公开(公告)号：CN106062973B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201580012504.8

申请日：2015-04-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  菅沼利人 ,  辻埜和也 ,  国吉督章 ,  神川刚

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。

公开(公告)号：CN107710420B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201680035963.2

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。

公开(公告)号：CN108028290B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201680052868.3

申请日：2016-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 国吉督章 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0747

Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。

公开(公告)号：CN103210494A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180054303.6

申请日：2011-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 国吉督章

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/146

CPC classification number: G02F1/133345 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2201/34 ,  G02F2203/02 ,  G02F2203/055 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869

Abstract: 薄膜晶体管基板(20a)包括：绝缘基板(10a)；设置在绝缘基板(10a)上、具有沟道区域(C)的半导体层(13a)；和设置在沟道区域(C)的沟道保护层(25)。沟道保护层(25)由第一绝缘膜和第二绝缘膜交替地叠层而得的叠层膜形成，在设第一绝缘膜的折射率为Ra、第二绝缘膜的折射率为Rb的情况下，Rb/Ra≥1.3的关系成立。

公开(公告)号：CN102822777A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180016744.7

申请日：2011-03-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福山惠一 ,  木村知洋 ,  国吉督章

IPC: G06F3/041 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02F1/13338 ,  G06F3/0414 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明的液晶显示装置（100）包括：具有第一主表面的玻璃基板（140）；与玻璃基板（140）隔开间隔配置的玻璃基板（156）；填充在玻璃基板（156）与玻璃基板（140）之间的液晶层（160）；形成在第一主表面上的开关元件；配置在第一主表面与第二主表面之间的下部电极（172）；与下部电极（172）隔开间隔配置在比下部电极（172）更靠第二主表面侧的位置，并且以与下部电极（172）相对的方式配置的上部电极（171）；和能够检测由上部电极（171）和下部电极（172）规定的电信号的检测部，该液晶显示装置（100）中，通过按压玻璃基板（156），上部电极（171）和下部电极（172）中的至少一方能够沿另一方变形。

公开(公告)号：CN107532289B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201680022950.1

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  神川刚 ,  原田真臣 ,  国吉督章 ,  邹柳民

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

Abstract: 在基板形成薄膜的成膜方法，具有紧贴工序、外力去除工序及成膜工序。紧贴工序(工序B)将紧贴用部件(31)以接触于基板(30)的一面的方式重叠，在向基板(30)与紧贴用部件(31)重合的方向施加外力的状态下，将基板(30)与紧贴用部件(31)置于真空下。外力去除工序(工序C)在大气压下或真空下将外力去除。成膜工序(工序E)在基板(30)的一面或另一面上形成薄膜。

公开(公告)号：CN108028290A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052868.3

申请日：2016-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 国吉督章 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0747

Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。

公开(公告)号：CN107667435A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201680028567.7

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/075

Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。

公开(公告)号：CN107532289A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680022950.1

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  神川刚 ,  原田真臣 ,  国吉督章 ,  邹柳民

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

Abstract: 在基板形成薄膜的成膜方法，具有紧贴工序、外力去除工序及成膜工序。紧贴工序(工序B)将紧贴用部件(31)以接触于基板(30)的一面的方式重叠，在向基板(30)与紧贴用部件(31)重合的方向施加外力的状态下，将基板(30)与紧贴用部件(31)置于真空下。外力去除工序(工序C)在大气压下或真空下将外力去除。成膜工序(工序E)在基板(30)的一面或另一面上形成薄膜。

公开(公告)号：CN105679846B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201510856132.9

申请日：2015-11-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，即使减小n型半导体层上的电极与p型半导体层上的电极的间隔，pn结也不易短路。光电转换装置具备在半导体基板(101)的背面形成的n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)。另外，在n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)中的至少一个半导体层上，形成相间隔地配置的多个电极(103)。在多个电极(103)的表面形成导电部(302)，通过导电部(302)将多个电极(103)电连接。