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公开(公告)号：CN103548153B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280023367.4
申请日：2012-05-30
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: H01L31/0322 , C23C14/0623 , C23C14/3464 , C23C14/5866 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法及利用该方法的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池用CIGS薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu-In-Ga-Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及步骤b，把上述a步骤所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理。凭此，把CIGS前驱体薄膜改成共价结构的硒化物系列化合物而在Se氛围进行热处理时抑制Ga的偏析，让CIGS薄膜内Ga分布均匀化，最后得以提高利用它的太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN102652368A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201080056028.7
申请日：2010-11-08
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/052
CPC classification number: H01L31/20 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C23C14/0623 , H01L31/0324 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: 本发明涉及太阳能电池中使用的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法，更确切地说，涉及应用在太阳能电池中，具有低制造成本、高转换效率的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103534818A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023302.X
申请日：2012-02-02
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种具有高密度的太阳能电池用CIS系列化合物薄膜的制造方法。本发明的太阳能电池用CIS系列化合物薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤1，制造CIS系列化合物纳米粒子；步骤2，把上述CIS系列化合物纳米粒子、螫合剂(chelating agent)及溶剂混合制成CIS系列化合物浆；步骤3，把上述CIS系列化合物浆予以涂层(coating)而形成CIS系列化合物薄膜；及步骤4，对上述CIS系列化合物薄膜进行热处理；本发明凭此让作为薄膜太阳能电池的吸光层使用的CIS系列薄膜的结构致密化。
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公开(公告)号：CN103477442B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201280012153.7
申请日：2012-10-15
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18 , B23K26/36
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/02 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: 本发明公开了具有背面TCO层的CIS/CIGS系太阳能电池及其制造方法。本发明CIS/CIGS系太阳能电池包括：基板；第一钼电极与第二钼电极，是在基板上按照预定间距分离而并列配置的两层钼电极；TCO层，配置在第二钼电极的上表面及侧面上；缓冲层，配置在TCO层的上部及侧面上，在TCO层与吸光层之间缓冲能带隙差异；吸光层，配置在第一钼电极、缓冲层及第一钼电极与缓冲层之间暴露的一部分基板上；及防反射层，配置在吸光层上，尽量减少外部所照射的光线的反射。凭此，把缓冲层与TCO层配置在吸光层的背面而清除了吸光层上部中降低光入射量的阻碍结构，尽量增加吸光层的入射光量而最终提高太阳能电池的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN104094412A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380000852.4
申请日：2013-01-31
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/032 , H01L21/02
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0326 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜。本发明的铜铟镓硒系薄膜的制作方法，包括：制作铜铟镓硒系纳米颗粒的步骤（a）；含有上述铜铟镓硒系纳米颗粒与熔点为30-400℃范围的助熔剂的浆料的制作步骤（b）；在基板上非真空涂覆上述浆料而形成铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（c）；干燥铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（d）；利用硒蒸汽将上述铜铟镓硒系前驱体薄膜进行硒化热处理的步骤（e）。据此可使用比以前铜铟镓硒系薄膜制作时低的温度进行硒化热处理，从而节减制作费用，并用低温也能够充分完成薄膜内结晶生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103548153A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280023367.4
申请日：2012-05-30
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC classification number: H01L31/0322 , C23C14/0623 , C23C14/3464 , C23C14/5866 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法及利用该方法的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池用CIGS薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu-In-Ga-Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及步骤b，把上述a步骤所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理。凭此，把CIGS前驱体薄膜改成共价结构的硒化物系列化合物而在Se氛围进行热处理时抑制Ga的偏析，让CIGS薄膜内Ga分布均匀化，最后得以提高利用它的太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN104094412B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201380000852.4
申请日：2013-01-31
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/032 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用低熔点助熔剂的太阳能电池用铜铟镓硒系薄膜的制作方法及据此方法制作的铜铟镓硒系薄膜。本发明的铜铟镓硒系薄膜的制作方法，包括：制作铜铟镓硒系纳米颗粒的步骤（a）；含有上述铜铟镓硒系纳米颗粒与熔点为30‑400℃范围的助熔剂的浆料的制作步骤（b）；在基板上非真空涂覆上述浆料而形成铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（c）；干燥铜铟镓硒系前驱体薄膜的步骤（d）；利用硒蒸汽将上述铜铟镓硒系前驱体薄膜进行硒化热处理的步骤（e）。据此可使用比以前铜铟镓硒系薄膜制作时低的温度进行硒化热处理，从而节减制作费用，并用低温也能够充分完成薄膜内结晶生长。
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公开(公告)号：CN104254925B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280015113.8
申请日：2012-08-14
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01G9/204 , H01G9/2059 , H01G9/209 , H01L31/02366 , H01L31/1888 , H01L51/42 , H01L51/4233 , H01L51/447 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种以湿式蚀刻方法在氧化锌薄膜上形成纳米单位的凹凸结构的方法，其特征在于，包括：准备基板的步骤；形成具有纳米范围的高度与宽度的纳米结构的步骤；在形成有所述纳米结构的基板上形成氧化锌薄膜的步骤；以及对所述氧化锌薄膜进行湿式蚀刻的步骤；在所述进行湿式蚀刻的步骤中，位于所述纳米结构上、物理致密性相对较低的氧化锌先被蚀刻，在所述纳米结构的周边，借助于蚀刻而形成凹凸结构。本发明具有不仅能够在凹凸结构上均一地形成薄膜，而且电解质或有机物能够在凹凸结构之间均一地浸透的效果。另外，本发明不仅能够调节凹凸结构的纵横比，而且凹凸结构整体上连接，因而不发生因过度的纵横比差异造成阻抗增加的问题。
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公开(公告)号：CN103534818B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201280023302.X
申请日：2012-02-02
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/0749 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种具有高密度的太阳能电池用CIS系列化合物薄膜的制造方法。本发明的太阳能电池用CIS系列化合物薄膜的制造方法包括下列步骤：步骤1，制造CIS系列化合物纳米粒子；步骤2，把上述CIS系列化合物纳米粒子、螫合剂(chelating agent)及溶剂混合制成CIS系列化合物浆；步骤3，把上述CIS系列化合物浆予以涂层(coating)而形成CIS系列化合物薄膜；及步骤4，对上述CIS系列化合物薄膜进行热处理；本发明凭此让作为薄膜太阳能电池的吸光层使用的CIS系列薄膜的结构致密化。
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公开(公告)号：CN104254925A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201280015113.8
申请日：2012-08-14
Applicant: 韩国能源技术研究院
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01G9/204 , H01G9/2059 , H01G9/209 , H01L31/02366 , H01L31/1888 , H01L51/42 , H01L51/4233 , H01L51/447 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种以湿式蚀刻方法在氧化锌薄膜上形成纳米单位的凹凸结构的方法，其特征在于，包括：准备基板的步骤；形成具有纳米范围的高度与宽度的纳米结构的步骤；在形成有所述纳米结构的基板上形成氧化锌薄膜的步骤；以及对所述氧化锌薄膜进行湿式蚀刻的步骤；在所述进行湿式蚀刻的步骤中，位于所述纳米结构上、物理致密性相对较低的氧化锌先被蚀刻，在所述纳米结构的周边，借助于蚀刻而形成凹凸结构。本发明具有不仅能够在凹凸结构上均一地形成薄膜，而且电解质或有机物能够在凹凸结构之间均一地浸透的效果。另外，本发明不仅能够调节凹凸结构的纵横比，而且凹凸结构整体上连接，因而不发生因过度的纵横比差异造成阻抗增加的问题。
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