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公开(公告)号：CN108565343B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201810541126.8
申请日：2018-05-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了高性能量子点中间带石墨烯肖特基结太阳电池及制备。所述石墨烯肖特基结太阳电池从下到上依次包括底电极、GaAs衬底、表面重构的GaAs层、GaAs缓冲层、量子点中间带、石墨烯层、顶电极；所述量子点中间带由GaAs盖层和InAs量子点层交替叠加而成，GaAs缓冲层上为InAs量子点层，GaAs盖层和InAs量子点层的层数相同。本发明在石墨烯肖特基结太阳电池中引入量子点中间带，有效拓宽了电池对太阳光谱的吸收范围，显著增大了光生电流，实现了太阳能电池高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108511552A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810541130.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/062 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳电池的技术领域，公开了一种MIS结构太阳电池及其制备方法。所述MIS结构太阳电池，由下至上依次包括背电极、GaAs层、硫醇单分子膜层、二硫化钼层以及顶电极。所述硫醇单分子膜层为单层有序自组装硫醇单分子膜层，硫醇在GaAs层的上表面通过自组装形成单分子膜层；所述硫醇为18硫醇或12硫醇中一种以上。本发明解决了GaAs和二硫化钼之间的界面问题，制备出的MIS结构太阳电池，有效降低了复合速率，提高了太阳电池的光电转换效率。本发明的MIS结构太阳电池制备方法简单有效，并使电池光电转换效率增强效果明显。
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公开(公告)号：CN106783948A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611166965.3
申请日：2016-12-16
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: C30B23/02 , C30B29/02 , C30B29/403 , C30B29/60 , H01L21/02381 , H01L21/02491 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/0676 , H01L29/2003
Abstract: 本发明公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40‑80nm。本发明还公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105023962B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510466401.0
申请日：2015-07-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/02505 , C30B25/10 , C30B25/183 , C30B29/42 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02661 , H01L21/02694 , H01L21/3245 , H01L31/1852 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si(111)衬底清洗；(2)Si(111)衬底预处理；(3)Si(111)衬底脱氧化膜；(4)第一InxGa1-xAs缓冲层的生长；缓冲层的生长；(7)GaAs缓冲层的原位退火；(8)第二InxGa1-xAs缓冲层的生长；(9)第二InxGa1-xAs缓冲层的原位退火；(10)GaAs外延薄膜的生长。本发明还公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜。本发明得到的GaAs薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。(5)第一InxGa1-xAs缓冲层的原位退火；(6)GaAs
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公开(公告)号：CN103943700B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410157665.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本发明还公开上述生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜的制备方法，GaAs缓冲层和InGaAsN外延层薄膜均采用分子束外延生长方法。本发明得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均匀，带宽为1eV，对半导体器件领域，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105355668A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510736815.0
申请日：2015-10-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L31/0725 , H01L31/02168 , H01L31/0735 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池，由下至上依次包括非晶态缓冲层、太阳电池层；所述非晶态缓冲层组分为InxGa1-xAs，0.4≤X≤0.8；所述非晶态缓冲层的厚度为1-5nm。本发明还公开了上述具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池的制备方法。本发明简化了缓冲层结构，同时简化了外延生长工艺，可严格控制外延层的厚度、组分、掺杂浓度，从而获得表面形貌好、缺陷密度低、晶体质量高的In0.3Ga0.7As材料及单结或多结太阳电池。
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公开(公告)号：CN104835718A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510129129.7
申请日：2015-03-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/0304 , H01S5/323 , H01S5/343
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/02381 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L31/03046 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01S5/323 , H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1-xAs缓冲层，0.08
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公开(公告)号：CN103943700A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410157665.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/03048 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/02631 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本发明还公开上述生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜的制备方法，GaAs缓冲层和InGaAsN外延层薄膜均采用分子束外延生长方法。本发明得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均匀，带宽为1eV，对半导体器件领域，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。
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公开(公告)号：CN109402653B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811150347.9
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B11/093 , C25B11/059 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用，其中，贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收；此外，Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处产生的肖特基势垒有利于促进光生电子空穴对的分离，从而提高器件的PEC光电转换效率。本发明制备Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构的方法，具有生长工艺简单、可重复性强的优点。最后，本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合材料，禁带宽度在0.67~3.4 eV范围可调，具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN109132997A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811152021.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在Ti衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用，包括生长在Ti衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用的Ti衬底价格低廉，有利于降低器件成本；其次，本发明采用的Ti衬底导电性能好，可以直接作为器件的电极，无需制备欧姆接触电极，简化了器件工艺。本发明公开的Ti衬底上(In)GaN纳米柱的制备方法，具有生长工艺简单，制备成本低的优点，而且本发明制备的(In)GaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。
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