公开(公告)号：CN119314865B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411834712.3

申请日：2024-12-13

Applicant: 材料科学姑苏实验室

Inventor： 郭丽彬 ,  周大勇 ,  祝曾伟 ,  杨慧永 ,  赵文超 ,  乔楠 ,  顾俊 ,  申德振

IPC: H01L21/02 ,  H10F77/12 ,  H10F30/21

Abstract: 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法与紫外探测器件，所述制备方法包括：在衬底上生长氧化镓缓冲层；在所述氧化镓缓冲层远离所述衬底的表面形成镓空位氧化镓层；在所述镓空位氧化镓层远离所述衬底的表面生长氧化镓层；得到所述氧化镓薄膜；所述形成镓空位氧化镓层的过程中，间歇性通入氧源并退火处理。本发明的制备方法通过间歇性通入氧源，得到富含镓空位的镓空位氧化镓层，降低了氧化镓薄膜的位错密度，应用于紫外探测器件时，提高了器件的性能与可靠性。

公开(公告)号：CN119314865A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411834712.3

申请日：2024-12-13

Applicant: 材料科学姑苏实验室

Inventor： 郭丽彬 ,  周大勇 ,  祝曾伟 ,  杨慧永 ,  赵文超 ,  乔楠 ,  顾俊 ,  申德振

IPC: H01L21/02 ,  H10F77/12 ,  H10F30/21

Abstract: 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法与紫外探测器件，所述制备方法包括：在衬底上生长氧化镓缓冲层；在所述氧化镓缓冲层远离所述衬底的表面形成镓空位氧化镓层；在所述镓空位氧化镓层远离所述衬底的表面生长氧化镓层；得到所述氧化镓薄膜；所述形成镓空位氧化镓层的过程中，间歇性通入氧源并退火处理。本发明的制备方法通过间歇性通入氧源，得到富含镓空位的镓空位氧化镓层，降低了氧化镓薄膜的位错密度，应用于紫外探测器件时，提高了器件的性能与可靠性。