·加伯尔 ,  S·D·伯恩斯 ,  E·C·迈克莱拉恩

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明的实施例提供在具有多个关键尺寸的侧壁图像转移过程中形成半导体器件的方法。所述方法包括在多个芯棒上方形成多级介电层，多级介电层具有覆盖多个芯棒的多个区域，多级介电层的多个区域具有不同的厚度；通过应用定向蚀刻过程将多级介电层的多个区域蚀刻成间隔，间隔紧挨着多个芯棒的侧壁形成并且具有与多级介电层的多个区域的不同的厚度对应的不同的宽度；移除在间隔中间的多个芯棒；并且将间隔的底部图像转移到间隔下面的一个或多个层中。

公开(公告)号：CN103843114A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280048968.0

申请日：2012-05-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·拉古纳塔安 ,  S·卡纳卡萨巴帕特伊 ,  R·O·尤恩格 ,  A·H·加伯尔 ,  S·D·伯恩斯 ,  E·C·迈克莱拉恩

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明的实施例提供在具有多个关键尺寸的侧壁图像转移过程中形成半导体器件的方法。所述方法包括在多个芯棒上方形成多级介电层，多级介电层具有覆盖多个芯棒的多个区域，多级介电层的多个区域具有不同的厚度；通过应用定向蚀刻过程将多级介电层的多个区域蚀刻成间隔，间隔紧挨着多个芯棒的侧壁形成并且具有与多级介电层的多个区域的不同的厚度对应的不同的宽度；移除在间隔中间的多个芯棒；并且将间隔的底部图像转移到间隔下面的一个或多个层中。