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公开(公告)号：CN119540274A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510061107.5
申请日：2025-01-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供一种基于SAM的SEM图像处理方法，涉及SEM图像处理技术领域。处理方法包括利用SAM对SEM图像进行模型推理，获得多组分割掩膜版，判断分割掩膜版的第二掩膜版是否属于第一掩膜版，若是，计算分割掩膜版的第一掩膜版的白色像素和第一并集的第一交并比，并判断第一交并比是否大于第一阈值；若是，保留每个第二掩膜版集合中的目标掩膜版，并删除对应的第一掩膜版；若否，保留第一掩膜版，并删除对应的第二掩膜版集合中的目标掩膜版；对保留的目标掩膜版或第一掩膜版的白色像素区域进行颜色填充，获得SEM分割图像。本发明的SEM图像处理方法能够实现零样本训练的SAM对SEM图像的准确分割。
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公开(公告)号：CN114267745B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202111646330.4
申请日：2021-12-29
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种电子、空穴传输通道分离的碲化镉探测器的制备方法，包括：提供一衬底，在衬底的两面涂覆光刻胶掩膜层；提供一掩膜版，掩膜版具有曝光窗口，利用曝光窗口在衬底的两面裸露出待掺杂区域；在衬底两面的待掺杂区域通过离子注入设备注入掺杂离子，以在衬底中构建N型电子传输通道，形成周期性的PN结构。本发明通过双面离子注入法在P型碲化镉晶体中构建两面贯通的N型电子传输通道，使得电子的传输与空穴的传输在空间上得到分离,以有效地避免载流子复合的问题，弱化载流子复合与空穴拖尾效应对衰减常数的影响，提高探测器影像质量。
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公开(公告)号：CN119314865A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411834712.3
申请日：2024-12-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法与紫外探测器件，所述制备方法包括：在衬底上生长氧化镓缓冲层；在所述氧化镓缓冲层远离所述衬底的表面形成镓空位氧化镓层；在所述镓空位氧化镓层远离所述衬底的表面生长氧化镓层；得到所述氧化镓薄膜；所述形成镓空位氧化镓层的过程中，间歇性通入氧源并退火处理。本发明的制备方法通过间歇性通入氧源，得到富含镓空位的镓空位氧化镓层，降低了氧化镓薄膜的位错密度，应用于紫外探测器件时，提高了器件的性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN118643621A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411125038.1
申请日：2024-08-16
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种设备参数调整方法、装置、电子设备及存储介质。通过获取目标设备的当前设备状态、以及与所述当前设备状态对应的待调整的设备描述参数；获取目标设备期望获得的期望设备状态；将所述当前设备状态和所述期望设备状态联合输入至预先训练好的设备参数调整策略模型中对当前待调整的设备描述参数进行调整处理，得到调整后的设备描述参数；将所述调整后的设备描述参数进行反馈，以完成对当前待调整的设备描述参数的调整处理。本发明解决了对设备参数调整需要大量人力物力和时间成本而造成的效率低和准确率低的问题，提高了设备参数调整的效率和准确率，减少了时间成本和人力成本。
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公开(公告)号：CN118035388B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410431109.4
申请日：2024-04-11
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G06F16/33 , G06F16/35 , G06F40/216 , G06F40/194 , G06N3/0455
Abstract: 本发明涉及电数字数据处理技术领域，尤其涉及一种文档关键词确定方法、装置、设备及介质。其中，方法包括：在接收到待处理文档之后，根据文档向量，检索主题相似的目标文档；根据目标文档的关键词，确定第一类候选关键词；将关键词提取提示指令输入至预先训练的大语言模型，得到大语言模型输出的关键词，确定为第二类候选关键词；将关键词拓展提示指令输入至大语言模型，得到大语言模型输出的拓展关键词，确定为第三类候选关键词；通过大语言模型，从第一类候选关键词、第二类候选关键词以及第三类候选关键词中筛选出关键词。本发明实施例可以筛选出准确的用于概括文档的主要内容的词语作为文档的关键词，提高关键词确定过程的准确率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113707776B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111009443.3
申请日：2021-08-31
Applicant: 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlN基紫外发光二极管的外延片及其制作方法。所述外延片包括衬底和依次形成在衬底上的Al1‑xGaxN成核层、三维岛状AlN生长层、二维恢复AlN生长层、n型AlGaN层、多量子阱发光层和p型层，其中0≤x≤0.1。本发明提供的紫外发光二极管的外延片，内部应力小，位错密度低。
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公开(公告)号：CN114280251B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202111672701.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 江苏智闻智能传感科技有限公司 , 材料科学姑苏实验室
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明提供了一种气体检测机器人及气体泄露源检测方法。该气体检测机器人包括机器人本体和控制器，机器人本体包括头部，头部包括鼻部，鼻部具有进气孔、出气孔以及与进气孔和出气孔均连接的检测气室，检测气室内集成有气体传感器模组；气体传感器模组包括多通道阵列气体传感器，多通道阵列气体传感器由多个以阵列方式布置的传感元件组成，传感元件为MEMS传感元件或基于纳米材料的传感元件；控制器配置成根据气体传感器模组的检测结果确定机器人本体下一步运动时的目标位置，并控制机器人本体移动至目标位置，直至定位到气体泄漏源。
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公开(公告)号：CN117858615A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410067730.7
申请日：2024-01-17
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化物的3D集成忆阻器及其制备方法。所述3D集成忆阻器包括沿选定方向依次层叠设置的p型衬底、氮化物功能层和顶部电极。其中，所述p型衬底与所述氮化物功能层构成pn异质结构，所述顶部电极层的功函数与所述氮化物功能层的费米能级相匹配。本发明首次采用氮化物材料，发明的忆阻器为单一层叠结构，并与pn异质结构实现3D集成，能够有效避免忆阻单元之间的串扰问题，制备工艺简单，易集成，成本低，可与CMOS工艺兼容，非常适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN117754979A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211136944.2
申请日：2022-09-19
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: B41J2/14 , B41J2/175 , B41J2/045 , B41J29/393
Abstract: 本发明提供了一种液滴发射装置以及液滴发射方法，所述液滴发射装置包括液滴发射控制系统，液滴发射单元，第一液体源，第二液体源；所述液滴发射单元包括第一液体驱动单元，第二液体驱动单元，液滴发射驱动器，液体连通腔室，液体喷孔；所述液滴发射控制系统控制第一液体源、第二液体源使液体通过第一液体进口通道和第二液体进口通道进入并分别填充第一液体腔室和第二液体腔室，再控制液滴发射驱动器使第一液体腔室和第二液体腔室内的第一液体和第二液体流经液体连通腔室并从液体喷孔处喷出。本发明实现多组分液体材料的设计和不同浓度梯度液滴的发射，具有材料利用率高和液滴发射效率高等特点。
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公开(公告)号：CN114280790B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111636377.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种衍射光波导器件及近眼显示设备。衍射光波导器件包括：光波导基板；光波导基板包括第一光栅区域，光波导基板的第一光栅区域包括至少两个折射率不同的光栅子区域，每个光栅子区域内的折射率相同，且每个光栅子区域对应一次光线耦合输出；位于第一光栅区域的第一光栅结构，第一光栅结构设置于光波导基板的一侧，第一光栅结构用于耦合输出光波导基板内的光线，第一光栅结构的栅线的高度相同。本发明实施例的技术方案，在保证光栅高度一致的情况下通过不同区域的介质的折射率不同来调节出光的均匀性，降低了光栅加工难度，极大地降低了衍射光波导器件的制备成本。
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