- 专利标题： 超导互连结构的制备方法及超导量子电路的制备方法
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申请号： CN202210972234.7申请日： 2022-08-12
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公开(公告)号： CN116169096B公开(公告)日： 2024-08-13
- 发明人: 徐望胜 , 沈龙 , 张润潇 , 马亮亮 , 尤兵
- 申请人： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层
- 专利权人： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
- 当前专利权人： 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H10N60/80 ; H10N60/82 ; H10N60/01 ; H10N60/10
摘要：
本申请公开了一种超导互连结构及超导量子电路的制备方法，涉及硅通孔互连结构技术领域。本申请先在衬底上形成盲孔，然后将熔融的超导材料填入所述盲孔形成超导元件，再在所述盲孔的底部的一侧减薄所述衬底以使该盲孔形成贯穿衬底的通孔，由此即可获得贯穿衬底的超导互连结构，可以基于该超导互连结构使通孔两端的衬底表面的电路互连。本申请的方案中，熔融的超导材料填充盲孔后减薄的方式耗时短、效率高，有助于实现基于TSV的超导互连结构的快速制备。
公开/授权文献
- CN116169096A 超导互连结构的制备方法及超导量子电路的制备方法 公开/授权日：2023-05-26
IPC分类:
