公开(公告)号：CN107667435B

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201680028567.7

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  C23C16/24

Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。

公开(公告)号：CN107710420A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680035963.2

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。

公开(公告)号：CN108028290A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052868.3

申请日：2016-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 国吉督章 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0747

Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。

公开(公告)号：CN107667435A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201680028567.7

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/075

Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。

公开(公告)号：CN106062972A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580012467.0

申请日：2015-02-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浅野直城 ,  稗田健 ,  冈本亲扶 ,  松本雄太 ,  东贤一 ,  重田博昭

IPC: H01L31/056 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种与以往相比能够提高特性和可靠性的光电转换元件和光电转换元件的制造方法。光电转换元件具备基体(10)、电极部(20)以及反射部(30)，其中所述基体(10)具有：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，设置于半导体基板(1)的一个表面的一部分；第一导电类型半导体膜(3)，设置于第一i型半导体膜(2)上；第二i型半导体膜(4)，设置于表面的另一部分；以及第二导电类型半导体膜(5)，设置于第二i型半导体膜(4)上，所述电极部(20)具有：第一电极层(21)，设置于第一导电类型半导体膜(3)上；以及第二电极层(22)，设置于第1第二导电类型半导体膜(5)上，所述反射部(30)设置于被第一电极层(21)和第二电极层(22)夹着的间隙区域(A)。

公开(公告)号：CN107710420B

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201680035963.2

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。

公开(公告)号：CN108028290B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201680052868.3

申请日：2016-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 国吉督章 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0747

Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。

公开(公告)号：CN1252815C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03142360.4

申请日：2003-06-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东贤一 ,  阿尔贝托·O·阿丹

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种要用于具有MOSFET的半导体集成电路的静电放电保护元件，包括闸流晶体管和用于将闸流晶体管触发到导通状态的触发二极管，将闸流晶体管和触发二极管形成在单一的半导体衬底中，其中，触发二极管设有n型阴极高浓度掺杂区、p型阳极高浓度掺杂区、以及在两个高浓度掺杂区之间形成的栅极，由与形成半导体集成电路的MOSFET的栅极的材料相同的材料构成所述栅极，而且闸流晶体管具有形成阴极的p型高浓度掺杂区和形成阳极的n型高浓度掺杂区，以及在p型阱中设有p型高浓度掺杂区，并通过电阻与导线相连，和/或在n型阱中设有n型高浓度掺杂区，并通过电阻与导线相连，触发二极管的n型阴极高浓度掺杂区和闸流晶体管的n型高浓度掺杂区通过n型阱彼此相连；触发二极管的p型阳极高浓度掺杂区和闸流晶体管的p型高浓度掺杂区通过p型阱彼此相连。

公开(公告)号：CN1471166A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03142360.4

申请日：2003-06-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东贤一 ,  阿尔贝托·O·阿丹

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种要用于具有MOSFET的半导体集成电路的静电放电保护元件，包括闸流晶体管和用于将闸流晶体管触发到导通状态的触发二极管，其中，触发二极管设有n型阴极高浓度掺杂区、p型阳极高浓度掺杂区、以及在两个高浓度掺杂区之间形成的栅极，由与形成半导体集成电路的MOSFET的栅极的材料相同的材料构成所述栅极，而且闸流晶体管具有形成阴极的p型高浓度掺杂区和形成阳极的n型高浓度掺杂区，以及在p型阱中设有p型高浓度掺杂区，并与电阻相连，和/或在n型阱中设有n型高浓度掺杂区，并与电阻相连。