公开(公告)号：CN108807617A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810702976.1

申请日：2018-06-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 高芳亮 ,  李国强 ,  张曙光 ,  徐珍珠 ,  余粤锋

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片及其制备方法，包括生长在硅/石墨烯复合衬底上的非掺杂GaN纳米柱，生长在非掺杂GaN纳米柱上的n型掺杂GaN层，长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层。本发明的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。

公开(公告)号：CN108140552A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059078.8

申请日：2016-09-08

Applicant: 麻省理工学院

Inventor： J·金

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L21/02444 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L23/532

Abstract: 公开一种基于石墨烯的层转移(GBLT)技术。在此方法中，在石墨烯层上制造包括III-V半导体、Si、Ge、III-N半导体、SiC、SiGe或II-VI半导体的设备层，所述石墨烯层进而设置在衬底上。所述石墨烯层或所述衬底可以与所述设备层晶格匹配以减少所述设备层中的缺陷。然后可以通过例如附接到所述设备层的应力物从所述衬底移除所述制造的设备层。在GBLT中，所述石墨烯层充当用于生长设备层的可重新使用且通用的平台，并且还充当允许在石墨烯表面处快速、精确且可重复地释放的释放层。

公开(公告)号：CN103890945B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201180074487.2

申请日：2011-10-28

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： 梁迪 ,  雷蒙德·G·博索雷

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G02B6/122 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/12

Abstract: 一种器件包括衬底层、金刚石层和器件层。所述器件层被图案化。所述金刚石层与所述器件层所关联的图案相合。

公开(公告)号：CN105304471A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510675151.1

申请日：2015-10-19

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十六研究所

Inventor： 王再恩 ,  张嵩 ,  齐成军 ,  程红娟 ,  徐永宽 ,  陈建丽 ,  兰飞飞 ,  李宝珠

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及一种使用碳球在氮化镓内部制作孔隙层的方法，使用MOCVD设备在蓝宝石衬底的表面外延一层5微米厚氮化镓外延层，然后将液态蔗糖均匀涂覆在氮化镓外延层上，经过900℃高温退火，将蔗糖层碳化，形成均匀碳球层，在随后的HVPE外延生长氮化镓过程中，碳球层部位会出现纳米级的均匀孔隙形成孔隙层，技术效果是此孔隙层可以有效降低相应部位氮化镓的结构强度，提高了氮化镓从衬底上断裂剥离的可能性，达到制备氮化镓单晶衬底的目的，制造工艺简单、实用。

公开(公告)号：CN103367553B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210085254.9

申请日：2012-03-28

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02444 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明涉及一种外延衬底的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面形成多个凸起部与多个凹陷，从而形成一图案化的表面；在所述外延生长面设置一碳纳米管层覆盖所述多个凸起部与多个凹陷，所述碳纳米管层对应所述凹陷位置悬空设置；处理所述碳纳米管层，使碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同。

公开(公告)号：CN104377114A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310351839.5

申请日：2013-08-13

Applicant: 国家纳米科学中心

Inventor： 李振军 ,  白冰 ,  杨晓霞 ,  王小伟 ,  许应瑛 ,  戴庆 ,  裘晓辉

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/15

CPC classification number: H01L21/0259 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度，且保证了锗量子点的自组织生长过程，形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。

公开(公告)号：CN102760796B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201110110729.0

申请日：2011-04-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L51/50 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；在基底的外延生长面生长一半导体外延层，其中，所述半导体外延层包括一N型半导体层、一活性层以及一P型半导体层；蚀刻所述半导体外延层，从而使部分碳纳米管层暴露；以及设置一第一电极和一第二电极，其中，所述第一电极设置于所述半导体外延层远离基底的表面，所述第二电极设置于所述碳纳米管层暴露的部分表面。

公开(公告)号：CN104009130A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410053096.8

申请日：2014-02-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 卢宗铉 ,  崔珉硕 ,  金泰亨

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供了一种生长衬底、氮化物半导体器件及其制造方法。公开了一种制造发光器件的方法。更具体地，公开了生长衬底、氮化物半导体器件和制造发光器件的方法。该方法包括：准备包括金属衬底的生长衬底；在生长衬底上形成包括氮化物基半导体的半导体结构；在半导体结构上提供支撑结构；以及从半导体结构分离生长衬底。

公开(公告)号：CN103985628A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410088505.8

申请日：2014-01-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·巴伊拉姆 ,  J·O·初 ,  C·蒂米特拉克普洛斯 ,  金志焕 ,  朴弘植 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种用于晶片转移的方法。一种用于晶片转移方法包括在单晶SiC衬底上形成扩展层，该扩展层包括石墨烯。包括一个或多个层的半导体层形成在该晶体SiC层上并且该半导体层与该晶体SiC层晶格匹配。该半导体层被转移至处理衬底，以及该扩展层被分裂以移除该单晶SiC衬底。

公开(公告)号：CN103890945A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201180074487.2

申请日：2011-10-28

Applicant: 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

Inventor： 梁迪 ,  雷蒙德·G·博索雷

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G02B6/122 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/12

Abstract: 一种器件包括衬底层、金刚石层和器件层。所述器件层被图案化。所述金刚石层与所述器件层所关联的图案相合。