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公开(公告)号：CN106373870B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201611053535.0
申请日：2016-11-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成氮化物过渡层和氮化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述氮化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述半导体结构，其中，所述氮化物半导体层是由含Al的氮化物半导体材料形成的。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免利用氮化铝晶片进行制备时，由于晶片尺寸过小而对半导体结构的尺寸造成限制。
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公开(公告)号：CN106373871B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201611059590.0
申请日：2016-11-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成缓冲层和半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述半导体结构，其中，所述过渡层以及所述半导体层分别独立地由II‑VI族化合物形成。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免II‑VI族化合物晶片尺寸对绝缘体上半导体结构的尺寸造成限制。
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公开(公告)号：CN106449407B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201610537700.3
申请日：2016-07-08
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了环形栅薄膜晶体管及其制备方法。该方法包括：(1)在衬底上表面的沟道区设置至少一个牺牲层；(2)对所述牺牲层进行刻蚀，以便形成沟道层模板，所述沟道层模板的侧壁自上至下具有垂直段和斜面段；(3)在源区、漏区以及所述沟道区沉积沟道层；(4)基于所述沟道层模板，对所述沟道区的所述沟道层进行蚀刻处理，以便形成纳米线；(5)除去所述沟道层模板；以及(6)在所述源区、漏区以及沟道区沉积金属，以便形成源极漏极以及栅极。本发明提出的方法具有成本低廉、操作简便、易于扩大生产规模、沟道区纳米线形貌可控性高等有点的至少之一。
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公开(公告)号：CN108615765A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611129652.0
申请日：2016-12-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种光调制的场效应晶体管和集成电路，其中该光调制的场效应晶体管包括：半导体层；设置在所述半导体层之上的源区、漏区和栅结构，所述栅结构上开有凹槽；形成在所述栅结构的凹槽之中的发光结构，其中，所述发光结构用于产生光子以激发所述半导体层中的电子-空穴对。本发明的光调制的场效应晶体管和集成电路，将发光结构设置在具有凹槽的栅结构中，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通电流。
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公开(公告)号：CN108615755A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611130329.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种光子增强的晶体管和功率电子器件，其中该光子增强的晶体管包括：第一半导体层，具有第一导电类型且为轻掺杂；形成在第一半导体层之中的源区，具有第一导电类型且为重掺杂；形成在源区之上的源极金属层；形成在第一半导体层之中的沟道区，具有第二导电类型；形成在沟道区之上的栅结构；形成在第一半导体层之下的漏极金属层；形成在源区外围的隔离槽；形成在至少部分隔离槽中的发光结构，其中，发光结构用于产生用于激发第一半导体层中电子和空穴对的光线。本发明的光子增强的晶体管和功率电子器件，将发光结构设置在源区外围的隔离槽中，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231879A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611130380.6
申请日：2016-12-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/772 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种光子增强的场效应晶体管和集成电路，其中该光子增强的场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，源区设置在半导体层之中或半导体层之上，漏区设置在半导体层之中或半导体层之上；形成在半导体层之上的栅结构；形成在半导体层下表面的隔离层；形成在隔离层之下的发光结构，其中，发光结构用于产生光子以激发半导体层中的电子‑空穴对。本发明的光子增强的场效应晶体管和集成电路，将发光结构通过隔离层设置在半导体层的下表面，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通电流。
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公开(公告)号：CN104901700B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510239808.X
申请日：2015-05-12
Applicant: 清华大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于反相器实现的全数字模块Sigma‑Delta调制器，包括两个基于数字反相器的积分器，反相器在自调零技术的作用下稳定工作点以在积分过程中实现反馈功能；一个基于反相器的比较器，反相器在自调零技术的作用下稳定工作点以实现高精度低功耗电压比较功能；由D锁存器和门电路组成的反馈控制逻辑。本发明能在极低供电电压下正常工作，具有很高的电流利用效率，功耗极低。且没有使用传统的放大器而是采用数字模块进行模拟电路设计，能规避低电压设计中出现的诸如动态范围减小，本征增益不足，噪声恶化等问题，符合模数转换器全数字化的设计趋势。
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公开(公告)号：CN107342320A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710583767.5
申请日：2017-07-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/66356
Abstract: 本发明提出了无结型隧穿场效应晶体管及制备方法。该无结型隧穿场效应晶体管包括：绝缘层；沟道区，所述沟道区设置在所述绝缘层上；源极和漏极，所述源极以及所述漏极设置在所述沟道区的两侧；栅介质层，所述栅介质层设置在所述沟道区上；栅极，所述栅极设置在所述栅介质层上，所述栅极包括顶栅以及静电调制栅极。由此，该无结型隧穿场效应晶体管具有以下优点的至少之一：结构简单，可以利用较为简单的工艺流程实现制备，掺杂浓度灵活可调，功耗较低等。
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公开(公告)号：CN106449407A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610537700.3
申请日：2016-07-08
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/1033 , H01L29/66742 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了环形栅薄膜晶体管及其制备方法。该方法包括：(1)在衬底上表面的沟道区设置至少一个牺牲层；(2)对所述牺牲层进行刻蚀，以便形成沟道层模板，所述沟道层模板的侧壁自上至下具有垂直段和斜面段；(3)在源区、漏区以及所述沟道区沉积沟道层；(4)基于所述沟道层模板，对所述沟道区的所述沟道层进行蚀刻处理，以便形成纳米线；(5)除去所述沟道层模板；以及(6)在所述源区、漏区以及沟道区沉积金属，以便形成源极漏极以及栅极。本发明提出的方法具有成本低廉、操作简便、易于扩大生产规模、沟道区纳米线形貌可控性高等有点的至少之一。
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公开(公告)号：CN106057642A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610366294.9
申请日：2016-05-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/16 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L21/02502 , H01L21/02444 , H01L21/02483 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L31/03921 , H01L31/1808 , H01L33/0054 , H01L33/16
Abstract: 本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层；(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土氧化物层以及所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的稀土氧化物结构。石墨烯层以及适当的溅射条件能够诱导稀土氧化物层形成晶体的择优取向，并且，具有晶体择优取向的稀土氧化物层能够诱导半导体层的形成，使形成的半导体层中的晶格排列也具有择优取向性。
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