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公开(公告)号：CN119049522A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411199468.8
申请日：2024-08-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种单向写入磁电耦合磁存储器，包括：自旋轨道耦合层；磁电耦合层单元，包括分别对称形成于自旋轨道耦合层上下两侧的第一磁电耦合层和第二磁电耦合层；自由层单元，包括分别对称形成于第一磁电耦合层外的第一自由层和第二磁电耦合层外的第二自由层；势垒层单元，包括分别对称形成于第一自由层外的第一势垒层和第二自由层外的第二势垒层；参考层单元，包括分别对称形成于第一势垒层外的第一参考层和第二势垒层外的第二参考层；钉扎层单元，包括分别对称形成于第一参考层外的第一钉扎层和第二参考层外的第二钉扎层；顶电极单元，读电极单元，以及写电极单元。同时还提供上述磁存储器的制备方法及磁存储器的阵列连接电路。
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公开(公告)号：CN116828964A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310610815.0
申请日：2023-05-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种自旋纳米振荡器的控制方法及自旋纳米振荡器，涉及自旋电子领域。自旋纳米振荡器的控制方法，应用于包括底电极、以及依次设置在所述底电极上的铁磁参考层、铁磁自由层和顶电极的自旋纳米振荡器中，所述控制方法包括：在基于输入电流强度和自振荡状态对应的振荡频率具有的强非线性关系，通过所述自旋纳米振荡器进行储备池计算的过程中，通过调控相关材料工艺参数或压控磁各向异性，调控所述铁磁参考层各向异性倾斜方向；通过调控所述各向异性倾斜方向和/或调控所述输入电流强度完成对所述自旋纳米振荡器对应的振荡频率和/或线宽的调控。
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公开(公告)号：CN116322276A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310339778.4
申请日：2023-03-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种自旋电子器件、电路单元、计算网络、算子以及神经网络。该随机自旋电子器件包括：加热器，加热器用于写入控制脉冲信号；隔离层，形成于加热器的顶面；反铁磁层，形成于隔离层的顶面；铁磁层，形成于反铁磁层的顶面，其中，反铁磁层用于固定铁磁层的磁矩，以使得铁磁层不产生磁畴壁；RKKY耦合层，形成于铁磁层的顶面；磁隧道结，形成于RKKY耦合层的顶面一侧，其中，在写入脉冲信号输入的情况下，磁隧道结的磁畴壁自由层中的磁畴壁发生运动。
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公开(公告)号：CN113193110B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110299800.8
申请日：2021-03-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于磁畴壁驱动型磁隧道结的激活函数发生器，包括：自旋轨道耦合层，用于产生自旋轨道矩；铁磁自由层，形成在所述自旋轨道耦合层上，用于提供磁畴壁运动轨道；非磁性势垒层，形成在所述铁磁自由层上；铁磁参考层，形成在所述非磁性势垒层上；顶电极，形成在所述铁磁参考层上；反铁磁钉扎层，形成在所述铁磁自由层两端上；左电极和右电极，分别形成在所述反铁磁钉扎层上的两个位置处。本发明还提供了一种如上所述的激活函数发生器的制备方法。
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公开(公告)号：CN112599161B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011643048.6
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明公开了一种多阻态自旋电子器件，包括：顶电极、底电极，分别与读写电路连接；磁隧道结，位于两电极间，从上至下依次包括：铁磁参考层、势垒隧穿层、铁磁自由层以及自旋轨道耦合层。铁磁自由层两端设置成核中心，用于产生磁畴壁；自旋轨道耦合层与底电极相连，施加写入脉冲时，产生电子自旋流，并通过自旋轨道矩驱动磁畴壁移动；自旋轨道耦合层与铁磁自由层界面设置多个局域磁畴壁钉扎中心，用于增强界面间反对称交换作用系数强度。器件通过调控自旋耦合矩和反对称交换作用强度，分别驱动和钉扎铁磁自由层中的磁畴壁，在全电场条件下实现多阻态切换；本发明进一步公开了一种基于此多阻态自旋电子器件的存算一体布尔逻辑及全加运算器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114649468A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210205501.8
申请日：2022-03-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法，涉及人工神经元存储器件技术领域。该器件包括：由下至上依次层叠的合成反铁磁层、金属氧化物层、离子液体层和顶电极层，合成反铁磁层的底端相对的两个边缘上设置有磁化方向相反的左边界反铁磁层和右边界反铁磁层，合成反铁磁层的底端中部还设置用于输出尖峰信号的磁性隧道结；其中，金属氧化物层、离子液体层和顶电极层构成离子门，离子液体层包括正离子和负离子，当顶电极层施加输入电压时，金属氧化物层中的氧离子随着离子液体层中的正离子和负离子的分布而移动，以调整合成反铁磁层顶部界面的电荷积累，从而通过RKKY作用调控合成反铁磁层底部的磁畴壁的泄露运动速度。
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公开(公告)号：CN110926662B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201911212861.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种薄膜式电容传感器，包括陶瓷定电极、定电极连接环、外壳、外壳上盖、压紧环、调节环和膜片动电极，其中：陶瓷定电极作为电容极板，与膜片动电极组成可变电容，用于检测和输出被测环境压力变化；定电极连接环用于连接陶瓷定电极和薄膜式电容传感器的外壳；外壳位于传感器的最外侧，起到支持作用；外壳上盖焊接到外壳上，用于密封薄膜式电容传感器和压紧定电极连接环；压紧环用于压紧定电极连接环，防止陶瓷定电极滑动；调节环用于作为膜片动电极与陶瓷定电极之间的电容间距；膜片动电极作为电容极板，和陶瓷定电极组成可变电容，当外界压力变化时，膜片受力变形，导致其于陶瓷定电极间距发生变化，从而产生电容变化。
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公开(公告)号：CN113657586A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110840235.1
申请日：2021-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于自旋轨道矩的神经元器件，包括：依次形成在基底上的反铁磁钉扎层、第一铁磁层及自旋轨道耦合层；形成在自旋轨道耦合层上并根据自旋轨道矩使磁畴壁移动的自由层；形成在自由层上的隧穿层；形成在自由层两侧并具有相反磁化方向的左钉扎层与右钉扎层；形成在隧穿层上的参考层；其中，自由层、隧穿层及参考层构成磁性隧道结，该磁性隧道结用于读取神经元信号。本公开还提供了一种基于自旋轨道矩的神经元器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN110879111B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201911188540.6
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明公开了一种柔性电极支撑结构，该柔性电极支撑结构为圆环方波型结构，置于柔性电极外壳台阶处，用于支撑陶瓷定电极，并调节陶瓷定电极与金属动电极之间的电容距离。本发明提出的柔性电极支撑结构采用圆环方波结构，在高精度薄膜传感器中，柔性电极支撑结构作为连接媒介，在温度变化时，通过弹性形变来吸收和释放陶瓷与金属热膨胀系数不同引起的机械迟滞，可以有效避免金属动电极和陶瓷定电极热膨胀系数不同导致的机械迟滞。
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公开(公告)号：CN112864314A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011637866.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，主要涉及一种磁电阻器件以及改变其阻态的方法、突触学习模块；其中，该磁电阻器件，包括沿预设方向依次排列的顶电极、铁磁参考层、隧穿层、铁磁自由层、自旋轨道耦合层、底电极；其中自旋轨道耦合层包括交替分布的第一厚度区和第二厚度区，第一厚度区和第二厚度区的厚度不同；铁磁自由层中包括钉扎区，钉扎区的位置与第一厚度区的位置一一对应。
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