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公开(公告)号：CN103765622A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041548.X
申请日：2012-08-29
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： H01L31/035227 , C03C15/00 , C03C17/06 , C03C2218/34 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/056 , H01L31/075 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02E10/548 , Y10S438/945 , Y10S977/773 , Y10S977/779 , Y10T428/12014 , Y10T428/12069 , Y10T428/12076 , Y10T428/24479 , Y10T428/24488 , Y10T428/2982
摘要： 形成了半球（18）和球（28）并且将它们用于多种应用。半球（18）用于形成具有上表面和下表面的衬底（12）。所述上表面包括具有附着到所述下表面的基底的柱（10）的峰。所述峰具有在所述上表面处由半球金属结构（18）的阵列限定的密度，所述半球金属结构在所述柱的形成期间在蚀刻以去除衬底材料向下到所述下表面的期间用作掩模。所述柱是密集且均匀的并且包括微米级平均直径。所述球被形成为用于其它应用的独立的金属球或纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN105762235A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610187485.9
申请日：2012-08-29
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/035227 , C03C15/00 , C03C17/06 , C03C2218/34 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/056 , H01L31/075 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02E10/548 , Y10S438/945 , Y10S977/773 , Y10S977/779 , Y10T428/12014 , Y10T428/12069 , Y10T428/12076 , Y10T428/24479 , Y10T428/24488 , Y10T428/2982 , H01L31/20 , H01L31/042 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及金属纳米球和微球的形成。形成了半球(18)和球(28)并且将它们用于多种应用。半球(18)用于形成具有上表面和下表面的衬底(12)。所述上表面包括具有附着到所述下表面的基底的柱(10)的峰。所述峰具有在所述上表面处由半球金属结构(18)的阵列限定的密度，所述半球金属结构在所述柱的形成期间在蚀刻以去除衬底材料向下到所述下表面的期间用作掩模。所述柱是密集且均匀的并且包括微米级平均直径。所述球被形成为用于其它应用的独立的金属球或纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN103765622B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201280041548.X
申请日：2012-08-29
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： H01L31/035227 , C03C15/00 , C03C17/06 , C03C2218/34 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/056 , H01L31/075 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02E10/548 , Y10S438/945 , Y10S977/773 , Y10S977/779 , Y10T428/12014 , Y10T428/12069 , Y10T428/12076 , Y10T428/24479 , Y10T428/24488 , Y10T428/2982
摘要： 形成了半球（18）和球（28）并且将它们用于多种应用。半球（18）用于形成具有上表面和下表面的衬底（12）。所述上表面包括具有附着到所述下表面的基底的柱（10）的峰。所述峰具有在所述上表面处由半球金属结构（18）的阵列限定的密度，所述半球金属结构在所述柱的形成期间在蚀刻以去除衬底材料向下到所述下表面的期间用作掩模。所述柱是密集且均匀的并且包括微米级平均直径。所述球被形成为用于其它应用的独立的金属球或纳米颗粒。
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