公开(公告)号：CN119440009A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411575451.8

申请日：2024-11-06

Applicant: 杭州铁路设计院有限责任公司 ,  浙江大学

Inventor： 吕斌 ,  董宇 ,  陆大峰 ,  刘小明 ,  郭允丰 ,  孙华锴 ,  吴珂

IPC: G05D1/43 ,  G05D1/243 ,  G05D1/622

Abstract: 本发明属于公共安全管理研究领域，涉及一种基于视频信息的人群监管和疏散引导机器人，包括机器人本体以及搭载在机器人本体上的数据采集模块、避障模块、移动模块、烟气温度感应模块、数据分析处理模块、语音播报模块和无线模块。本发明能够基于公共场所内视频信息掌握全局情况和进行智能人群管理，本发明在平常时间监测人群情况，对可能的危险做出判断并进行预警和干涉；在事故发生时了解事故源头及人群情况，实时动态判断事故演化情况以及各个安全出口利用率，声光安抚引导人群在最优的疏散路径上向合适的安全出口疏散，为实现人群安全高效撤离提供支持。

公开(公告)号：CN117926330A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410074070.5

申请日：2024-01-18

Applicant: 浙江大学温州研究院

Inventor： 吕斌 ,  林靖雯 ,  顾尚云 ,  徐铖 ,  虞东浩 ,  吕建国 ,  叶志镇

IPC: C25B11/091 ,  B01D53/86 ,  B01D53/48 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种异质结构自支撑的硫化物催化剂的制备方法，包括：将清洗干燥的金属基底垂直放置于瓷舟中，称取磷粉、硫粉于瓷舟中，从进气口端按磷粉、硫粉、金属基底的顺序放置；瓷舟排气后，在中高温条件下保温反应，超声清洗得到样品；称取氯化锌、四水合氯化铟溶于去离子水中，搅拌后加入硫代乙酰胺，搅拌，制成反应液；将样品放入反应液中，转移至真空干燥箱内反应，将产物经后处理得到异质结构自支撑的硫化物催化剂。本发明以三维立体支撑材料作为基底，于其上原位生长异质结构活性相有助于优化电极动力学、提高材料稳定性，立体的结构有助于帮助气泡快速脱离材料表面，更适合工业上大电流密度下的应用。

公开(公告)号：CN116516394A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310297513.2

申请日：2023-03-24

Applicant: 浙江大学

Inventor： 陆赟豪 ,  王逸琪 ,  林靖雯 ,  吕斌 ,  吕建国

IPC: C25B11/081 ,  C25B11/067 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种新型二维铁电负载单原子Ag的电催化剂Ag@CIPS。通过将过渡族金属Ag负载在室温下可维持铁电极化的二维铁电材料CuIn2P2S6的表面上，制备了催化活性可随衬底极化调控的单原子催化剂Ag@CIPS。由于铁电衬底自发极化对Ag原子外层电子结构的调控，原来不具备催化活性的Ag原子在衬底的调控下表现出良好的HER活性。单层CIPS表面负载Ag后，其催化HER过程的过电位大幅下降。且随着衬底层数的增加，衬底的极化强度随之增强，表现出优异的HER性能。并且单原子Ag颗粒修饰CIPS材料后，使得其电催化析氢反应的过电位和塔菲尔斜率下降，提高了催化活性。

公开(公告)号：CN113990969A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111232033.5

申请日：2021-10-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕斌 ,  吴慧珊 ,  张涛 ,  潘新花 ,  叶志镇

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于硫化亚锡（SnS）/氧化镓（Ga2O3）异质pn结紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器的结构自下而上依次为c面蓝宝石（Al2O3）层、Ga2O3:N薄膜层、SnS薄膜层和Au/Ti电极对。该异质结结构采用脉冲激光沉积（PLD）方法制备，具体如下：在c‑Al2O3衬底上采用PLD方法制备Ga2O3:N薄膜，然后再外延一层SnS薄膜，形成SnS/Ga2O3:N异质pn结，最后在薄膜表面镀上Au/Ti电极完成异质pn结紫外探测器的制作。本发明的紫外探测器通过N2O掺杂，在Ga2O3薄膜中掺入N元素，大幅降低器件的暗电流；且制备方法简单、响应速度快。

公开(公告)号：CN107452821B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201710561987.8

申请日：2017-07-11

Applicant: 浙江大学

Inventor： 潘新花 ,  王伟豪 ,  吕斌 ,  叶志镇

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO2绝缘层、SnO/Ag核壳结构纳米线沟道层和Au电极。其制备方法是先采用一步水热法合成SnO/Ag核壳结构纳米线，再采用溶剂蒸发法制备纳米线沟道，将器件退火后镀上Au电极完成该器件的制作。本发明通过SnO/Ag核壳结构形成肖特基结，当晶体管处于关态时限制载流子的注入，从而抑制晶体管的暗电流；由于沟道材料内部核心是金属Ag，当晶体管处于开态时，可以获得很高的场效应迁移率，提高晶体管的工作响应速度。同时该器件对360nm的紫外光具有响应。该光电薄膜晶体管器件在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN107833940A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710985169.0

申请日：2017-10-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕斌 ,  徐易扬 ,  叶志镇

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于二维MoS2-ReS2异质结的光电子器件，包括：N型本证衬底层；设置于所述N型本证衬底层上的绝缘层；设置于所述绝缘层上的MoS2层和ReS2层，所述MoS2层与所述ReS2层范德瓦尔斯接触，形成MoS2-ReS2异质结；设置于所述ReS2层的第一金属过渡层，设置在所述MoS2层上的第二金属过渡层；以及，设置于所述第一过渡金属层和第二过渡金属层上的电极层；所述MoS2层为MoS2单晶层，所述ReS2层包括3～10层ReS2单晶层；所述第一金属过渡层的材料与多数第二金属过渡层的材料不同。还公开了一种制备上述光电子器件的方法。该光电子器件具有极低漏电流，高开关比，极强弱光探测性能。

公开(公告)号：CN105521809B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201610072627.7

申请日：2016-02-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 潘新花 ,  周宇嵩 ,  吕斌 ,  叶志镇

IPC: B01J27/24 ,  B01J35/00 ,  C02F1/30

Abstract: 本发明公开了一种Cu掺杂ZnO纳米棒和N掺杂还原氧化石墨烯(rGO)构成的p‑n结型Cu:ZnO/N:rGO复合光催化剂的制备方法，该催化剂由N掺杂的n型rGO包覆Cu掺杂的p型ZnO纳米棒组成。其制备方法如下：先利用水热法制备Cu掺杂的ZnO纳米棒，然后将其和氧化石墨烯(GO)利用水热还原法组装在一起形成Cu:ZnO/rGO复合光催化剂，最后对Cu:ZnO/rGO在NH3气氛下退火处理进行掺N得到Cu:ZnO/N:rGO复合光催化剂。此方法制备的光催化剂在紫外光下具有很高的光催化活性，且能抑制ZnO的光腐蚀现象，使催化剂的稳定性大大提高，在污水处理领域有重要的潜在应用价值。

公开(公告)号：CN105938761A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610158692.1

申请日：2016-03-21

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕斌 ,  沙楚涵 ,  叶志镇

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/24 ,  H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13 ,  H01G11/30 ,  H01G11/24 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种用作超级电容器材料的镁钴氧化物/石墨烯复合材料及其制备方法。该复合材料由纳米级镁钴氧化物和石墨烯组成，纳米级镁钴氧化物为花瓣状团簇结构，石墨烯为片层状，覆盖在镁钴氧化物上。所述复合材料制备步骤包括1）改性氧化石墨烯的合成；2）在改性氧化石墨烯溶液中加入镁钴盐及碱源，水热还原法制备镁钴氢氧化物/石墨烯复合材料；3）将所制得的镁钴氢氧化物/石墨烯复合材料高温煅烧，制得MgCo2O4/石墨烯复合材料。与现有石墨烯复合电极材料相比，本发明所得到的MgCo2O4/石墨烯复合材料提供了更优的结构特点、更大的比表面积、更小的传质阻力和更长的循环寿命，在能源储备领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN119008761A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411099198.3

申请日：2024-08-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕斌 ,  金硕琦 ,  孙书逸 ,  潘新花

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明公开了一种基于非晶氧化铜/氧化镓异质pn结紫外探测器及其制备方法，该器件结构自下而上依次为c面蓝宝石衬底(c‑Al2O3)、Ga2O3薄膜、非晶CuO薄膜和Ti/Au电极对。采用脉冲激光沉积方法制备：在c‑Al2O3衬底上采用PLD方法制备Ga2O3薄膜，然后在较低温度下沉积一层非晶CuO薄膜，形成CuO/Ga2O3异质pn结，最后在薄膜表面镀上Ti/Au电极完成异质pn结紫外探测器的制作。本发明的紫外探测器通过构建CuO/Ga2O3异质结，利用异质结界面处的势垒及内建电场，在实现自供电功能的同时，大幅降低器件的暗电流；且制备方法简单、重复性高、成本低廉、响应速度快。

公开(公告)号：CN118099255A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410126513.0

申请日：2024-01-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕斌 ,  孙书逸 ,  潘新花 ,  郑毅 ,  叶志镇

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  G06N3/065

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓基二端双向紫外光响应人工突触及其制备方法。通过0.5‑1wt％Si掺杂Ga2O3/ZnO异质结的构建，制备了对紫外光具有可逆光响应的平面二端型人工突触器件。通过底层ZnO在吸收370nm紫外光后产生的光生电子注入效应，原本只能对255nm紫外光产生正向光响应的Ga2O3器件也能对370nm紫外光产生负向光响应。通过紫外脉冲频率的调节，人工突触器件的电导可以在一定范围内实现非易失性的可逆调控。本发明解决了以往Ga2O3基人工突触必须依赖栅压进行电导调控的问题，简化了器件的电路设计，有望用于复杂的光学认知任务。