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公开(公告)号：CN118487105A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410647206.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括衬底；外延结构，位于所述衬底一侧；所述外延结构包括激光出射层；过渡层，位于所述激光出射层远离所述衬底的一侧；所述过渡层包括凹槽和反射结构，所述凹槽贯穿至少部分所述过渡层，所述反射结构设置于所述凹槽中；沿所述半导体激光器的外延结构生长方向，所述反射结构与部分所述激光出射层交叠；第一电极，位于所述过渡层远离所述衬底的一侧。采用上述技术手段，通过在凹槽中设置反射结构，如此周期交叠的反射结构能够增加光的反射，进而能够减少光学损耗，提高半导体器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115241365B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211161671.7
申请日：2022-09-23
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种超导量子比特芯片及其制备方法与量子计算机，所述超导量子比特芯片包括电容和超导干涉器，所述超导干涉器包括约瑟夫森结；所述约瑟夫森结与电容的电容电极相连接，连接处的电容电极包括电极主干以及至少一个电极支干。本发明通过特定设计电容电极与约瑟夫森结连接处的形状，解决了倾斜蒸镀的膜层断裂问题，而且降低了制造难度，缩小了连接处的尺寸，降低了约瑟夫森结的曝光时间，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN116937331B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311189899.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次制备第一限制层、第一波导层、量子阱有源层和第二波导层；在第二波导层背离量子阱有源层的一侧依次制备多层子限制层，多层子限制层构成第二限制层；其中，子限制层为p型掺杂层，沿多层子限制层层叠的方向，位于中间的子限制层的掺杂浓度大于位于两侧的子限制层的掺杂浓度；在第二限制层背离第二波导层的一侧制备接触层。本发明中，对第二限制层的生长工艺进行优化，既可保证掺杂离子在第二限制层中的有效激活，满足第二限制层低电阻率的要求，还可减少第二限制层中杂质的引入，减少激光器的内部损耗，提升激光器性能。
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公开(公告)号：CN119314865B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411834712.3
申请日：2024-12-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法与紫外探测器件，所述制备方法包括：在衬底上生长氧化镓缓冲层；在所述氧化镓缓冲层远离所述衬底的表面形成镓空位氧化镓层；在所述镓空位氧化镓层远离所述衬底的表面生长氧化镓层；得到所述氧化镓薄膜；所述形成镓空位氧化镓层的过程中，间歇性通入氧源并退火处理。本发明的制备方法通过间歇性通入氧源，得到富含镓空位的镓空位氧化镓层，降低了氧化镓薄膜的位错密度，应用于紫外探测器件时，提高了器件的性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN119314865A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411834712.3
申请日：2024-12-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法与紫外探测器件，所述制备方法包括：在衬底上生长氧化镓缓冲层；在所述氧化镓缓冲层远离所述衬底的表面形成镓空位氧化镓层；在所述镓空位氧化镓层远离所述衬底的表面生长氧化镓层；得到所述氧化镓薄膜；所述形成镓空位氧化镓层的过程中，间歇性通入氧源并退火处理。本发明的制备方法通过间歇性通入氧源，得到富含镓空位的镓空位氧化镓层，降低了氧化镓薄膜的位错密度，应用于紫外探测器件时，提高了器件的性能与可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117335268A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311421507.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及激光器，该半导体器件包括衬底；下限制层，位于衬底一侧；下波导层，位于下限制层远离衬底的一侧；量子阱，位于下波导层远离下限制层的一侧；上波导层，位于量子阱远离下波导层的一侧；上限制层，位于上波导层远离量子阱的一侧；缺陷过滤层，位于上限制层远离上波导层的一侧；接触层，位于缺陷过滤层远离上限制层的一侧；其中，缺陷过滤层的带隙宽度大于上限制层的带隙宽度。采用本发明实施例提供的技术方案，在上限制层和接触层之间设置缺陷过滤层，并且缺陷过滤层的带隙宽度较大，可以阻挡缺陷的传递，并且可以减少因缺陷带来的光损耗，提高了光维持率，减少光衰，提升半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN117080869B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311322864.0
申请日：2023-10-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器外延结构的制备方法及半导体激光器，包括：提供衬底；在衬底一侧依次生长n型下限制层、n型下波导层、量子阱层、P型上波导层、P型电子阻挡层、P型上限制层和P型接触层；其中P型上限制层分至少三个上限制层分部生长，生长过程中靠近P型上波导层一侧的上限制层分部中五族源与三族源的摩尔比小于远离P型上波导层一侧的上限制层分部中五族源与三族源的摩尔比；其中五族源和三族源交替存在，以实现减少氮空位，以减少P型上限制层中的点缺陷，降低材料位错密度，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN117080869A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311322864.0
申请日：2023-10-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器外延结构的制备方法及半导体激光器，包括：提供衬底；在衬底一侧依次生长n型下限制层、n型下波导层、量子阱层、P型上波导层、P型电子阻挡层、P型上限制层和P型接触层；其中P型上限制层分至少三个上限制层分部生长，生长过程中靠近P型上波导层一侧的上限制层分部中五族源与三族源的摩尔比小于远离P型上波导层一侧的上限制层分部中五族源与三族源的摩尔比；其中五族源和三族源交替存在，以实现减少氮空位，以减少P型上限制层中的点缺陷，降低材料位错密度，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN116937331A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311189899.1
申请日：2023-09-15
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次制备第一限制层、第一波导层、量子阱有源层和第二波导层；在第二波导层背离量子阱有源层的一侧依次制备多层子限制层，多层子限制层构成第二限制层；其中，子限制层为p型掺杂层，沿多层子限制层层叠的方向，位于中间的子限制层的掺杂浓度大于位于两侧的子限制层的掺杂浓度；在第二限制层背离第二波导层的一侧制备接触层。本发明中，对第二限制层的生长工艺进行优化，既可保证掺杂离子在第二限制层中的有效激活，满足第二限制层低电阻率的要求，还可减少第二限制层中杂质的引入，减少激光器的内部损耗，提升激光器性能。
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公开(公告)号：CN115241365A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202211161671.7
申请日：2022-09-23
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明涉及一种超导量子比特芯片及其制备方法与量子计算机，所述超导量子比特芯片包括电容和超导干涉器，所述超导干涉器包括约瑟夫森结；所述约瑟夫森结与电容的电容电极相连接，连接处的电容电极包括电极主干以及至少一个电极支干。本发明通过特定设计电容电极与约瑟夫森结连接处的形状，解决了倾斜蒸镀的膜层断裂问题，而且降低了制造难度，缩小了连接处的尺寸，降低了约瑟夫森结的曝光时间，提高了生产效率。
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