Invention Grant
- Patent Title: 一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用
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Application No.: CN201310351839.5Application Date: 2013-08-13
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Publication No.: CN104377114BPublication Date: 2017-04-05
- Inventor: 李振军 , 白冰 , 杨晓霞 , 王小伟 , 许应瑛 , 戴庆 , 裘晓辉
- Applicant: 国家纳米科学中心
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村北一条11号
- Assignee: 国家纳米科学中心
- Current Assignee: 国家纳米科学中心
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村北一条11号
- Agency: 北京品源专利代理有限公司
- Agent 巩克栋
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02 ; H01L29/15
Abstract:
本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度，且保证了锗量子点的自组织生长过程，形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。
Public/Granted literature
- CN104377114A 一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用 Public/Granted day:2015-02-25
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