公开(公告)号：CN108010973A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711259294.X

申请日：2017-12-04

申请人： 河北工业大学

发明人： 谷书辉 ,  李宁 ,  任丙彦 ,  刘彩池

IPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L31/032 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/0376 ,  C23C14/083 ,  C23C14/35 ,  H01L31/032

摘要： 本发明为一种低缺陷密度非晶氧化钼空穴传输层的制备方法。该方法包括以下步骤：(1)将氧化钼陶瓷靶置于射频磁控溅射设备中；(2)再将太阳能电池衬底放入磁控溅射室，抽真空；(3)向磁控溅射室内通入混合气体，使磁控溅射室的工作压强为0-2Pa；所述混合气体氧气和氩气；(4)给衬底加热，将衬底温度稳定到50-250℃，沉积时间为20-60min，得到非晶氧化钼空穴传输层。本发明步骤简单，生长速率可控，并且重复性好；通过调整氧气及氩气的流量比就可实现低缺陷密度非晶氧化钼空穴传输层的制备，从而使其更好的应用在器件上。

公开(公告)号：CN103503158B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201280014082.4

申请日：2012-03-22

申请人： 赛腾高新技术公司

发明人： 兹比格卢·库茨尼奇 ,  帕特里克·梅里埃斯

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035254 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/26 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035245 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03845 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的目的是降低并且优选地消除载流子收集界限效应，以便显著提高转换效率。这一改进通过对非晶态层厚度进行适当的调整而实现，或者通过非连续性地分隔非晶态化粒子束或者非晶态化纳米级球状来实现。

公开(公告)号：CN104303318B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201380025381.2

申请日：2013-04-29

申请人： 国际商业机器公司 ,  埃及纳米技术中心

发明人： N·D·阿费菲 ,  W·安德瑞奥尼 ,  A·库里奥尼 ,  P·霍姆亚科维 ,  金志焕 ,  D·K·萨达纳

IPC分类号： H01L31/0376

CPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/02168 ,  Y02E10/52

摘要： 公开了一种光伏器件(10a?e)，包括：作为非晶半导体材料的光吸收材料(34、35)；以及具有给定阻带的带阻滤光器结构(20)，相对于光吸收材料设置结构以衰减到达光吸收材料并且具有在阻带内角频率ω*的电磁辐射，其中阻带对应于从非晶材料的价带尾(VBT)状态至非晶材料的导带尾(CBT)状态的电子激发

公开(公告)号：CN105679846A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510856132.9

申请日：2015-11-30

申请人： 夏普株式会社

发明人： 原田真臣 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  邹柳民

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/022425

摘要： 本发明提供一种光电转换装置，即使减小n型半导体层上的电极与p型半导体层上的电极的间隔，pn结也不易短路。光电转换装置具备在半导体基板(101)的背面形成的n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)。另外，在n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)中的至少一个半导体层上，形成相间隔地配置的多个电极(103)。在多个电极(103)的表面形成导电部(302)，通过导电部(302)将多个电极(103)电连接。

公开(公告)号：CN105449019A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510602894.6

申请日：2015-09-21

申请人： 株式会社东芝

发明人： 中川直之 ,  芝崎聪一郎 ,  平贺广贵 ,  齐藤仁美 ,  山崎六月 ,  山本和重 ,  樱田新哉 ,  稻叶道彦

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/043 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/036 ,  H01L31/042 ,  H01L31/1876

摘要： 实施方式的目的在于提高光电转换元件的剥离耐性。实施方式涉及光电转换元件、太阳能电池以及光电转换元件的制造方法。所述光电转换元件至少具有基板、在基板上具有电极层和界面中间层的下部电极、以及在界面中间层上形成的光吸收层；界面中间层是由电极层中含有的Mo或者W、和选自S、Se以及Te之中的至少1种元素X构成的化合物薄膜；在界面中间层中，具有结晶相和覆盖结晶相的非晶相。

公开(公告)号：CN104272473A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380024285.6

申请日：2013-05-10

申请人： TEL太阳能公司

发明人： 沙维尔·马尔顿 ,  丹尼尔·博雷洛 ,  斯特凡诺·贝纳利 ,  约翰内斯·迈耶 ,  乌尔里希·克罗尔 ,  玛丽安娜·费乔鲁-莫拉留

IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/02327 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明描述了一种具有高的抗光致衰退性的太阳能装置。设置在p掺杂半导体层与本征半导体层之间的宽光学带隙界面层通过含氢等离子体处理而成为抗光致衰退的。在一个实施方案中，p-i-n结构形成为在p/i界面处具有界面层。可选地，在本征层与n掺杂层之间形成有经含氢等离子体处理的另外的界面层。可替代地，在沉积n掺杂半导体层之前使用含氢等离子体处理本征层的上部。界面层还可应用于具有多个p-i-n结构的多结太阳能电池。p掺杂层和n掺杂层可选地可以包括不同组成和不同形态(例如，微晶或非晶)的子层。整体结构既表现出对于光致衰退的增加的稳定性又表现出提高的性能水平。

公开(公告)号：CN103765622A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280041548.X

申请日：2012-08-29

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·J·洪 ,  郑宇植 ,  金志焕 ,  罗载雄 ,  D·K·萨达那

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L31/035227 ,  C03C15/00 ,  C03C17/06 ,  C03C2218/34 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/548 ,  Y10S438/945 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/779 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/12069 ,  Y10T428/12076 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/2982

摘要： 形成了半球（18）和球（28）并且将它们用于多种应用。半球（18）用于形成具有上表面和下表面的衬底（12）。所述上表面包括具有附着到所述下表面的基底的柱（10）的峰。所述峰具有在所述上表面处由半球金属结构（18）的阵列限定的密度，所述半球金属结构在所述柱的形成期间在蚀刻以去除衬底材料向下到所述下表面的期间用作掩模。所述柱是密集且均匀的并且包括微米级平均直径。所述球被形成为用于其它应用的独立的金属球或纳米颗粒。

公开(公告)号：CN108963027A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710360774.9

申请日：2017-05-19

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 崔书娟 ,  梅增霞 ,  张永晖 ,  梁会力 ,  杜小龙

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/095 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法和应用，所述日盲紫外探测器包括衬底、沉积在所述衬底表面的非晶Ga2O3有源层以及设置在所述非晶Ga2O3有源层表面的电极，其特征在于，所述日盲紫外探测器的响应速度小于1秒。其制备方法包括在沉积过程中向真空腔内通入氧气。本发明通过微氧流量调控的方法，在薄膜生长时引入微量的高纯氧气，意外地使得器件的响应速度得到了大幅的提升，最快可达19.1μs，这是至今为止报道的Ga2O3日盲探测器最快的响应速度。

公开(公告)号：CN105679846B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201510856132.9

申请日：2015-11-30

申请人： 夏普株式会社

发明人： 原田真臣 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  邹柳民

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供一种光电转换装置，即使减小n型半导体层上的电极与p型半导体层上的电极的间隔，pn结也不易短路。光电转换装置具备在半导体基板(101)的背面形成的n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)。另外，在n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)中的至少一个半导体层上，形成相间隔地配置的多个电极(103)。在多个电极(103)的表面形成导电部(302)，通过导电部(302)将多个电极(103)电连接。

公开(公告)号：CN102074599B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201010540778.3

申请日：2010-09-07

申请人： LG电子株式会社

发明人： 崔元硕 ,  池光善 ,  李宪民 ,  慎熩祯 ,  崔正薰 ,  梁贤真

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明公开了太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的第一杂质，并且由晶体半导体形成；第一场区，其位于所述基板的入射表面上，并且包含第二导电类型的第二杂质；射极区，其包含第三导电类型的第三杂质，由非晶半导体形成，并且位于所述基板的与该基板的所述入射表面相对的非入射表面上；第一电极，其电连接到所述射极区；以及第二电极，其电连接到所述基板。