- 专利标题: 一种用于异质结层间电荷转移的近场光学表征方法
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申请号: CN201911279865.5申请日: 2019-12-13
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公开(公告)号: CN111257599A公开(公告)日: 2020-06-09
- 发明人: 戴庆 , 郭相东 , 杨晓霞 , 刘瑞娜 , 胡德波 , 胡海 , 吴晨晨 , 罗成
- 申请人: 国家纳米科学中心
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村北一条11号
- 专利权人: 国家纳米科学中心
- 当前专利权人: 国家纳米科学中心
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村北一条11号
- 代理机构: 北京律恒立业知识产权代理事务所
- 代理商 庞立岩; 顾珊
- 主分类号: G01Q60/18
- IPC分类号: G01Q60/18 ; H01L31/109 ; H01L31/18
摘要:
本发明提供一种用于异质结层间电荷转移的近场光学表征方法,该方法可以在实空间上直接观测到电荷转移前后的光学图像,需要的观测器件衬底作为栅极,电介质层沉积在衬底上,TMD薄膜层(过渡金属二硫属化物Transition-metal dichalcogenide,简称TMD)覆盖于电介质层上,石墨烯薄膜层覆盖于TMD薄膜层上形成石墨烯/TMD异质结。方法借助的表征仪器是散射式近场光学显微镜。本发明由于异质结堆叠制备好后,层间电荷是稳定的,转移很难观测到,这里设计借助可见光手段激发TMD中产生光电子,从而让光电子在异质结中间进行转移,结合s-SNOM装置对石墨烯/TMD异质结进行实空间表征,最终可实现实空间成像方式观测到在异质结间光生电荷转移的效果,应用于光波导器件、光电探测器和光学记忆存储器件等。
公开/授权文献
- CN111257599B 一种用于异质结层间电荷转移的近场光学表征方法 公开/授权日:2022-04-26