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公开(公告)号：CN118159123A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211562099.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明中首次将新型Si/SiGe量子阱应用于忆阻器件的阻变层中，制作了三明治结构+硅衬底的RRAM器件。单晶的Si/SiGe量子阱结构，具有电阻随温度上升而逐渐下降(即负温度系数TCR)的材料特性，通过调节Ge的成分比例，可以使TCR实现‑2.5％/K～‑4％/K的变化，同时具有较低的电子噪声。而进一步将其用作阻变层材料制备成忆阻器件之后，在外加不同电压刺激下，器件内部的焦耳热积累，从而使阻变层的电阻值发生改变，最终实现器件的打开，实现忆阻器件的制备。本发明中所制造的忆阻器件，采用了新型的Si/SiGe量子阱结构，能够实现在较小的电压刺激下打开，也可以通过调整Ge的成分比例，得到不同开启电压的忆阻器件，制备灵活；同时具有同质衬底外延、制备简单、薄膜无应力、稳定性好等优点；同时基于传统的硅基CMOS技术，工艺技术成熟度高，短时间内可以获得大量的应用推广。
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公开(公告)号：CN118119265A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211544227.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本申请公开了一种基于钙铁石与钙钛矿异质结的混合阻变机理忆阻器及其制备方式。在本发明中，首次将钙铁石/钙钛矿/钙铁石的异质结结构应用于忆阻器器件的阻变层中。该忆阻器采用了钙铁石晶体结构中的本身存在的氧空位通道和钙铁石与钙钛矿界面产生的垂直各向异性磁效应共同作用的阻变效应。本发明中的忆阻器具有在提高了开关比的同时，实现了稳定的多阻态与可模拟突触可塑性的特点，支持存算一体芯片与脉冲神经网络硬件。
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公开(公告)号：CN117623284A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210981190.4
申请日：2022-08-16
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: C01B32/162 , C01B32/184 , C01G39/06 , C01B19/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种二维纳米材料的金属原子催化生长方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将待生长的二维纳米材料转移至微栅；(2)采用热处理方法将所述金属原子掺杂于所述二维纳米材料；(3)使用电子束辐照掺杂后的所述二维纳米材料进行生长。所述生长方法可以实现对于二维纳米材料在原子尺度上的控制，实现精准加工。
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公开(公告)号：CN115799376B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310085775.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0216 , H10K30/50 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种叠层光伏电池中间互联层结构及其制备方法与应用，所述叠层光伏电池中间互联层结构包括作为隧穿结的重掺杂PIN结构；所述重掺杂PIN结构的材料包括微晶氧化硅。本发明采用重掺杂PIN结构有利于减少中间互联层的光学吸收，保证底层电池的光学利用，进一步提升了叠层光伏电池的开路电压和短路电流；同时，采用宽带隙材料，可以有利于提高透过率和低寄生吸收，并且调配光谱折射率，进一步提高了光学透明性，降低了光反射。
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公开(公告)号：CN116940220A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310794653.0
申请日：2023-06-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供一种新型二维材料与有机薄膜混合忆阻器的制备方法，所述制备方法所加工的器件结构从下到上依次为衬底、底电极、阻变层、有机材料薄膜和顶电极。该忆阻器能够在较小的电压刺激下实现开启状态，表现出良好的循环性能和保持特性，同时具有制备简单、灵敏度高、高低阻态稳定性好以及成本低等优点，非常适合工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117858615A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410067730.7
申请日：2024-01-17
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化物的3D集成忆阻器及其制备方法。所述3D集成忆阻器包括沿选定方向依次层叠设置的p型衬底、氮化物功能层和顶部电极。其中，所述p型衬底与所述氮化物功能层构成pn异质结构，所述顶部电极层的功函数与所述氮化物功能层的费米能级相匹配。本发明首次采用氮化物材料，发明的忆阻器为单一层叠结构，并与pn异质结构实现3D集成，能够有效避免忆阻单元之间的串扰问题，制备工艺简单，易集成，成本低，可与CMOS工艺兼容，非常适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN118159122A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211548200.1
申请日：2022-12-05
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明中首次将新型热敏材料锰钴镍氧应用于忆阻器件的阻变层中，制作了三明治结构+蓝宝石基底的RRAM器件。锰钴镍氧材料，是一种以Mn、Co、Ni过渡族金属为主的尖晶石结构材料，它具有电阻随温度上升而逐渐下降(即负温度系数)的材料特性，同时材料结构稳定、工作温度范围广，所制备的器件非常适应极端条件下的使用，且具有较高的准确度以及灵敏度。本发明所制备的忆阻器能够实现在较小的电压刺激下打开，同时具有制备简单、薄膜应力小、灵敏度高、高低阻态稳定性好、与CMOS工艺兼容等优点，非常适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN117766603A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410066653.3
申请日：2024-01-17
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L31/0304 , G06N3/06 , G06N3/063 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓紫外光突触器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，所述氮化镓紫外光突触器件包括从下到上依次设置的衬底层、氮化镓掺杂吸光层和图形化电极；氮化镓掺杂吸光层用于在紫外光信号的激励下产生光生载流子，图形化电极用于收集所述光生载流子并输出电信号。本发明所述氮化镓紫外光突触器件对紫外光极为敏感，可以通过调整氮化镓掺杂吸光层的掺杂浓度和种类，优化神经形态器件性能，使得氮化镓紫外光突触器件成功表现出生物突触的各种性能，其中包括持久光电导效应(PPC)、双脉冲易化(PPF)、短期记忆(STM)向长期记忆的过渡的认知行为，拥有制备简单、灵敏度高、稳定性好等优点，非常适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN115799376A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310085775.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0216 , H10K30/50 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种叠层光伏电池中间互联层结构及其制备方法与应用，所述叠层光伏电池中间互联层结构包括作为隧穿结的重掺杂PIN结构；所述重掺杂PIN结构的材料包括微晶氧化硅。本发明采用重掺杂PIN结构有利于减少中间互联层的光学吸收，保证底层电池的光学利用，进一步提升了叠层光伏电池的开路电压和短路电流；同时，采用宽带隙材料，可以有利于提高透过率和低寄生吸收，并且调配光谱折射率，进一步提高了光学透明性，降低了光反射。
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公开(公告)号：CN222674843U
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202421288092.3
申请日：2024-06-06
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本实用新型实施例公开了一种阻变存储器，该阻变存储器包括第一电极、第二电极、阻变材料层、多个第一台状凸起微结构和多个第二台状凸起微结构；阻变材料层包括相互背离的第一表面和第二表面；各第一台状凸起微结构位于第一电极的一侧表面上，且第一台状凸起微结构嵌入阻变材料层的第一表面中；各第二台状凸起微结构位于第二电极的一侧表面上，且第二台状凸起微结构嵌入阻变材料层的第二表面中；第一台状凸起微结构的数量与第二台状凸起微结构的数量相同且一一对应设置。该阻变存储器使得电场可以集中在台状凸起微结构上，增加台状凸起微结构处形成导电细丝的概率，抑制导电细丝的形成和断裂的随机性，提高阻变存储器的均一性、稳定性和可靠性。
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