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公开(公告)号：CN119833018A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510308551.2
申请日：2025-03-17
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G16C20/30 , G16C20/70 , G06N3/0455 , G06N3/0499 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿晶体性质的预测方法、装置、设备和介质。该方法包括：分别确定钙钛矿晶体中所有元素的元素特征信息；其中，元素的元素类型包括原子类型和分子类型；分别将每个元素的元素特征信息输入到与该元素的元素类型对应的编码器中，得到每个元素的特征编码结果；根据每个元素的特征编码结果以及钙钛矿晶体的其他属性信息，得到钙钛矿晶体的性质预测结果。本发明通过分别对钙钛矿晶体中的原子和分子进行编码的方式，提高了原子和分子的编码准确性，进而提高了晶体特征编码的准确性；以及通过利用原子和分子编码融合的方式预测晶体性质，实现了对晶体整体结构和物理信息的深层次挖掘，提高了晶体性质预测的准确性。
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公开(公告)号：CN118042848A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410195982.8
申请日：2024-02-22
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供一种传输层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述传输层的材料包括含有羰基和重氮基团的添加剂，所述传输层包括空穴传输层和/或电子传输层；所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的金属电极、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和透明导电衬底；或者，所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的金属电极、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和透明导电衬底。本发明通过使用含有羰基和重氮基团的添加剂的传输层，提高了钙钛矿太阳能电池的效率，制备得到了性能优异钙钛矿太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117335268A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311421507.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及激光器，该半导体器件包括衬底；下限制层，位于衬底一侧；下波导层，位于下限制层远离衬底的一侧；量子阱，位于下波导层远离下限制层的一侧；上波导层，位于量子阱远离下波导层的一侧；上限制层，位于上波导层远离量子阱的一侧；缺陷过滤层，位于上限制层远离上波导层的一侧；接触层，位于缺陷过滤层远离上限制层的一侧；其中，缺陷过滤层的带隙宽度大于上限制层的带隙宽度。采用本发明实施例提供的技术方案，在上限制层和接触层之间设置缺陷过滤层，并且缺陷过滤层的带隙宽度较大，可以阻挡缺陷的传递，并且可以减少因缺陷带来的光损耗，提高了光维持率，减少光衰，提升半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115799376A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310085775.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0216 , H10K30/50 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种叠层光伏电池中间互联层结构及其制备方法与应用，所述叠层光伏电池中间互联层结构包括作为隧穿结的重掺杂PIN结构；所述重掺杂PIN结构的材料包括微晶氧化硅。本发明采用重掺杂PIN结构有利于减少中间互联层的光学吸收，保证底层电池的光学利用，进一步提升了叠层光伏电池的开路电压和短路电流；同时，采用宽带隙材料，可以有利于提高透过率和低寄生吸收，并且调配光谱折射率，进一步提高了光学透明性，降低了光反射。
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公开(公告)号：CN119673349A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510200036.2
申请日：2025-02-24
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种晶体结构预测方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取待预测材料的晶体结构初始参数；通过训练完成的晶体结构预测模型根据所述待预测材料的晶体结构初始参数，确定待预测材料中每个原子的空间位置；其中，所述晶体结构预测模型是根据状态信息和动作信息训练完成的深度确定性策略梯度模型，所述状态信息包括晶体的晶体结构参数，所述动作信息包括晶体中每个原子的空间位置调整策略。上述技术方案，通过深度确定性策略梯度模型进行晶体原子排列预测，有效提升了晶体结构预测的准确度。
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公开(公告)号：CN115799376B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310085775.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0216 , H10K30/50 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种叠层光伏电池中间互联层结构及其制备方法与应用，所述叠层光伏电池中间互联层结构包括作为隧穿结的重掺杂PIN结构；所述重掺杂PIN结构的材料包括微晶氧化硅。本发明采用重掺杂PIN结构有利于减少中间互联层的光学吸收，保证底层电池的光学利用，进一步提升了叠层光伏电池的开路电压和短路电流；同时，采用宽带隙材料，可以有利于提高透过率和低寄生吸收，并且调配光谱折射率，进一步提高了光学透明性，降低了光反射。
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公开(公告)号：CN118488771A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410677526.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供一种复合空穴传输层、倒置钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述复合空穴传输层由含磷酸基团的自组装单分子层材料修饰的氧化镍纳米颗粒分散液经一步沉积和退火得到，通过采用含磷酸基团的自组装单分子层材料对氧化镍纳米颗粒进行修饰，使修饰后的氧化镍纳米颗粒具有良好的分散性和导电性，能够以分散液的形式一步直接沉积在衬底上形成复合空穴传输层，且形成的复合空穴传输层具有导电率高、缺陷率低以及能带位置与钙钛矿吸收层更加匹配的优点，进而应用于倒置钙钛矿太阳能电池中，能明显改善钙钛矿太阳电池的光转换效率和稳定性，还能简化倒置钙钛矿太阳能电池的制备工艺步骤。
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