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公开(公告)号：CN112585772B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201980052991.9
申请日：2019-09-18
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 罗载雄 , E·P·莱文多沃斯基 , A·S·纳拉斯贡德
摘要： 提供了可以促进混合凸块下金属化部件的器件和方法。根据实施例，器件包括凸块下金属化部件(124B)，其包括超导互连部件和焊料润湿部件(112)。该器件还包括焊料凸块(122)，该焊料凸块耦合到超导互连部件和焊料润湿部件。在一些实施例中，超导互连部件包括气密密封的超导互连部件。
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公开(公告)号：CN109075375B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201780027749.7
申请日：2017-04-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01M10/04
摘要： 提供一种微电池(50A，50B，50C)，其中金属密封层(18)用于在微电池(50A，50B，50C)的阳极侧和微电池(50A，50B，50C)的阴极侧之间提供气密密封。金属密封层(18)围绕位于阳极侧的每个金属阳极结构(16)的周边形成，然后金属密封层(18)粘合到存在于阴极侧上的壁结构的可焊金属层(32)上。壁结构包含暴露金属集电器结构(24)的腔体(34)。所述腔体(34)填充有电池材料(36)。
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公开(公告)号：CN113841166A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202080036602.6
申请日：2020-05-07
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G06N10/00
摘要： 一种模块化超导量子处理器，包括：第一超导芯片，其包括第一多个量子位和第二多个量子位，第一多个量子位各自基本上具有第一谐振频率，第二多个量子位各自基本上具有第二谐振频率，第一谐振频率不同于第二谐振频率；以及第二超导芯片，其包括第三多个量子位和第四多个量子位，第三多个量子位各自基本上具有第一谐振频率，第四多个量子位各自基本上具有第二谐振频率。该量子处理器进一步包括连接到第一超导芯片和第二超导芯片上的内插体芯片。内插体芯片具有被配置为将第二多个量子位耦合到第四多个量子位的内插体耦合器元件。
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公开(公告)号：CN105931973B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610104175.6
申请日：2016-02-25
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： G02B6/4238 , G02B6/12004 , G02B6/1225 , G02B6/13 , G02B6/4232 , H01L24/00
摘要： 提供了用于微电子、光子和光电装置的倒装芯片组装以及封装的技术，其中，封装组件的三维对准是在回流焊工艺中使用焊料表面张力移动一个或多个封装组件并且使用机械止挡和芯片对接技术在X、Y和Z方向上对准此类组件而实现的。
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公开(公告)号：CN103765622A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041548.X
申请日：2012-08-29
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： H01L31/035227 , C03C15/00 , C03C17/06 , C03C2218/34 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/056 , H01L31/075 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02E10/548 , Y10S438/945 , Y10S977/773 , Y10S977/779 , Y10T428/12014 , Y10T428/12069 , Y10T428/12076 , Y10T428/24479 , Y10T428/24488 , Y10T428/2982
摘要： 形成了半球（18）和球（28）并且将它们用于多种应用。半球（18）用于形成具有上表面和下表面的衬底（12）。所述上表面包括具有附着到所述下表面的基底的柱（10）的峰。所述峰具有在所述上表面处由半球金属结构（18）的阵列限定的密度，所述半球金属结构在所述柱的形成期间在蚀刻以去除衬底材料向下到所述下表面的期间用作掩模。所述柱是密集且均匀的并且包括微米级平均直径。所述球被形成为用于其它应用的独立的金属球或纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN114649615A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111473419.5
申请日：2021-11-29
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01M50/184 , H01M50/191 , H01M50/186 , H01M10/04
摘要： 本发明涉及微电池器件的气密封装。提供了一种制造微电池的方法。该方法包括通过在第一衬底中形成第一金属阳极过孔和第一金属阴极过孔，在第一衬底的底侧上形成第一金属层，在衬底的顶侧上形成第一电池元件，在第一电池元件周围形成包封层，在第一电池元件的不同侧上形成穿过包封层和第一衬底的沟槽，以及在沟槽中形成金属密封层以至少覆盖第一电池元件的多个侧壁表面，来形成微电池器件。金属密封层通过第一金属层和第一金属阴极过孔电连接到电池元件。
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公开(公告)号：CN113039640A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980073349.9
申请日：2019-11-05
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/66 , B82Y10/00 , H01L21/48 , H01L21/683 , H01L23/367 , H01L23/00
摘要： 在一个实施例中，量子设备包括插入层，该插入层包括一组通孔。在一个实施例中，量子设备包括形成在插入层的第一侧上的介电层，该介电层包括通信地耦合到该组通孔的一组传输线。在一个实施例中，量子设备包括耦合到插入层的相对侧的多个量子位芯片，多个量子位芯片的每个量子位芯片包括：在量子位芯片的第一侧上的多个量子位和在量子位芯片的第二侧上的多个突起。在一个实施例中，量子设备包括与多个量子位芯片热耦合的散热器，该散热器包括与多个量子位芯片的多个突起对准的多个凹部。
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公开(公告)号：CN109075375A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027749.7
申请日：2017-04-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01M10/04
摘要： 提供一种微电池(50A，50B，50C)，其中金属密封层(18)用于在微电池(50A，50B，50C)的阳极侧和微电池(50A，50B，50C)的阴极侧之间提供气密密封。金属密封层(18)围绕位于阳极侧的每个金属阳极结构(16)的周边形成，然后金属密封层(18)粘合到存在于阴极侧上的壁结构的可焊金属层(32)上。壁结构包含暴露金属集电器结构(24)的腔体(34)。所述腔体(34)填充有电池材料(36)。
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公开(公告)号：CN105931973A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610104175.6
申请日：2016-02-25
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： G02B6/4238 , G02B6/12004 , G02B6/1225 , G02B6/13 , G02B6/4232 , H01L24/00 , H01L21/50 , B23K1/0008 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L2021/60007 , H01L2021/60022 , H01L2021/60082 , H01L2021/6009 , H01L2224/81143
摘要： 提供了用于微电子、光子和光电装置的倒装芯片组装以及封装的技术，其中，封装组件的三维对准是在回流焊工艺中使用焊料表面张力移动一个或多个封装组件并且使用机械止挡和芯片对接技术在X、Y和Z方向上对准此类组件而实现的。
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公开(公告)号：CN114746994A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080081031.8
申请日：2020-11-24
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L23/498
摘要： 一种量子装置，包括具有多个量子位的量子位芯片以及附接到并且电连接到所述量子位芯片的中介板。该装置还包括附接到量子位芯片的一侧或中介板的一侧或两者的基板处置器，以便与量子位芯片或中介板或两者热接触。所述基板处置器包括多个通孔，所述多个通孔的至少一部分填充有非超导材料，所述非超导材料被选择为耗散所述量子位芯片、所述中介板或两者中产生的热量。
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