公开(公告)号：CN111373556B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201880075199.0

申请日：2018-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗森布拉特 ,  J·奥尔卡特 ,  M·桑德贝格 ,  M·布林克 ,  V·亚迪加 ,  N·T·布朗

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/12 ,  H10N60/80 ,  G06N10/00

Abstract: 当量子位在第一芯片上形成并且光学透射路径在第二芯片上形成时，形成量子位(量子位)倒装芯片组件。使用焊料凸块接合两个芯片。光学透射路径提供对第一芯片上的量子位的光学访问。

公开(公告)号：CN112602205B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN201980053762.9

申请日：2019-08-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·桑德贝格 ,  V·亚迪加 ,  H·派克

IPC: H10N60/12 ,  G01R33/022 ,  G01R33/035 ,  G06N10/00 ,  H10N60/01

Abstract: 提供了关于平行梯度SQUID及其制造的技术。例如，本文中所述的一个或多个实施例可以包括一种装置，该装置可以包括位于衬底(106)上的第一超导材料(104)图案。而且，该装置可以包括第二超导材料图案(110)，其可以在一个位置处延伸跨过第一超导材料图案。此外，所述装置可以包括位于所述位置处的约瑟夫逊结(102)，其可以包括能够连接第一超导材料图案和第二超导材料图案的绝缘阻挡层。

公开(公告)号：CN111373557A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075209.0

申请日：2018-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗森布拉特 ,  J·奥尔卡特 ,  H·派克 ,  M·桑德贝格 ,  J·B·赫兹博格

IPC: H01L39/22 ,  G06N10/00 ,  H01L39/24

Abstract: 一种形成多量子位芯片的方法包括对量子位的约瑟夫逊结进行退火以增加或降低该量子位的频率。退火的条件可以基于历史条件，并且可以被选择以将每个量子位调谐到期望的频率。

公开(公告)号：CN111373557B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201880075209.0

申请日：2018-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗森布拉特 ,  J·奥尔卡特 ,  H·派克 ,  M·桑德贝格 ,  J·B·赫兹博格

IPC: H10N60/12 ,  G06N10/20 ,  H10N60/01

Abstract: 一种形成多量子位芯片的方法包括对量子位的约瑟夫逊结进行退火以增加或降低该量子位的频率。退火的条件可以基于历史条件，并且可以被选择以将每个量子位调谐到期望的频率。

公开(公告)号：CN112703512A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201980060639.X

申请日：2019-08-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 邵东兵 ,  M·桑德贝格 ,  M·布林克

IPC: G06N10/00 ,  G06N5/00 ,  G06F30/30

Abstract: 提出了设计用于具体应用程序或算法的应用程序或算法专用的量子计算电路的技术。设计组件可以包括提取器组件，该提取器组件可以基于应用程序或者算法的分析来提取确定为满足必须在量子电路设计中使用彼此之间的直接连接的已定义的阈值电位的量子位对；设计管理组件(DMC)可基于与量子位对相关的特征分析确定用于应用程序或者算法的量子电路的电路设计。DMC可以通过加权方案和特征对量子位对进行分类，包括影响下游量子位的数量、量子位对之间的二量子位门操作的数量和/或量子位对是否影响测量。基于分类，DMC会选择排序最高的量子位对来分配直接连接。

公开(公告)号：CN112602205A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201980053762.9

申请日：2019-08-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·桑德贝格 ,  V·亚迪加 ,  H·派克

IPC: H01L39/22 ,  G01R33/022 ,  G01R33/035 ,  G06N10/00 ,  H01L39/24

Abstract: 提供了关于平行梯度SQUID及其制造的技术。例如，本文中所述的一个或多个实施例可以包括一种装置，该装置可以包括位于衬底(106)上的第一超导材料(104)图案。而且，该装置可以包括第二超导材料图案(110)，其可以在一个位置处延伸跨过第一超导材料图案。此外，所述装置可以包括位于所述位置处的约瑟夫逊结(102)，其可以包括能够连接第一超导材料图案和第二超导材料图案的绝缘阻挡层。

公开(公告)号：CN120019394A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380072543.1

申请日：2023-09-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·巴拉克里希南 ,  A·法尔克 ,  M·桑德贝格 ,  J·奥尔卡特

IPC: G06N10/40

Abstract: 提供了用于缓解在量子处理器中的缺陷的影响的方法和系统。一种缓解系统包括量子处理器，该量子处理器包括多个量子比特。该系统包括可以被调谐以产生不同波长的光脉冲的发光源。该系统包括带通滤波器阵列。每个带通滤波器与量子处理器上的量子比特对准，并且具有唯一的通带。该系统可以包括控制器，该控制器被配置为接收对量子比特的选择并且被配置为调谐该发光源以发射光脉冲，该光脉冲具有落入与所选择的量子比特对准的带通滤波器的范围中的波长。光脉冲被用于加扰处理器中的强耦合二能级系统(TLS)的整体。

公开(公告)号：CN120019393A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380072324.3

申请日：2023-09-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·桑德贝格 ,  A·法尔克 ,  K·巴拉克里希南 ,  J·奥尔卡特

IPC: G06N10/40 ,  H04B10/70

Abstract: 提供了用于缓解在量子处理器中的缺陷的影响的方法和系统。一种缓解系统包括具有多个量子比特的量子处理器。该系统包括发光源阵列。每个发光源与量子处理器上的量子比特对准。该系统包括控制器，该控制器被配置为接收对量子比特的选择并且使来自该发光源阵列的发光源能够向该选择的量子比特发射光。该光用于打乱量子处理器中的强耦合二能级系统(TLS)。

公开(公告)号：CN120019392A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380072323.9

申请日：2023-09-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·法尔克 ,  M·桑德贝格 ,  K·巴拉克里希南 ,  O·蒂亚尔 ,  J·奥尔卡特

IPC: G06N10/40 ,  H04B10/70

Abstract: 提供了用于缓解在量子处理器中的缺陷的影响的方法和系统。缓解系统使用了施加光脉冲和检查量子比特弛豫时间的迭代过程来消除或最小化与量子比特的二能级系统(TLS)交互。该系统施加第一光脉冲以照射具有一个或多个量子比特的量子处理器。该系统在施加第一光脉冲之后接收在不同电场频率下测量的量子比特弛豫时间。该系统在确定所接收的量子比特弛豫时间指示在该量子处理器中存在强耦合TLS时施加第二光脉冲以照射该量子处理器。

公开(公告)号：CN111373556A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075199.0

申请日：2018-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗森布拉特 ,  J·奥尔卡特 ,  M·桑德贝格 ,  M·布林克 ,  V·亚迪加 ,  N·T·布朗

IPC: H01L39/02 ,  G06N10/00

Abstract: 当量子位在第一芯片上形成并且光学透射路径在第二芯片上形成时，形成量子位(量子位)倒装芯片组件。使用焊料凸块接合两个芯片。光学透射路径提供对第一芯片上的量子位的光学访问。