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公开(公告)号：CN119008754A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411097807.1
申请日：2024-08-12
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L31/0693 , H01L31/0232 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法与应用，所述柔性薄膜太阳能电池的外延结构包括依次层叠设置的GaAs衬底、缓冲层、腐蚀阻挡层、第一接触层、窗口层、发射层、基层、背场层、DBR反射层和第二接触层；所述DBR反射层包括至少一组层叠设置的AlxGa1‑xAs/AlyGa1‑yAs组合层，其中，x和y的取值不同。本发明所述柔性薄膜太阳能电池通过设置AlxGa1‑xAs/AlyGa1‑yAs DBR结构，能够提高太阳光全光谱的反射率，增强柔性太阳能电池的性能，使所述薄膜太阳能电池的光电转换效率能够超过30％。
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公开(公告)号：CN119314865B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411834712.3
申请日：2024-12-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法与紫外探测器件，所述制备方法包括：在衬底上生长氧化镓缓冲层；在所述氧化镓缓冲层远离所述衬底的表面形成镓空位氧化镓层；在所述镓空位氧化镓层远离所述衬底的表面生长氧化镓层；得到所述氧化镓薄膜；所述形成镓空位氧化镓层的过程中，间歇性通入氧源并退火处理。本发明的制备方法通过间歇性通入氧源，得到富含镓空位的镓空位氧化镓层，降低了氧化镓薄膜的位错密度，应用于紫外探测器件时，提高了器件的性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN119314865A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411834712.3
申请日：2024-12-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法与紫外探测器件，所述制备方法包括：在衬底上生长氧化镓缓冲层；在所述氧化镓缓冲层远离所述衬底的表面形成镓空位氧化镓层；在所述镓空位氧化镓层远离所述衬底的表面生长氧化镓层；得到所述氧化镓薄膜；所述形成镓空位氧化镓层的过程中，间歇性通入氧源并退火处理。本发明的制备方法通过间歇性通入氧源，得到富含镓空位的镓空位氧化镓层，降低了氧化镓薄膜的位错密度，应用于紫外探测器件时，提高了器件的性能与可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116937331B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311189899.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次制备第一限制层、第一波导层、量子阱有源层和第二波导层；在第二波导层背离量子阱有源层的一侧依次制备多层子限制层，多层子限制层构成第二限制层；其中，子限制层为p型掺杂层，沿多层子限制层层叠的方向，位于中间的子限制层的掺杂浓度大于位于两侧的子限制层的掺杂浓度；在第二限制层背离第二波导层的一侧制备接触层。本发明中，对第二限制层的生长工艺进行优化，既可保证掺杂离子在第二限制层中的有效激活，满足第二限制层低电阻率的要求，还可减少第二限制层中杂质的引入，减少激光器的内部损耗，提升激光器性能。
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公开(公告)号：CN117335268A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311421507.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及激光器，该半导体器件包括衬底；下限制层，位于衬底一侧；下波导层，位于下限制层远离衬底的一侧；量子阱，位于下波导层远离下限制层的一侧；上波导层，位于量子阱远离下波导层的一侧；上限制层，位于上波导层远离量子阱的一侧；缺陷过滤层，位于上限制层远离上波导层的一侧；接触层，位于缺陷过滤层远离上限制层的一侧；其中，缺陷过滤层的带隙宽度大于上限制层的带隙宽度。采用本发明实施例提供的技术方案，在上限制层和接触层之间设置缺陷过滤层，并且缺陷过滤层的带隙宽度较大，可以阻挡缺陷的传递，并且可以减少因缺陷带来的光损耗，提高了光维持率，减少光衰，提升半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117080869B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311322864.0
申请日：2023-10-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器外延结构的制备方法及半导体激光器，包括：提供衬底；在衬底一侧依次生长n型下限制层、n型下波导层、量子阱层、P型上波导层、P型电子阻挡层、P型上限制层和P型接触层；其中P型上限制层分至少三个上限制层分部生长，生长过程中靠近P型上波导层一侧的上限制层分部中五族源与三族源的摩尔比小于远离P型上波导层一侧的上限制层分部中五族源与三族源的摩尔比；其中五族源和三族源交替存在，以实现减少氮空位，以减少P型上限制层中的点缺陷，降低材料位错密度，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN117080869A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311322864.0
申请日：2023-10-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器外延结构的制备方法及半导体激光器，包括：提供衬底；在衬底一侧依次生长n型下限制层、n型下波导层、量子阱层、P型上波导层、P型电子阻挡层、P型上限制层和P型接触层；其中P型上限制层分至少三个上限制层分部生长，生长过程中靠近P型上波导层一侧的上限制层分部中五族源与三族源的摩尔比小于远离P型上波导层一侧的上限制层分部中五族源与三族源的摩尔比；其中五族源和三族源交替存在，以实现减少氮空位，以减少P型上限制层中的点缺陷，降低材料位错密度，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN116937331A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311189899.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次制备第一限制层、第一波导层、量子阱有源层和第二波导层；在第二波导层背离量子阱有源层的一侧依次制备多层子限制层，多层子限制层构成第二限制层；其中，子限制层为p型掺杂层，沿多层子限制层层叠的方向，位于中间的子限制层的掺杂浓度大于位于两侧的子限制层的掺杂浓度；在第二限制层背离第二波导层的一侧制备接触层。本发明中，对第二限制层的生长工艺进行优化，既可保证掺杂离子在第二限制层中的有效激活，满足第二限制层低电阻率的要求，还可减少第二限制层中杂质的引入，减少激光器的内部损耗，提升激光器性能。
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