公开(公告)号：CN107195729A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710495199.3

申请日：2017-06-26

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 孙云飞 ,  班建民 ,  陶重犇 ,  刘传洋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/113 ,  G01J1/42

CPC classification number: H01L31/1848 ,  G01J1/42 ,  H01L31/113 ,  H01L31/1852

Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种用于太赫兹波探测的器件及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。

公开(公告)号：CN100466276C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510097492.1

申请日：2005-12-28

Applicant: 东部亚南半导体株式会社

Inventor： 金昇炫

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/772 ,  H01L21/822 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L31/113 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种具有晶体管的CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括半导体衬底；形成在半导体衬底上的晶体管的栅电极；以及非晶硅层，形成为栅电极的一部分，从而防止栅电极下的通道区被杂质离子掺杂。

公开(公告)号：CN107452821A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710561987.8

申请日：2017-07-11

Applicant: 浙江大学

Inventor： 潘新花 ,  王伟豪 ,  吕斌 ,  叶志镇

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/113 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO2绝缘层、SnO/Ag核壳结构纳米线沟道层和Au电极。其制备方法是先采用一步水热法合成SnO/Ag核壳结构纳米线，再采用溶剂蒸发法制备纳米线沟道，将器件退火后镀上Au电极完成该器件的制作。本发明通过SnO/Ag核壳结构形成肖特基结，当晶体管处于关态时限制载流子的注入，从而抑制晶体管的暗电流；由于沟道材料内部核心是金属Ag，当晶体管处于开态时，可以获得很高的场效应迁移率，提高晶体管的工作响应速度。同时该器件对360nm的紫外光具有响应。该光电薄膜晶体管器件在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN105264672B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201480031813.5

申请日：2014-03-28

Applicant: 诺基亚技术有限公司

Inventor： A·科利

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/112

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/1016 ,  H01L31/112 ,  H01L31/113 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种设备包括石墨烯膜(220)；作为第一单分子层的被定位与石墨烯膜(220)接触的第一类型的量子点(230)的第一布置；作为第二单分子层的被定位与石墨烯膜(220)接触的第二类型的量子点(230)的第二布置；连接至石墨烯膜(220)的末端的输入电压源(Vdd)以及在量子点(230)的第一布置和量子点(230)的第二布置之间连接至石墨烯膜(220)的输出电压探头(260)。

公开(公告)号：CN106531751A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610133422.5

申请日：2016-03-09

Applicant: 义明科技股份有限公司

Inventor： 张鸿德 ,  吴高彬

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L31/02 ,  H01L31/113 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14603

Abstract: 一种互补式金氧半导体深度感测器元件及其感测方法，该深度感测器元件于一基板的一感光区域中形成有一感光栅极，该感光栅极的两相对侧分别间隔形成有一第一及第二传送栅极，又该基板上对应该第一及第二传送栅极的外侧分别间隔形成有一第一及第二浮接掺杂区；其中该第一及第二浮接掺杂区的杂质极性与该半导体区的杂质极性相异；由于该感光栅极与该第一及第二传送栅极下方共用相同半导体区，其间未有与该半导体区杂质极性相异的杂质掺杂于其中，故本发明的深度感测器元件的感光栅极于受光后激发出的多数载子不以扩散方式，而改以漂移方式传送至该第一或第二传送栅极。本发明还公开了一种深度感测器元件的感测方法。

公开(公告)号：CN102997944B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201210328798.3

申请日：2012-09-07

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·D·豪尔 ,  M·D·施洛夫

IPC: G01D5/24 ,  G01T1/00 ,  G01T1/02 ,  G01J1/42

CPC classification number: H01L31/119 ,  G01J5/34 ,  G01S3/783 ,  G01T1/24 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/113

Abstract: 本发明涉及入射电容式传感器，公开了用于测量辐射的电容式传感器器件。所述器件包括两个传感器区域（108，109）以及顶板结构（203）。所述传感器区域具有当辐射入射到其时产生电子‑空穴对的材料。分离区域位于所述两个传感器区域之间。传感器区域与顶板结构之间的所述电容取决于入射到所述传感器区域的辐射。阻挡结构选择性地并且区别性地阻挡来自传感器区域具有一个范围中的参数值的辐射，以便在选定的辐射入射角下相对于其它传感器区域的电子‑空穴对的产生区别性地影响一个传感器区域的电子‑空穴对的产生。

公开(公告)号：CN103681940A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310580576.5

申请日：2013-11-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 林时胜 ,  李文渊 ,  张金石

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/113 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035236

Abstract: 本发明公开的二硫化钼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层，n=1-4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有ZnO量子点层，ZnO量子点层中的ZnO量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从二硫化钼晶体上剥离的二硫化钼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在二硫化钼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备ZnO量子点溶液；将ZnO量子点溶液涂覆到二块金电极之间的二硫化钼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。

公开(公告)号：CN102997944A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210328798.3

申请日：2012-09-07

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·D·豪尔 ,  M·D·施洛夫

IPC: G01D5/24 ,  G01T1/00 ,  G01T1/02 ,  G01J1/42

CPC classification number: H01L31/119 ,  G01J5/34 ,  G01S3/783 ,  G01T1/24 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/113

Abstract: 本发明涉及入射电容式传感器，公开了用于测量辐射的电容式传感器器件。所述器件包括两个传感器区域（108，109）以及顶板结构（203）。所述传感器区域具有当辐射入射到其时产生电子-空穴对的材料。分离区域位于所述两个传感器区域之间。传感器区域与顶板结构之间的所述电容取决于入射到所述传感器区域的辐射。阻挡结构选择性地并且区别性地阻挡来自传感器区域具有一个范围中的参数值的辐射，以便在选定的辐射入射角下相对于其它传感器区域的电子-空穴对的产生区别性地影响一个传感器区域的电子-空穴对的产生。

公开(公告)号：CN1168146C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN01125065.8

申请日：2001-08-03

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 饭浜智美

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14678 ,  H01L31/113

Abstract: 本发明提供一种2维图像读取装置，其可以将放置在光电传感器装置上的被检测体所带的静电进行放电，由此大幅控制读取误动作和设备的损坏。其用于读取被检测体图像的，包括：排列在衬底一侧的多个传感器；设置成覆盖上述多个传感器的绝缘膜；及用于给上述被检测体的带电电压进行放电，设置在上述绝缘膜上的导电层；其特征在于，还具有设置在上述导电层上的缓冲层；上述缓冲层，具有由真性非晶质硅、含有从不纯物质的非晶质硅、氮化硅、氧化硅、金刚石、绝缘高分子或者导电高分子中选择出的材料。

公开(公告)号：CN108987344A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711112249.1

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡劲

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/02019 ,  H01G4/018 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/6659 ,  H01L31/113 ,  H01L33/0041

Abstract: 本发明实施例公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收半导体衬底和从半导体衬底延伸的鳍；形成共形地覆盖鳍的多个介电层，该多个介电层包括具有第一类型的净固定电荷的第一带电介电层和具有第二类型的净固定电荷的第二带电介电层，第二类型的电荷与第一类型的电荷相反，第一类型的电荷具有第一表层密度，并且第二类型的电荷具有第二表层密度，第一带电介电层插接在鳍和第二带电介电层之间；图案化多个介电层，从而暴露鳍的第一部分，其中，鳍的第二部分被第一带电介电层的至少部分围绕；并且形成接合鳍的第一部分的栅极结构。本发明实施例涉及用于FinFET器件的方法和结构。