公开(公告)号：CN108192600A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810066575.1

申请日：2018-01-24

申请人： 河南科技大学

发明人： 台玉萍 ,  柴元武 ,  李新忠 ,  刘红宇 ,  杜西刚 ,  杜锦屏 ,  黄新辉 ,  潘炳力

IPC分类号： C09K11/64 ,  H01L31/0264

CPC分类号： C09K11/7792 ,  H01L31/0264

摘要： 一种Eu-Nd-Yb共掺杂铝酸锶高效宽谱量子剪裁发光材料，该发光材料以SrAl2O4为基质，所述发光材料的组成通式为SrAl2O4：x Eu2+，y Nd3+，z Yb3+，其中，0.5×10-2≤x≤1×10-2，0.5×10-2≤y≤2×10-2，1×10-2≤z≤10×10-2。本发明提供的一种Eu-Nd-Yb共掺杂SrAl2O4量子剪裁发光材料，该发光材料体系中的Eu2+通过其敏化作用，能够有效拓宽Nd3+的吸收截面，对太阳光进行宽带吸收，进而实现高效、宽谱转换的近红外量子剪裁。从而实现对太阳光的充分利用，提高晶硅太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN108063145A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201710599298.6

申请日：2017-07-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 赵常玹 ,  李载昊 ,  李殷奎 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  许镇盛

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/30

CPC分类号： H01L27/14667 ,  B82Y15/00 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/074 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/307

摘要： 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。

公开(公告)号：CN106833647A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710042385.1

申请日：2017-01-20

申请人： 温州大学

发明人： 邹超 ,  吴琴琴 ,  翟兰兰 ,  杨云 ,  张礼杰 ,  黄少铭

IPC分类号： C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  C09K11/881 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种铜铟硒量子点的合成方法，以碘化亚铜或乙酰丙酮铜为铜源，以醋酸铟或乙酰丙酮铟为铟源，以油胺为配体和溶剂，通过两步反应制得CuInSe2量子点。由本发明方法制得的CuInSe2量子点的尺寸为4～10nm，XRD晶相分析为四方相结构，具有良好的光电性能，适合用于制备量子点敏化太阳能电池。与热注入法相比，本发明方法简单易操作，工艺更为简单，合成周期更短，生产的可控性和重复性好，成本低廉，适用于工业化生产，在太阳能电池中有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN106784033A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611147723.X

申请日：2016-12-13

申请人： 广东爱康太阳能科技有限公司

发明人： 眭山 ,  方结彬 ,  秦崇德 ,  石强 ,  方志文 ,  何达能 ,  陈刚

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述晶体硅太阳能电池包括具有紧密连接的P层和N层的电池体，N层的表面上设有三角形绒面层，P层远离N层的一侧处设有铝背场，P层和N层上分别设有正电极和背电极，P层上设有至少两个均匀分布的钝化层，相邻钝化层之间设有硼掺杂层。本发明的晶体硅太阳能电池光电转换效率高、且易于加工。

公开(公告)号：CN106449780A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610857001.7

申请日：2016-09-28

申请人： 南开大学

发明人： 张晓丹 ,  王奉友 ,  赵善真 ,  任千尚 ,  杜荣池 ,  魏长春 ,  陈新亮 ,  赵颖

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1876

摘要： 本发明提供了一种氧化物载流子传输层的硅异质结太阳电池及其制备方法，该方法在沉积有双面钝化层I的衬底S的一面沉积金属氧化物电子选择层ESL，而后于ESL的相对面上在较低的反应前驱物能量的情况下沉积高功函数的金属氧化物空穴选择层HSL，与低功函数的硅衬底形成了界面反型层，产生空穴选择的效果，而后在HSL层上沉积透明电极T，最后于电池正、反两面分别沉积金属电极M1和M2。该结构所采用的高功函数的HSL层兼具高透过、低吸收较的特性，可有效提升电池的光谱相应，且其制备方法简单，易于实施。

公开(公告)号：CN106252430A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610822295.X

申请日：2016-09-14

申请人： 南昌大学

发明人： 高超 ,  黄海宾 ,  周浪 ,  岳之浩

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/072

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/072

摘要： 一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为：前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。由于TiOx光学带隙较宽，从迎光面入射的太阳光几乎可以全部进入到晶体硅内部，从而避免了由于窗口层的吸收而导致的光生电流损失。另外，TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本发明所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN106206779A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610621268.6

申请日：2016-08-01

申请人： 中国科学院高能物理研究所

发明人： 刘静 ,  伊福廷 ,  王波 ,  张天冲 ,  王雨婷

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/028 ,  H01L31/074 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种以硅纳米柱阵列为基底的异质结太阳电池及其制备方法。该太阳电池是以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，磁控溅射的方法包裹其他薄膜材料，形成异质结结构。其制作方法包括：在P型硅片表面用氯化铯纳米岛自组装的方法制备大高宽比纳米柱阵列；在背面制备铝背场；用磁控溅射的方法在硅纳米柱阵列表面包裹氧化锌、硫化镉等N型材料层；在N型材料层表面覆盖ITO透明导电层；在上表面制备钛银电极。这种以大高宽比硅纳米柱阵列为基底的异质结电池其优点在于：第一，可以有效增加基底的表面比，提高异质结的有效面积，增加对入射光的吸收；第二，借助于大高宽比纳米柱阵列良好的陷光作用，能够减小反射，提高异质结电池的性能。

公开(公告)号：CN106024972A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610365955.6

申请日：2016-05-27

申请人： 清华大学

发明人： 王子巍 ,  肖磊 ,  王敬 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0264 ,  H01L21/02

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/0264 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明公开了半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用。该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底的上表面具有单晶结构；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物类单晶层，以便获得所述半导体结构。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有类单晶结构的稀土氧化物结构。

公开(公告)号：CN105449026A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201610010432.X

申请日：2016-01-08

申请人： 湖南师范大学

发明人： 罗云荣 ,  陈春玲 ,  陈慧敏 ,  周如意

IPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0264

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种二硫化钼叠层太阳能电池及其制备方法，其特征在于，所述太阳能电池的结构从上到下依次为：金属电极1、二硫化钼叠层2、透明导电衬底3。本发明的优点在于，一是利用不同厚度的二硫化钼禁带宽度不同，对太阳光谱的响应范围不同，通过将不同厚度的二硫化钼薄膜堆叠构成叠层太阳能电池，从而实现对太阳光全波段的充分吸收，以达到提高太阳能电池光电转换效率的目的；二是利用二硫化钼同种材料构成同质PN结，减少PN结材料的晶格失配，减少缺陷态密度，从而减少载流子的复合，提高光电流，进而提高太阳能电池的光电转换效率；三是制备工艺简单，大大降低生产成本。

公开(公告)号：CN104916714A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510356897.6

申请日：2015-06-25

申请人： 福州大学

发明人： 郑巧 ,  程树英 ,  孙建斌

IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/0725

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0725

摘要： 本发明属于电池薄膜材料与器件领域，具体涉及一种以La-TiO2为电子传输层的有机光伏电池及其制备方法。该电池包括氧化物透明导电衬底、有机活性层、空穴传输层和金属电极，其中，电子传输层是将La-TiO2溶液经溶胶凝胶法漩涂在氧化物透明导电衬底上而形成的La-TiO2透明薄膜。La-TiO2透明薄膜中La的掺杂比例为0.25-2wt%。本发明制得的光伏电池成本低廉、稳定、耐腐蚀性较好，对环境友好，易于大范围生产。