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公开(公告)号：CN1006670B
公开(公告)日：1990-01-31
申请号：CN86108452
申请日：1986-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03921 , H01L31/095 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 改进的图象读取光检测器，它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。
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公开(公告)号：CN109564927A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780046664.3
申请日：2017-07-27
Applicant: 特里纳米克斯股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18 , G01S7/481 , G01S17/46
CPC classification number: H01L31/095 , G01S7/4816 , G01S17/46 , G01S17/48 , H01L27/14665 , H01L27/14667 , H01L31/02016 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0324 , H01L31/09 , H01L31/186 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及光学传感器、光学检测至少一个对象的包括光学传感器的检测器、制造光学传感器的方法以及光学传感器和检测器的各种用途。此外，本发明涉及人机接口、娱乐装置、扫描系统、跟踪系统、立体系统和相机。光学传感器(110)包括至少一个光电导材料(114)的层(112)、接触光电导材料(114)的层(112)的至少两个个体电接触(136、136')、以及沉积在光电导材料(114)的层(112)上的覆盖层(116)，其中覆盖层(116)是包括至少一种包含金属的化合物(120)的非晶层。光学传感器(110)可作为不笨重的气密封装提供，然而，该封装提供高度保护以防止湿气和/或氧气引起的可能劣化。而且，覆盖层(116)能够激活光电导材料(114)，这导致光学传感器(110)的性能提高。此外，光学传感器(110)可容易地制造并集成在电路载体装置上。
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公开(公告)号：CN105070778A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510465003.7
申请日：2015-08-03
Applicant: 河南科技大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/09 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/0264 , H01L31/095
Abstract: 一种基于小极化子效应的光敏电容器，该光敏电容器中的介电材料层由具有小极化子效应的光敏材料制成，在介电材料层的两侧均依次设有导电层和封装层，所述介电材料层一侧或两侧的导电层及封装层由透光材料构成，以便使光线能够透过导电层及封装层照射在介电材料层上，从而改变其介电常数。该光敏电容器的电容大小可以通过外部照射光线的强度来调节。从而可以通过外接电路激发合适的LED光源，用LED光源产生的光来控制电容器电容的大小，可用作各类电子器件的调频部件，或者用来制作光电探测器。
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公开(公告)号：CN104916733A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510252309.4
申请日：2015-05-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/095 , H01L31/1136 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种非晶ZnSnO薄膜晶体管型紫外探测器及其制备方法。所述的非晶ZnSnO薄膜晶体管型紫外探测器包括：低阻Si为衬底，同时为栅极；SiO2薄膜为绝缘层；非晶ZnSnO薄膜为沟道层；Al薄膜为源极和漏极。非晶ZnSnO薄膜采用溶液法制备，将Zn(NO3)2·6H2O、SnCl2·2H2O+NH4NO3分别溶解于二甲氧基乙醇溶剂中，加入乙酰丙酮、氨水溶液配成前驱体溶液，经搅拌、混合、陈化后形成溶胶，直接旋涂于衬底上，并进行退火处理，得到非晶ZnSnO薄膜。非晶ZnSnO薄膜化学式为ZnxSn1-xO，其中0 80%。
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公开(公告)号：CN86108452A
公开(公告)日：1987-09-23
申请号：CN86108452
申请日：1986-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03921 , H01L31/095 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 改进的图象读取光检测器，它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108520903A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810440195.X
申请日：2018-05-10
Applicant: 江西师范大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/095 , H01L31/18 , H01L31/186
Abstract: 一种可见-近红外区域宽波段完美吸收器，包括衬底、金属膜层以及金属-介质圆锥形柱体复合结构层，所述金属-介质圆锥形柱体复合结构层设于金属膜层之上，金属膜层设于衬底之上。本发明可以有效避免内在金属欧姆损耗、热效应和热不稳定性等难题，实现了可见-近红外波段的宽波段吸收，能产生多个频率范围的等离激元共振模式，进而获得宽波段的电磁波完美吸收特性；在耐高温高热情况下的光电器件包括红外探测与光电转换、红外成像、太阳能抗反射涂料以及热辐射器等领域都具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104823280B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201380062142.4
申请日：2013-12-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L27/144 , H01L31/0248 , H04N5/32
CPC classification number: H01L31/0272 , H01L27/14676 , H01L31/085 , H01L31/095 , H01L31/115 , H01L31/117 , H01L31/20 , H01L51/0037 , H01L51/0046 , H01L51/4213 , H01L2031/0344
Abstract: 本发明为一种暗电流小、耐久性优良且余像少的放射线检测装置(10)，其具有层叠结构，所述层叠结构包含第一电极(34)、与第一电极相对地配置的第二电极(49)、配置在第一电极与第二电极之间且含有非晶硒的硒层(48)、与硒层邻接地配置在第一电极与硒层之间且含有电子亲和能为3.7eV以下的空穴传输材料的第一阻挡有机层(38)、和与硒层邻接地配置在第二电极与硒层之间且含有电离电势为5.9eV以上的电子传输材料的第二阻挡有机层(37)。
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公开(公告)号：CN107293615A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710354418.6
申请日：2017-05-19
Applicant: 扬州大学
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L31/095
Abstract: 本发明公开一种柔性锡氧化物光电探测器的制备方法，包括如下步骤：(10)衬底清洗：将碳纸裁成所需尺寸，用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗后超声清洗；(20)混合溶液制备：按配比将Na3C6H5O7·2H2O粉末、SnCl2·2H2O粉末溶于去离子水和无水乙醇中，搅拌均匀，得到混合溶液；(30)纳米片组装：将碳纸放入盛有混合溶的反应釜中，水热反应，然后将反应釜取出自然冷却至室温；(40)成品干燥：将碳纸从反应釜取出，用去离子水或无水乙醇超声清洗，干燥，得到柔性衬底上组装Sn3O4纳米片的光电探测器。本发明的柔性锡氧化物光电探测器的制备方法,工艺简单、产量高、成本低。
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公开(公告)号：CN104823280A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380062142.4
申请日：2013-12-05
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H01L27/144 , H01L31/0248 , H04N5/32
CPC classification number: H01L31/0272 , H01L27/14676 , H01L31/085 , H01L31/095 , H01L31/115 , H01L31/117 , H01L31/20 , H01L51/0037 , H01L51/0046 , H01L51/4213 , H01L2031/0344
Abstract: 本发明为一种暗电流小、耐久性优良且余像少的放射线检测装置(10)，其具有层叠结构，所述层叠结构包含第一电极(34)、与第一电极相对地配置的第二电极(49)、配置在第一电极与第二电极之间且含有非晶硒的硒层(48)、与硒层邻接地配置在第一电极与硒层之间且含有电子亲和能为3.7eV以下的空穴传输材料的第一阻挡有机层(38)、和与硒层邻接地配置在第二电极与硒层之间且含有电离电势为5.9eV以上的电子传输材料的第二阻挡有机层(37)。
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公开(公告)号：CN101464608B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810186387.9
申请日：2008-12-19
Applicant: NCR公司
CPC classification number: H01L31/095 , G02F2203/13 , H01L31/022408 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , H01L31/20 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种光导器件(2)，该光导器件(2)包括多个光导层(6，8，10，12)，每个光导层包括光导材料(4)和各自的多个电极(16，18)，其中光导层(6，8，10，12)被电连接在一起。
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