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公开(公告)号：CN113711245A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080028974.4
申请日：2020-04-15
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种量子计算装置包括具有第一衬底和设置在所述第一衬底上的一个或多个量子位的第一芯片。所述一个或多个量子位中的每一个具有相关联的谐振频率。该量子计算装置进一步包括第二芯片，该第二芯片具有第二衬底和与该一个或多个量子位相对地布置在该第二衬底上的至少一个导电表面。所述至少一个导电表面具有被配置成将与所述一个或多个量子位中的至少一个相关联的所述谐振频率调整到确定的频率调整值的至少一个尺寸。
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公开(公告)号：CN108431687B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201680074238.6
申请日：2016-09-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G02F1/35
Abstract: 技术涉及频率转换。机械共振器(104)被配置成随轴线上的位移以机械共振频率振荡。光谐振器(108)包括与第二反射镜(202B)相对的第一反射镜(202A)，其中在之间形成有光学腔。第一反射镜(202A)固定到机械共振器(104)，使得第一反射镜(202A)根据机械共振器(104)的位移而移动以改变光学腔的光学长度，其中改变所述光学长度改变光谐振器的光谐振频率。改变光学长度改变光谐振器(108)的光谐振频率。微波谐振器(120)被定位得根据机械共振器(104)的位移而移动，使得机械共振器(104)的移动改变微波谐振器(120)的约瑟夫森电感，从而改变微波谐振器(120)的微波谐振频率。
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公开(公告)号：CN113366513B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202080011615.8
申请日：2020-02-11
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 根据本发明的一个实施例，一种生产量子计算机芯片的方法包括在结合到测试插入器芯片的量子位芯片的操作温度处，对于量子位芯片上的量子位，在量子位芯片上执行频率测量。该方法还包括在执行频率测量之后拉动量子位芯片以与测试插入器芯片分开，以及在拉动量子位芯片以与测试插入器芯片分开之后修改量子位的子集的频率。该方法进一步包括在修改量子位的子集的频率之后将该量子位芯片结合到器件插入器芯片。
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公开(公告)号：CN111201622B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201780095757.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10N60/10
Abstract: 一种垂直q电容器(202,302,700,1100,1400,1800)包括穿过超导材料(402)的层(602,1302，1304)的衬底(400)中的沟槽(304，502,902,1202，1204，1602)。超导体沉积在沟槽(304,502,902,1202,1204,1602)中，在沟槽(304,502,902,1202,1204,1602)的第一表面上形成第一膜，在第二表面上形成第二膜，并且在第三表面上形成所述超导体的第三膜。所述第一表面和所述第二表面基本上平行，并且沟槽(304,502,902,1202,1204,1602)中的所述第三表面将所述第一表面和所述第二表面分开。通过蚀刻暴露所述第三膜下方的电介质。在所述第一膜和超导量子逻辑电路中的第一接触之间形成第一耦合，在所述第二膜和所述超导量子逻辑电路中的第二接触之间形成第二耦合。所述第一耦合和所述第二耦合使得所述第一膜和所述第二膜操作为垂直q电容器(202,302,700,1100,1400,1800)，所述垂直q电容器(202,302,700,1100,1400,1800)将所述超导量子逻辑电路中的数据的完整性保持在阈值水平内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111295678B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201880070681.5
申请日：2018-10-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种电容性耦合装置(超导C耦合器)包括从衬底的背侧穿过衬底到达衬底中的深度而被形成的沟槽，该深度基本上垂直于衬底的前侧上的制造平面，该深度小于衬底的厚度。超导材料作为连续导电通孔层被沉积在沟槽中，其中沟槽中通孔层的表面之间的空间保持从背侧可接近。在前侧上形成超导焊盘，超导焊盘与在前侧上被制造的量子逻辑电路元件耦合。在背侧上形成通孔层的延伸部。延伸部耦合到在背侧上被制造的量子读出电路元件。
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公开(公告)号：CN111201622A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201780095757.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L39/22
Abstract: 一种垂直q电容器(202,302,700,1100,1400,1800)包括穿过超导材料(402)的层(602,1302，1304)的衬底(400)中的沟槽(304，502,902,1202，1204，1602)。超导体沉积在沟槽(304,502,902,1202,1204,1602)中，在沟槽(304,502,902,1202,1204,1602)的第一表面上形成第一膜，在第二表面上形成第二膜，并且在第三表面上形成所述超导体的第三膜。所述第一表面和所述第二表面基本上平行，并且沟槽(304,502,902,1202,1204,1602)中的所述第三表面将所述第一表面和所述第二表面分开。通过蚀刻暴露所述第三膜下方的电介质。在所述第一膜和超导量子逻辑电路中的第一接触之间形成第一耦合，在所述第二膜和所述超导量子逻辑电路中的第二接触之间形成第二耦合。所述第一耦合和所述第二耦合使得所述第一膜和所述第二膜操作为垂直q电容器(202,302,700,1100,1400,1800)，所述垂直q电容器(202,302,700,1100,1400,1800)将所述超导量子逻辑电路中的数据的完整性保持在阈值水平内。
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公开(公告)号：CN111295678A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201880070681.5
申请日：2018-10-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种电容性耦合装置(超导C耦合器)包括从衬底的背侧穿过衬底到达衬底中的深度而被形成的沟槽，该深度基本上垂直于衬底的前侧上的制造平面，该深度小于衬底的厚度。超导材料作为连续导电通孔层被沉积在沟槽中，其中沟槽中通孔层的表面之间的空间保持从背侧可接近。在前侧上形成超导焊盘，超导焊盘与在前侧上被制造的量子逻辑电路元件耦合。在背侧上形成通孔层的延伸部。延伸部耦合到在背侧上被制造的量子读出电路元件。
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公开(公告)号：CN113366513A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011615.8
申请日：2020-02-11
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 根据本发明的一个实施例，一种生产量子计算机芯片的方法包括在结合到测试插入器芯片的量子位芯片的操作温度处，对于量子位芯片上的量子位，在量子位芯片上执行频率测量。该方法还包括在执行频率测量之后拉动量子位芯片以与测试插入器芯片分开，以及在拉动量子位芯片以与测试插入器芯片分开之后修改量子位的子集的频率。该方法进一步包括在修改量子位的子集的频率之后将该量子位芯片结合到器件插入器芯片。
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