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公开(公告)号：CN106601858B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201611046887.3
申请日：2016-11-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0328 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米ZnO‑rGO复合材料的光电导型紫外探测器，该紫外探测器依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、纳米ZnO‑rGO旋涂层和Al电极。其制备方法如下：先采用溶剂热法制备ZnO纳米颗粒，用APTES对ZnO纳米颗粒进行表面改性，再用水热法制备ZnO‑rGO复合物，然后将复合物溶液旋涂在Si/SiO2的SiO2面上，再在旋凃层表面镀上Al电极获得紫外探测器。相比基于纳米ZnO的紫外探测器，本发明的紫外探测器暗电流低，光电流、响应度、灵敏度都得到较大提升，且该方法制备的器件结构简单、方法简单易行、成本低、适合大面积制备，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值和良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110299423B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910539140.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种p型二维合金化合物半导体光电场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管依次有低阻Si、SiO2绝缘层、SnSxO1‑x(0
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公开(公告)号：CN110299423A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910539140.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种p型二维合金化合物半导体光电场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管依次有低阻Si、SiO2绝缘层、SnSxO1-x(0
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公开(公告)号：CN107452821B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201710561987.8
申请日：2017-07-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO2绝缘层、SnO/Ag核壳结构纳米线沟道层和Au电极。其制备方法是先采用一步水热法合成SnO/Ag核壳结构纳米线，再采用溶剂蒸发法制备纳米线沟道，将器件退火后镀上Au电极完成该器件的制作。本发明通过SnO/Ag核壳结构形成肖特基结，当晶体管处于关态时限制载流子的注入，从而抑制晶体管的暗电流；由于沟道材料内部核心是金属Ag，当晶体管处于开态时，可以获得很高的场效应迁移率，提高晶体管的工作响应速度。同时该器件对360nm的紫外光具有响应。该光电薄膜晶体管器件在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN106057908B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610565701.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/227 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种Ag纳米线和ZnO纳米晶复合沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO2绝缘层、Ag纳米线层、ZnO纳米晶层和Al电极。其制备方法如下：先采用浸渍提拉镀膜技术在Si/SiO2上制备Ag纳米线，再在Ag纳米线上旋涂ZnO纳米晶的分散相，退火后镀上Al电极完成该器件的制作。该器件退火后Ag纳米线中部分Ag扩散进入ZnO中取代Zn的晶格位置，使ZnO转变为p型导电，形成p型TFTs器件；同时该器件对365nm的紫外光具有响应。因此，该TFT不仅可以通过栅压调控，还可通过紫外光控制其开关。本发明在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452821A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710561987.8
申请日：2017-07-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/113 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0324 , H01L31/035281 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO2绝缘层、SnO/Ag核壳结构纳米线沟道层和Au电极。其制备方法是先采用一步水热法合成SnO/Ag核壳结构纳米线，再采用溶剂蒸发法制备纳米线沟道，将器件退火后镀上Au电极完成该器件的制作。本发明通过SnO/Ag核壳结构形成肖特基结，当晶体管处于关态时限制载流子的注入，从而抑制晶体管的暗电流；由于沟道材料内部核心是金属Ag，当晶体管处于开态时，可以获得很高的场效应迁移率，提高晶体管的工作响应速度。同时该器件对360nm的紫外光具有响应。该光电薄膜晶体管器件在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN106601858A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611046887.3
申请日：2016-11-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0328 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/0328 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米ZnO‑rGO复合材料的光电导型紫外探测器，该紫外探测器依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、纳米ZnO‑rGO旋涂层和Al电极。其制备方法如下：先采用溶剂热法制备ZnO纳米颗粒，用APTES对ZnO纳米颗粒进行表面改性，再用水热法制备ZnO‑rGO复合物，然后将复合物溶液旋涂在Si/SiO2的SiO2面上，再在旋凃层表面镀上Al电极获得紫外探测器。相比基于纳米ZnO的紫外探测器，本发明的紫外探测器暗电流低，光电流、响应度、灵敏度都得到较大提升，且该方法制备的器件结构简单、方法简单易行、成本低、适合大面积制备，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值和良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106057908A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610565701.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/227 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/227 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种Ag纳米线和ZnO纳米晶复合沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO2绝缘层、Ag纳米线层、ZnO纳米晶层和Al电极。其制备方法如下：先采用浸渍提拉镀膜技术在Si/SiO2上制备Ag纳米线，再在Ag纳米线上旋涂ZnO纳米晶的分散相，退火后镀上Al电极完成该器件的制作。该器件退火后Ag纳米线中部分Ag扩散进入ZnO中取代Zn的晶格位置，使ZnO转变为p型导电，形成p型TFTs器件；同时该器件对365nm的紫外光具有响应。因此，该TFT不仅可以通过栅压调控，还可通过紫外光控制其开关。本发明在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN105655442B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610018728.6
申请日：2016-01-12
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法，该紫外探测器自下而上依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、ZnO纳米晶层和Au电极。其制备方法如下：先制备ZnO纳米晶的胶体分散相，然后将胶体分散相旋涂在Si/SiO2的SiO2面上，旋涂并退火，最后镀上Au电极完成紫外探测器的制作。相比于传统的紫外探测器，此方法制备的紫外探测器暗电流低、响应灵敏度高、响应时间快，且结构简单、制备成本低，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN105655442A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610018728.6
申请日：2016-01-12
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1836 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法，该紫外探测器自下而上依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、ZnO纳米晶层和Au电极。其制备方法如下：先制备ZnO纳米晶的胶体分散相，然后将胶体分散相旋涂在Si/SiO2的SiO2面上，旋涂并退火，最后镀上Au电极完成紫外探测器的制作。相比于传统的紫外探测器，此方法制备的紫外探测器暗电流低、响应灵敏度高、响应时间快，且结构简单、制备成本低，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值。
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