公开(公告)号：CN111295678B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201880070681.5

申请日：2018-10-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·O·托帕罗格鲁 ,  S·罗森布拉特 ,  J·B·赫兹博格

IPC: G06N10/00 ,  H10N69/00 ,  H10N60/80 ,  H10N60/10 ,  H10N60/01

Abstract: 一种电容性耦合装置(超导C耦合器)包括从衬底的背侧穿过衬底到达衬底中的深度而被形成的沟槽，该深度基本上垂直于衬底的前侧上的制造平面，该深度小于衬底的厚度。超导材料作为连续导电通孔层被沉积在沟槽中，其中沟槽中通孔层的表面之间的空间保持从背侧可接近。在前侧上形成超导焊盘，超导焊盘与在前侧上被制造的量子逻辑电路元件耦合。在背侧上形成通孔层的延伸部。延伸部耦合到在背侧上被制造的量子读出电路元件。

公开(公告)号：CN111295678A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201880070681.5

申请日：2018-10-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·O·托帕罗格鲁 ,  S·罗森布拉特 ,  J·B·赫兹博格

IPC: G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L39/02 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: 一种电容性耦合装置(超导C耦合器)包括从衬底的背侧穿过衬底到达衬底中的深度而被形成的沟槽，该深度基本上垂直于衬底的前侧上的制造平面，该深度小于衬底的厚度。超导材料作为连续导电通孔层被沉积在沟槽中，其中沟槽中通孔层的表面之间的空间保持从背侧可接近。在前侧上形成超导焊盘，超导焊盘与在前侧上被制造的量子逻辑电路元件耦合。在背侧上形成通孔层的延伸部。延伸部耦合到在背侧上被制造的量子读出电路元件。