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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681940A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310580576.5
申请日：2013-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/113 , H01L31/022408 , H01L31/0296 , H01L31/035236
Abstract: 本发明公开的二硫化钼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层，n=1-4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有ZnO量子点层，ZnO量子点层中的ZnO量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从二硫化钼晶体上剥离的二硫化钼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在二硫化钼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备ZnO量子点溶液；将ZnO量子点溶液涂覆到二块金电极之间的二硫化钼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。
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公开(公告)号：CN103682102A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310580448.0
申请日：2013-11-19
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L31/1129 , H01L31/035218 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开的石墨烯场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层石墨烯层，n=1-2、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有CdSe量子点层，CdSe量子点层中的CdSe量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从石墨烯晶体上剥离的石墨烯层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在石墨烯层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备CdSe量子点溶液；将CdSe量子点溶液涂覆到二块金电极之间的石墨烯层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。
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公开(公告)号：CN103681939A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310580655.6
申请日：2013-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1129 , H01L31/035218 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开的氮化硼-硒化镉量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层氮化硼层，n=1-8、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有CdSe量子点层，CdSe量子点层中的CdSe量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从六方氮化硼晶体上剥离的氮化硼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在氮化硼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备CdSe量子点溶液；将CdSe量子点溶液涂覆到二块金电极之间的氮化硼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。
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公开(公告)号：CN103681938A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310580322.3
申请日：2013-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1129 , H01L31/035218 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开的氮化硼-氧化锌量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层氮化硼层，n=1-8、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有ZnO量子点层，ZnO量子点层中的ZnO量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从六方氮化硼晶体上剥离的氮化硼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在氮化硼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备ZnO量子点溶液；将ZnO量子点溶液涂覆到二块金电极之间的氮化硼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。
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公开(公告)号：CN103681837A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310580317.2
申请日：2013-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/0296 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开的二硫化钼-硒化镉量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层，n=1-4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有CdSe量子点层，CdSe量子点层中的CdSe量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从二硫化钼晶体上剥离的二硫化钼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在二硫化钼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备CdSe量子点溶液；将CdSe量子点溶液涂覆到二块金电极之间的二硫化钼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。
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