公开(公告)号：CN105324856B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201480034918.6

申请日：2014-06-20

Applicant: 俄克拉荷马大学董事会

Inventor： Z·史 ,  J·丘 ,  B·翁

IPC: H01L31/108 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L27/14665 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/108 ,  H01L31/109

Abstract: 一种红外(IR)光伏(PV)检测器，包括在衬底上设置的IV‑VI铅(Pb)盐层，与该IV‑VI Pb盐层相关联的电荷分离结(CSJ)结构，其中该CSJ结构包括设置在该IV‑VI Pb盐层上或内的多个元素区域，其中所述多个元素区域彼此间隔开。每个元素区域可连接到第一欧姆接触，从而形成多个互相连接的第一欧姆接触，以及第二欧姆接触可设置在该IV‑VI Pb盐层的部分上。在另一个实施例中，一种PV检测器，其包括异质结区，该异质结区包括耦合到至少一个非Pb盐层的至少一个IV‑VI铅Pb盐材料层，其中至少一个IV‑VI Pb盐层和至少一个非Pb盐层形成具有II型带隙对准的p‑n结或肖特基结。

公开(公告)号：CN102625953B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201080037509.3

申请日：2010-07-09

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 邵锐 ,  马克思·格鲁克勒尔 ,  边雅敏·布鲁尔

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种对太阳能电池前接触件掺杂的方法可以提高基于CdTe的或其它类型的太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN104521006A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201380032810.9

申请日：2013-06-19

Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

Inventor： J·帕尔姆 ,  S·波尔纳 ,  T·哈普 ,  T·达利博尔 ,  S·约斯特 ,  R·迪特米勒

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及薄层太阳能电池(100)和太阳板模块的层系统(1)，包括：-吸收层(4)，其含有硫族化合物半导体，和-缓冲层(5)，其布置在吸收层(4)上并且含有富含卤素的InxSy，其中2/3≤x/y≤1，其中缓冲层(5)由与吸收层(4)接界的具有卤素材料量份额A1的第一层区域(5.1)和与第一层区域(5.1)接界的具有卤素材料量份额A2的第二层区域(5.2)组成，并且比例A1/A2≥2，并且第一层区域(5.1)的层厚(d1)小于等于缓冲层(5)的层厚(d)的50％。

公开(公告)号：CN103348488A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180056075.6

申请日：2011-09-22

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 邵锐 ,  马库思·格鲁克勒尔 ,  本雅明·布勒

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/073 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/02966 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/072 ,  H01L31/073 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明描述了光伏装置和基底结构的装置和方法。在一个实施例中，光伏装置包括基底和形成在基底上方的MS1-XOX窗口层，其中，M是由Zn、Sn和In组成的组中的元素。另一实施例意在一种制造光伏装置的工艺，所述制造光伏装置的工艺包括通过溅射、蒸发沉积、CVD、化学浴沉积工艺和气相传输沉积工艺中的至少一种在基底上方形成MS1-XOX窗口层，其中，M是由Zn、Sn和In组成的组中的元素。

公开(公告)号：CN102652368A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080056028.7

申请日：2010-11-08

Applicant: 韩国能源技术研究院

Inventor： 尹载浩 ,  尹庆勋 ,  安世镇 ,  郭智惠 ,  申基植 ,  金圭镐 ,  金镇赫

IPC: H01L31/052

CPC classification number: H01L31/20 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C23C14/0623 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明涉及太阳能电池中使用的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法，更确切地说，涉及应用在太阳能电池中，具有低制造成本、高转换效率的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN109564927A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780046664.3

申请日：2017-07-27

Applicant: 特里纳米克斯股份有限公司

Inventor： W·赫尔梅斯 ,  S·瓦鲁施 ,  R·森德 ,  I·布鲁德 ,  B·福伊尔施泰因

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  G01S7/481 ,  G01S17/46

CPC classification number: H01L31/095 ,  G01S7/4816 ,  G01S17/46 ,  G01S17/48 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14667 ,  H01L31/02016 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/09 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光学传感器、光学检测至少一个对象的包括光学传感器的检测器、制造光学传感器的方法以及光学传感器和检测器的各种用途。此外，本发明涉及人机接口、娱乐装置、扫描系统、跟踪系统、立体系统和相机。光学传感器(110)包括至少一个光电导材料(114)的层(112)、接触光电导材料(114)的层(112)的至少两个个体电接触(136、136')、以及沉积在光电导材料(114)的层(112)上的覆盖层(116)，其中覆盖层(116)是包括至少一种包含金属的化合物(120)的非晶层。光学传感器(110)可作为不笨重的气密封装提供，然而，该封装提供高度保护以防止湿气和/或氧气引起的可能劣化。而且，覆盖层(116)能够激活光电导材料(114)，这导致光学传感器(110)的性能提高。此外，光学传感器(110)可容易地制造并集成在电路载体装置上。

公开(公告)号：CN108140677A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201580082903.1

申请日：2015-09-24

Applicant: 丰田自动车欧洲公司 ,  多伦多大学管理委员会

Inventor： S·金格 ,  J·徐 ,  B·萨瑟兰 ,  S·胡格兰德 ,  E·萨金特

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L31/035227 ,  H01L51/4233 ,  Y02E10/549

Abstract: PIN型红外光电二极管(10)，包括第一电极(14)、n型半导体、原子层沉积硫化铅涂层(24)、p型半导体(18)和第二电极(20)，其中所述n型半导体包含共形涂覆有所述原子层沉积硫化铅涂层(24)的纳米线(16)。一种制造PIN型红外光电二极管(10)的方法。

公开(公告)号：CN108137323A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680055000.9

申请日：2016-07-28

Applicant: 奈科斯多特股份公司

Inventor： 伊曼纽尔·吕利耶

IPC: C01B17/00 ,  C01B19/00 ,  C30B29/46 ,  G01J5/02 ,  G01J5/20 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/101

CPC classification number: C01B19/007 ,  C01G28/008 ,  C01G30/008 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C30B29/46 ,  G01J5/0853 ,  G01J5/20 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明涉及涂覆有多个有机和多个无机配体的多个金属硫属元素化物纳米晶体；其中所述金属选自Hg、Pb、Sn、Cd、Bi、Sb或其混合物；并且所述硫属元素选自S、Se、Te或其混合物；其中所述多个无机配体包括选自S2-、HS-、Se2-、Te2-、OH-、BF4-、PF6-、Cl-、Br-、I-、As2Se3、Sb2S3、Sb2Te3、Sb2Se3、As2S3或其混合物中的至少一种无机配体；其中相对于金属硫属元素化物纳米晶体的吸收，所述有机配体的C-H键的吸收低于50％，优选低于20％。

公开(公告)号：CN107452821A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710561987.8

申请日：2017-07-11

Applicant: 浙江大学

Inventor： 潘新花 ,  王伟豪 ,  吕斌 ,  叶志镇

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/113 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO2绝缘层、SnO/Ag核壳结构纳米线沟道层和Au电极。其制备方法是先采用一步水热法合成SnO/Ag核壳结构纳米线，再采用溶剂蒸发法制备纳米线沟道，将器件退火后镀上Au电极完成该器件的制作。本发明通过SnO/Ag核壳结构形成肖特基结，当晶体管处于关态时限制载流子的注入，从而抑制晶体管的暗电流；由于沟道材料内部核心是金属Ag，当晶体管处于开态时，可以获得很高的场效应迁移率，提高晶体管的工作响应速度。同时该器件对360nm的紫外光具有响应。该光电薄膜晶体管器件在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN105789353B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410825949.5

申请日：2014-12-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志力

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03365 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种方法包括：在光伏器件的吸收层上方形成缓冲层；以及在形成缓冲层的步骤之后非本征地掺杂缓冲层。本发明涉及具有掺杂缓冲层的太阳能电池和制造太阳能电池的方法。