- 专利标题: 一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法
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申请号: CN201410373870.3申请日: 2014-07-31
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公开(公告)号: CN104124122B公开(公告)日: 2017-01-18
- 发明人: 李振军 , 和峰 , 白冰 , 杨晓霞 , 李驰 , 裘晓辉 , 戴庆
- 申请人: 国家纳米科学中心
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村北一条11号
- 专利权人: 国家纳米科学中心
- 当前专利权人: 国家纳米科学中心
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村北一条11号
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 巩克栋; 杨晞
- 主分类号: H01J9/02
- IPC分类号: H01J9/02
摘要:
本发明涉及一种利用类金刚石薄膜(DLC)提高碳纳米管(CNT)场发射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC,从而提高CNT的场发射性能。DLC薄膜具有负的表面亲和势特性,可以改变CNT的表面性质,降低CNT场致发射的开启场强,提高CNT的场发射电流密度;DLC薄膜含有碳原子sp3杂化结构成分,具有较好的机械性能,在一定程度上能够对包裹的CNT起到保护作用,提高CNT场发射性能的稳定性;该方法可以生长整齐排列的直立CNT和DLC复合材料的阵列结构,并且可以通过调控生长参数获得理想的CNT和DLC复合材料,便于实际应用。
公开/授权文献
- CN104124122A 一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法 公开/授权日:2014-10-29