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公开(公告)号：CN119584844A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411846955.9
申请日：2024-12-16
Applicant: 山东建筑大学
Abstract: 本发明提供一种磁性隧道结，包括：衬底；参考层，位于衬底上方，参考层由铁磁金属材料形成或由二维磁性异质结构‑2H‑VSeTe的材料形成；绝缘层，位于参考层的上方，绝缘层由非磁性材料形成；自由层，位于所述绝缘层的上方，所述自由层由所述二维磁性异质结材料‑2H‑VSeTe形成。本发明通过将二维横向异质结磁性材料2H‑VSeTe作为自由层或参考层，并结合调控策略，不仅提升了磁性隧道结的磁学性能和稳定性，还通过优化VCMA系数，为实现高性能、低功耗的磁电随机存储器件提供了新的解决方案。这一创新不仅推动了磁性存储技术的发展，也为未来电子系统的智能化、小型化和集成化提供了有力的技术支持。
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公开(公告)号：CN112993147B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202011353111.2
申请日：2020-11-26
Applicant: 爱思开海力士有限公司 , 铠侠股份有限公司
Abstract: 一种电子设备可以包括半导体存储器，并且该半导体存储器可以包括：磁性隧道结(MTJ)结构，其包括自由层、钉扎层和隧道阻挡层，所述自由层具有可变的磁化方向，所述钉扎层具有固定的磁化方向，所述隧道阻挡层插设于自由层与钉扎层之间；和热稳定性增强层(TSEL)，其包括具有Fe‑O键的均质材料。
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公开(公告)号：CN119451550A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411739023.4
申请日：2024-11-28
Applicant: 广东光翼智造科技有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种自旋电子器件及其制备方法。本申请的自旋电子器件包括：衬底，以及依次形成于衬底上的磁性膜、半导体膜和重金属电极；其中，半导体膜包括钙钛矿膜，钙钛矿膜的材料包括有机无机杂化钙钛矿，且有机无机杂化钙钛中的一价有机阳离子中含有氘原子。与无氘的有机无机杂化钙钛矿相比，氘代有机无机杂化钙钛矿不仅显示出更长的载流子寿命，而且作为非铁磁间隔材料，可以获得了更长磁振子扩散长度，从而使得含有该半导体膜的自旋电子器件具有很好的磁振子输运能力。
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公开(公告)号：CN119451548A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411468793.X
申请日：2024-10-21
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于自旋电子学领域，公开了一种基于磁相变材料铁铑合金实现对自旋轨道力矩显著调控的方法，该方法是基于磁相变材料铁铑合金构建的异质结，该异质结具有霍尔靶结构，包括磁相变材料铁铑合金层以及位于该铁铑合金层之上的、由下至上依次堆叠的非磁轻金属层、铁磁层和覆盖层；铁磁层具有垂直磁各向异性特征；铁铑合金层作为自旋源层，磁相变材料铁铑合金能够随着温度的变化发生反铁磁‑铁磁的一阶相转变。本发明通过使用铁铑合金作为自旋源层，形成铁铑合金层/非磁轻金属层/铁磁层/覆盖层的垂直磁化异质结，可实现对自旋轨道力矩的高效调控(尤其可实现对自旋轨道力矩高达450％的显著调控)。
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公开(公告)号：CN119451130A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411550772.2
申请日：2024-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种新型磁电耦合存储器及制备方法，该新型磁电耦合存储器按照从上到下的顺序依次包括：衬底、底电极金属、磁振子传输层、第一金属电极、自旋流注入结构、多个栅极和自旋流检出结构；所述衬底上设置有所述底电极金属；所述底电极金属上设置有所述磁振子传输层和所述第一金属电极；以及所述磁振子传输层上沿磁振子传输方向依次设置有所述自旋流注入结构、多个所述栅极、所述自旋流检出结构；其中，所述第一金属电极和任意所述栅极组成用于写入信息的装置；所述自旋流注入结构、所述磁振子传输层、待读取栅极和所述自旋流检出结构组成用于读取信息的装置。本申请提供的技术方案能实现利用磁振子在存储器中读写信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119343046A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411348421.3
申请日：2024-09-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种高性能的量子存储器件结构，属于新型磁随机存储器领域。本发明通过构建自旋异质结利用反常霍尔效应(AHE)改变霍尔电压实现数据“0”和“1”的存储。自旋异质结由三层材料组成，自下而上分别为单晶衬底钆镓石榴石(Gd3Ga5O12，GGG)、Bi掺杂的稀土铁石榴石薄膜Bi:HoIG和重金属层Au掺杂的PtBi合金Au:PtBi，其中重金属层为十字型结构。该存储器件结构临界翻转电流小，功耗低，存储速度快，制备简单并且制作成本低、制作周期短。并且本发明存储器件结构具有非易失性，薄膜材料质量好，性能优异。
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公开(公告)号：CN113424331B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202080013786.4
申请日：2020-01-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方案大体上涉及于一种存储器装置。更具体地，本文描述的实施方案大体上涉及SOT‑MRAM。SOT‑MRAM包括具有磁性储存层的存储器单元，该磁性储存层与SOT层并排设置并接触SOT层。并排的磁性储存层和SOT层可通过使流过SOT层的电流的方向反转来实现磁性储存层的切换，而无需任何附加条件。
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公开(公告)号：CN119039358A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411545790.1
申请日：2024-11-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: C07F15/02 , C07D401/14 , H01F1/42 , H10N50/85
Abstract: 本发明涉及分子基磁性材料技术领域，为解决现有不对称格子型自旋交叉材料合成难度较大，通过合成对称型多齿配体难以实现配位位点的不对称排列的问题，提出基于顺反异构三氮唑的格子型铁基配合物及其制备方法。本发明制备的自旋交叉材料基于双齿三氮唑配体，通过配体与过渡金属离子自组装，制备格子型自旋交叉材料；通过调节端基取代基，能够很好的调节配体的取向，实现不对称格子型自旋交叉材料的组装。本发明通过氰基化合物与酰肼缩合后脱水制备双齿三氮唑配体的实验操作简单，产率高达85%以上，易于大面积推广应用。
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公开(公告)号：CN112166509B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201980030970.7
申请日：2019-04-05
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文讨论的磁性隧道结(MTJ)结构的实施方式采用了铬(Cr)、NiCr、NiFeCr、RuCr、IrCr或CoCr或前述的组合的一或多个层的种晶层。这些种晶层与一或多个钉扎层组合使用，与该种晶层接触的第一钉扎层可含有钴的单层，或可含有钴与钴及铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)或钯(Pd)的双层的组合。第二钉扎层可为与第一钉扎层相同的成分和配置，或与之不同的成分或配置。本文讨论的MTJ堆叠在高温退火后维持期望的磁特性。
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公开(公告)号：CN119031823A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310613918.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性隧道结，包括从下到上层叠设置的组合晶种层、磁化方向固定的固定层、势垒层和磁化方向可变的自由层，其中，固定层采用合成反铁磁结构，包括参考层、耦合层和钉扎层，组合晶种层包括层叠设置的扩散层和增强层，扩散层用于向合成反铁磁结构中的钉扎层中扩散铬(Cr)以增强钉扎层的垂直磁各向异性，增强层通过应力作用使钉扎层晶格发生畸变从而增强钉扎层的垂直磁各向异性，并且增强层通过自旋轨道耦合作用提升钉扎层的阻尼因子。本发明提高合成反铁磁结构的磁稳定性，改善了MTJ器件性能。
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