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公开(公告)号：CN116404396B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310584890.4
申请日：2023-05-23
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01Q1/22
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体为一种用于太赫兹探测器的天线组件，包括基于GaNHEMT器件的处理芯片和天线，GaNHEMT的处理芯片和天线场耦合连接；其中，天线包括源极天线、漏极天线和栅极天线，所述源极天线和漏极天线设置在栅极两侧且对称，且栅极天线连接栅极向所述源极天线或漏极天线一侧延伸；所述源极天线和漏极天线长为38‑58微米，宽均为4‑19微米，中间栅极长200‑900纳米，中间栅极距源极天线和漏极天线的间距均为200‑650纳米；通过本发明天线组件实现在室温下提升探测器灵敏度一个数量级，室温下噪声等效功率达8pW/Hz0.5以下；将天线组件与超半球硅透镜或者喇叭直波导集成，提升太赫兹波的吸收率，灵敏度得到提升。
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公开(公告)号：CN113809151A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110908334.9
申请日：2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供基于GaN‑HEMT的增强型器件的制备方法，包括：形成硅基GaN外延片，从下到上依次包括P型衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AIN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；采用刻蚀工艺以实现凹槽栅结构；生成刻蚀界面的保护层；制作源电极、漏电极及栅电极。本发明通过数字式ICP刻蚀工艺实现精确刻蚀凹槽栅的深度，并通过刻蚀槽终端提高器件的平均电场强度并增大击穿电压。刻蚀过程中严格控制各工作参数，得到更好的刻蚀效果，并在刻蚀后生成保护层，保证样品表面的粗糙度良好，抑制器件的退化。最后，通过在制作源电极和漏电极的欧姆接触时，取缔常用的Au，而通过合适的厚度及温度、时间，实现低温无金的制作方法，降低了成本。
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公开(公告)号：CN113794399A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110907593.X
申请日：2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明提供一种柔性可穿戴的摩擦纳米发电机，包括经线和纬线，经线和纬线通过编织的方法制备织物；经线包括第一电极和第一摩擦材料；纬线包括第二电极和第二摩擦材料；当外力作用于摩擦纳米发电机时，经线中的第一摩擦材料与纬线中的第二摩擦材料接触摩擦，在二者表面产生电势差。本发明第一摩擦材料采用适合人体穿戴的硅胶膜，且硅胶膜不受湿度影响，更适宜穿戴；且在硅胶中加入钛酸钡纳米线，提高介电常数，尤其是添加改性后的钛酸钡纳米线后，不仅能够提高介电性能，还能提高击穿强度；同时，第二摩擦材料采用聚氨酯丙烯酸酯、银纳米纤维、液态金属球组成复合薄膜，相对于传统的PVDF、PDMS等材料，其拉伸率大大提高，更适宜穿戴。
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公开(公告)号：CN113750652A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110908290.X
申请日：2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于PM2.5的石墨烯复合抗菌净化材料，由以下重量份的原料制备而成：石墨烯20‑50份；木质素10‑15份；椰壳活性炭40‑60份；纳米二氧化钛2‑8份；甲基纤维素0.5‑3份；滑石粉0.5‑3份；去离子水400‑600份。本发明还涉及该用于PM2.5的石墨烯复合抗菌净化材料的制备方法，通过制备本发明配方的复合净化材料，能在保证充分过滤PM2.5的同时去除其他有害空气或水污染物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113620282A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110908256.2
申请日：2021-08-09
Applicant: 苏州科技大学
IPC: C01B32/192
Abstract: 本发明涉及一种制备高比表面石墨烯的方法，方法为：1)将15mg/mL强碱水溶液加入10mg/mL氧化石墨烯溶液中，混合均匀得悬浮液，强碱溶液与氧化石墨烯溶液的体积比为6:1～1:1；2)往悬浮液中加入0.1～0.4g维生素C、以及0.1g汉斯酯1,4‑二氢吡啶后，将其置于85℃～95℃的水浴锅中反应24‑30小时以得到还原后的石墨烯，干燥得固体。通过该方法制备的石墨烯比表面积大于1000m2/g，且成本低，环境友好性高。
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公开(公告)号：CN109411563B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201811052425.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种太赫兹波探测器用衬底前驱体及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到在室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN109065674A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811052424.7
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1848 , H01L31/1136
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种宽温带太赫兹波探测器用衬底前驱体及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到在超过室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的宽温带探测。
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公开(公告)号：CN108807603A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810836884.2
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , G01J1/42
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种用于太赫兹波探测的器件。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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公开(公告)号：CN107195729B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710495199.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , G01J1/42
Abstract: 本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种用于太赫兹波探测的器件及其制备方法。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气具有较高的电子浓度和迁移率，得到室温条件下对THz波实现高速、高灵敏度、高信噪比探测的波谱探测装置，最终实现对太赫兹波的探测。
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