-
公开(公告)号：CN116315986A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310458141.7
申请日：2023-04-25
申请人： 国家纳米科学中心
摘要： 本发明公开了一种激发极化激元反向切伦科夫辐射(CR)的方法，涉及纳米光源和电子激发技术领域，包括：S1.在芯片基底制备支持负群速度色散的双曲极化激元材料或双曲极化激元异质结材料；S2.基于制备的双曲极化激元材料，利用运动的带电粒子激发极化激元反向CR；S3.将运动的带电粒子放置于双曲极化激元材料或双曲极化激元异质结材料表面，当运动的带电粒子波矢与极化激元满足波矢匹配条件，则发生反向CR。本发明1)使用纳米线的等离激元模仿运动的带电粒子可以有效地激发极化激元反向CR；2)可以在其他基于双曲极化激元材料的异质结构中进一步调节。
-
公开(公告)号：CN109407210B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811336502.6
申请日：2018-11-12
申请人： 国家纳米科学中心
摘要： 本发明公开了一种基于面内异质结的极化波波导传输耦合装置，该传输耦合效率可调控，所述装置自下而上依次包括设置的衬底、电介质层、石墨烯/hBN面内异质结薄膜；本发明可改变石墨烯等离激元极化波和hBN声子极化波的动量匹配条件，从而调控极化波之间的传输耦合效率；当调控石墨烯费米能达到两种极化波动量匹配点时，极化波之间的耦合效率可达到100％，实现100％透射。
-
公开(公告)号：CN107561028B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201710520408.5
申请日：2017-06-30
申请人： 国家纳米科学中心
IPC分类号： G01N21/35 , G01N21/552 , B82Y35/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供了一种用于增强红外光谱探测的金属‑石墨烯等离激元器件，包括自下而上依次设置的衬底、反射层、电介质层、石墨烯薄膜、源极与漏极金属层、光栅层，以及待检测物质层；所述衬底和所述反射层作为栅极，所述反射层沉积在所述衬底上，电介质层沉积在反射层上，石墨烯薄膜覆盖于电介质层上，源极与漏极金属层沉积在石墨烯薄膜上，源极与漏极金属层通过石墨烯导通；所述源极与漏极金属层之间的局部区域具有石墨烯周期性纳米结构和金光栅的交替结构；相对于其他低迁移率石墨烯红外等离激元器件结构，本发明可实现完美的红外吸收和极高的局域电磁场增强，提高了红外光谱探测微量物质的效率。
-
公开(公告)号：CN111257599A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911279865.5
申请日：2019-12-13
申请人： 国家纳米科学中心
IPC分类号： G01Q60/18 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种用于异质结层间电荷转移的近场光学表征方法，该方法可以在实空间上直接观测到电荷转移前后的光学图像，需要的观测器件衬底作为栅极，电介质层沉积在衬底上，TMD薄膜层(过渡金属二硫属化物Transition-metal dichalcogenide，简称TMD)覆盖于电介质层上，石墨烯薄膜层覆盖于TMD薄膜层上形成石墨烯/TMD异质结。方法借助的表征仪器是散射式近场光学显微镜。本发明由于异质结堆叠制备好后，层间电荷是稳定的，转移很难观测到，这里设计借助可见光手段激发TMD中产生光电子，从而让光电子在异质结中间进行转移，结合s-SNOM装置对石墨烯/TMD异质结进行实空间表征，最终可实现实空间成像方式观测到在异质结间光生电荷转移的效果，应用于光波导器件、光电探测器和光学记忆存储器件等。
-
-
公开(公告)号：CN109856712A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910069438.8
申请日：2019-01-24
申请人： 国家纳米科学中心
IPC分类号： G02B5/00
摘要： 本发明公开了一种调控石墨烯等离激元传输距离的方法，所述方法通过控制石墨烯层与基底层的不同距离，进而调控等离激元电场与基底的介电性质相互耦合的强弱，从而实现原位调控石墨烯等离激元的传输距离。所述方法能够调控石墨烯与基底的距离范围从0纳米到几百微米的范围；在几纳米至几百纳米的范围内，可以通过在石墨烯和基底之间充入气体的方法实现原位调控等离激元的传输距离；本发明中距离变化是连续的，因而可以对传输距离进行连续调控；所述方法简单易行且成本低。
-
公开(公告)号：CN105352906B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510792416.6
申请日：2015-11-17
申请人： 国家纳米科学中心
IPC分类号： G01N21/3563
摘要： 本发明提供了一种石墨烯等离激元增强红外光谱探测的谱线峰值分离方法，所述方法包括：1)制作石墨烯等离激元器件的红外增强及探测装置；2)将待检测物置于石墨烯微结构之上；3)对石墨烯微结构进行电学测试：测量石墨烯的Ids‑Vg输运曲线，读出石墨烯的狄拉克点对应的电压Vg(CNP)；4)通过调节栅极电压来进行红外探测谱线峰值的分离，包括以下子步骤：a)采集石墨烯的狄拉克点对应的电压Vg(CNP)下的消光谱T(CNP)作为背景；b)背景采集完，调节栅极电压Vg，使其偏离石墨烯狄拉克点位置对应的电压，然后采集不同电压下样品的信号，再次采集消光谱T(EF)，逐渐增加Vg的步长，使得本征信号里被掩盖的峰显现出来。
-
公开(公告)号：CN104377114B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201310351839.5
申请日：2013-08-13
申请人： 国家纳米科学中心
CPC分类号： H01L21/0259 , H01L21/02444 , H01L21/02499 , H01L21/02532 , H01L31/028 , H01L31/035218 , Y02E10/547
摘要： 本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度，且保证了锗量子点的自组织生长过程，形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。
-
公开(公告)号：CN104124122B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410373870.3
申请日：2014-07-31
申请人： 国家纳米科学中心
IPC分类号： H01J9/02
摘要： 本发明涉及一种利用类金刚石薄膜(DLC)提高碳纳米管(CNT)场发射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC，从而提高CNT的场发射性能。DLC薄膜具有负的表面亲和势特性，可以改变CNT的表面性质，降低CNT场致发射的开启场强，提高CNT的场发射电流密度；DLC薄膜含有碳原子sp3杂化结构成分，具有较好的机械性能，在一定程度上能够对包裹的CNT起到保护作用，提高CNT场发射性能的稳定性；该方法可以生长整齐排列的直立CNT和DLC复合材料的阵列结构，并且可以通过调控生长参数获得理想的CNT和DLC复合材料，便于实际应用。
-
公开(公告)号：CN106206776A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610605777.X
申请日：2016-07-28
申请人： 国家纳米科学中心
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/02366
摘要： 本发明提供了一种用于红外光谱的衬底，这种衬底的结构包括窗口层和支撑基底，窗口层位于支撑基底之上，选用单原子至1000个原子层厚度的二维材料；支撑基底的横向切面形状为圆形、椭圆形、三角形、正方形、矩形、五角形结构、正六边形、八角形，所述支撑基底的几何尺寸为500μm-5cm，厚度为1μm-5cm；支撑基底其上设置有若干通孔结构，通孔以阵列形式排布，通孔阵列的中心与基底的几何中心基本保持一致，通孔之间的间距为1μm-4cm；所述通孔对应的窗口层部位形成悬空的窗口层；其中所述二维材料选自石墨烯，二硫化钼，氮化硼，MX2，黑磷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
55 条记录 (耗时 0.039 秒)
