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公开(公告)号：CN112349775B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202010975409.0
申请日：2020-09-16
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/739 , H01L21/28 , H01L21/331
Abstract: 本发明提出了超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法。该超陡亚阈值摆幅器件包括：衬底，包括阱区、源区、漏区和口袋区，其中，源区和漏区分别设置在阱区的一侧，口袋区设置在源区远离阱区并靠近漏区的一侧；绝缘介质层，覆盖源区和漏区；界面氧化层，覆盖口袋区和阱区；栅堆叠结构，覆盖界面氧化层且包括至少一层铁电介质薄膜；栅极，设置在栅堆叠结构界面氧化层的表面。本发明所提出的超陡亚阈值摆幅器，具有关态电流小、开态电流大、驱动电压低、亚阈值摆幅在较宽的驱动电流范围内基本保持不变等优势。
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公开(公告)号：CN114420840A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111484162.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明提出了图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，该方法包括：(1)在卤素钙钛矿薄膜上形成光刻胶薄膜；(2)对步骤(1)得到的所述光刻胶薄膜进行曝光；(3)对步骤(2)得到的所述光刻胶薄膜进行显影；(4)将步骤(3)得到的形成有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于氢卤酸溶液中进行刻蚀；(5)将步骤(4)得到的残留有所述光刻胶薄膜的所述卤素钙钛矿薄膜置于卤素钙钛矿和有机溶剂的混合物中去胶，干燥，以获得图案化的卤素钙钛矿薄膜。由此，该制备方法可与现代微电子工艺兼容，且卤素钙钛矿薄膜在去胶前后，薄膜质量与性质基本不变，在光电成像阵列、显示阵列、光电逻辑阵列器件等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111554737A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010310928.5
申请日：2020-04-20
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/44 , H01L21/34
Abstract: 本发明提出了超低功耗的薄膜晶体管及其制备方法。该超低功耗的薄膜晶体管包括层叠设置的衬底、隔离层、栅极、栅堆叠结构、沟道薄膜、源漏电极和钝化层，其中，栅堆叠结构设置在栅极与沟道薄膜之间；并且，栅堆叠结构包括层叠设置的至少一层铁电介质薄膜和至少一层金属层。本发明所提出的超低功耗薄膜晶体管，其栅堆叠结构包含至少一层铁电介质薄膜，由于铁电材料的极化反转，引入了负电容效应，栅堆叠结构出现负的微分电容值，从而使薄膜晶体管在室温下能够实现亚阈值摆幅小于60mV/decade，且还具有关态电流小和开态电流大的优势。
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公开(公告)号：CN106711233B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201611128685.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/861 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种光调制的二极管和功率电路，该光调制的二极管包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；形成在所述第一半导体之上的第一金属层；形成在所述第一半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构用于产生用于激发所述第一半导体层中电子‑空穴对的光线。本发明的光调整二极管和功率电路，将发光结构设置在第一半导体层之上，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通压降。
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公开(公告)号：CN109542839A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910049564.7
申请日：2019-01-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种融合非易失多值存储与逻辑运算功能的动态可控器件单元，包括：主晶体管，主晶体管的栅极控制端串联有一个的两端非易失多值可变性阻抗，两端非易失多值可变性阻抗的两端分别为所属主晶体管的栅极控制端与单元整体栅极控制输入端；控制晶体管，控制晶体管的源极和漏极与两端非易失多值可变性阻抗并联；两端非易失多值可变性阻抗，用于当其维持在不同阻抗值时，通过单元整体栅极控制输入端对主晶体管进行栅控时的阈值电压不同，进而实现多值存储的功能。该单元有效解决传统芯片架构中运算单元与存储单元分立实现，使得在计算过程中数据在运算单元与存储单元之间搬运限制了芯片速度进一步提升的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108615802A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611127517.2
申请日：2016-12-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种沟道电流增强的晶体管和功率电子器件，其中该沟道电流增强的晶体管包括：第一半导体层，具有第一导电类型且为轻掺杂；形成在第一半导体层之中的源区，具有第一导电类型且为重掺杂；形成在源区之上的源极金属层；形成在第一半导体层之中的沟道区，具有第二导电类型；形成在沟道区之上的栅结构；形成在第一半导体层之中且在源区和沟道区之外的漂移区；形成在第一半导体层之下的漏极金属层；形成在漂移区之上的发光结构，用于产生用于激发第一半导体层中电子和空穴对的光线。本发明的沟道电流增强的晶体管和功率电子器件，将发光结构设置在漂移区之上，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通电流。
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公开(公告)号：CN108615799A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611130449.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种光调制的半导体场效应晶体管和集成电路，其中该光调制的半导体场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；形成在所述半导体层之上的栅结构；形成在所述半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构至少部分地覆盖所述源区和/或漏区，所述发光结构用于产生用于激发所述半导体层中电子和空穴对的光线。本发明的光调制的半导体场效应晶体管和集成电路，将发光结构设置半导体层之上，部分覆盖源或漏，使发光结构与沟道区更近，可以在沟道区有效激发电子-空穴对，提高沟道区载流子浓度，利用光照极大地改善器件的导通电流。
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公开(公告)号：CN108615760A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611128870.2
申请日：2016-12-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/772 , H01L29/06 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/42316
Abstract: 本发明公开了一种光调制的场效应晶体管和集成电路，其中该光调制的场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；形成在所述半导体之上的栅结构；形成在所述栅结构之上的发光结构，其中，所述发光结构至少部分覆盖所述栅结构，所述发光结构用于产生光子以激发所述半导体层中的电子-空穴对。本发明的光调制的场效应晶体管和集成电路，将发光结构设置在栅结构之上，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通电流。
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公开(公告)号：CN104901634B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510239811.1
申请日：2015-05-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS器件的极低噪声嵌套式斩波稳定放大器，包括由PMOS管组成的差分输入对、折叠共源共栅组成的输出阻抗级、源极负反馈电流源以及由PMOS或者NMOS管组成的斩波开关，由PMOS管组成的差分输入对实现由输入电压信号转换成电流信号的功能；折叠共源共栅组成的输出阻抗级为放大器提供高输出阻抗；由MOS管构成的电流源为放大器提供恒定偏置电流；源极负反馈电阻提供局部反馈以压制电流源产生的白噪声和1/f噪声；通过嵌套式斩波减弱电荷注入带来的负面影响，同时增强斩波效果，以获得极低噪声性能。本发明具有相同量级的噪声性能，功耗从mA降至μA量级，并且易于集成，成本低廉。
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公开(公告)号：CN106024972B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201610365955.6
申请日：2016-05-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0264 , H01L21/02
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用。该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底的上表面具有单晶结构；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物类单晶层，以便获得所述半导体结构。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有类单晶结构的稀土氧化物结构。
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