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公开(公告)号：CN110571289B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201910900885.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于多孔太阳电池领域，公开了一种InP‑石墨烯太阳电池及其制备方法。所述InP‑石墨烯太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、InP外延层、TiO2空穴阻挡层、石墨烯层和Al2O3减反射层；围绕Al2O3减反射层设置一圈Ag接触电极，Ag接触电极与石墨烯层接触。本发明在磷化铟上设置二氧化钛空穴阻挡层，利用二氧化钛能带结构以增大光伏元件的载流子迁移率，从而增大少数载流子的寿命，并在二氧化钛上方附加高透光率、载流子传输速率快、功函数较高的石墨烯，利用能级梯度差进一步增大载流子的势能，从而提高磷化铟电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN109402653B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811150347.9
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: C25B11/093 , C25B11/059 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用，其中，贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收；此外，Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处产生的肖特基势垒有利于促进光生电子空穴对的分离，从而提高器件的PEC光电转换效率。本发明制备Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构的方法，具有生长工艺简单、可重复性强的优点。最后，本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合材料，禁带宽度在0.67~3.4 eV范围可调，具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN111074344A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911258032.0
申请日：2019-12-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及(In)GaN纳米柱、能源与催化领域，具体公开了一种GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用。该GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱包括衬底、衬底上的InGaAsN缓冲层层、生长在InGaAsN层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用GaAs作为(In)GaN纳米柱衬底，显著提高了纳米柱电极的导电性，有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；与此同时，新型的(In)GaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN109132997A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811152021.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在Ti衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用，包括生长在Ti衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用的Ti衬底价格低廉，有利于降低器件成本；其次，本发明采用的Ti衬底导电性能好，可以直接作为器件的电极，无需制备欧姆接触电极，简化了器件工艺。本发明公开的Ti衬底上(In)GaN纳米柱的制备方法，具有生长工艺简单，制备成本低的优点，而且本发明制备的(In)GaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。
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公开(公告)号：CN108231545B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201810026832.9
申请日：2018-01-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于氮化物半导体器件技术领域，公开了生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法。生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片由下至上依次包括铜箔衬底、In‑Cu合金化金属层和InN纳米柱层。方法为(1)预处理；(2)采用分子束外延生长工艺，在铜箔衬底上沉积In，退火，得到In‑Cu合金化金属；(3)采用分子束外延生长工艺，衬底温度控制在400～700℃，在反应室的压力为4.0～10.0×10‑5Torr，V/III束流比值为20～40条件下，生长InN纳米柱。本发明的纳米柱直径均一，晶体质量高，减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，提高了载流子的辐射复合效率，提高氮化物器件发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081793A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911338960.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 华南理工大学 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/07 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种含有CuS疏水层的GaAs太阳电池及其制备方法。其结构由下至上依次为的Au底电极、GaAs衬底、CuS疏水层、石墨烯层和银浆顶电极。本发明还公开了以上含有CuS疏水层的GaAs太阳电池的制备方法。一方CuS具有较好的疏水性，可以防止GaAs与水的接触，减少石墨烯在转移过程中引入的缺陷数量，提高载流子的寿命。另一方面，CuS具有较高的空穴迁移能力，同时对电子的运输起到一定的阻挡作用，这样有利于将光生的空穴和电子分开，减少光生电流的损失，提高电池的开路电压。本发明的GaAs太阳电池，不仅制备工艺简单，器件缺陷密度低，电池制备成本较低，而且光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN107046088B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710066655.2
申请日：2017-02-06
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底；(2)衬底清洗；(3)衬底退火处理；(4)高温生长GaN纳米柱：在900‑1100℃的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为0.5‑1.5小时；(5)低温生长GaN纳米柱：在650‑800℃的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为1.5‑2.5小时。本发明还公开了上述制备方法得到的生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其应用。本发明既改善了高温生长纳米柱的不均匀性，又改善低温生长纳米柱的柱向杂乱情况，同时本发明具有工艺简单，生产周期短等优点。
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公开(公告)号：CN109786557A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811532159.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种InGaAs-graphene肖特基结太阳电池，由下至上依次包括背电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、石墨烯和顶电极；所述空穴传输层为2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴薄膜。本发明还公开了上述InGaAs-graphene肖特基结太阳电池的制备方法。本发明的InGaAs-graphene肖特基结太阳电池不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN109786556A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811531039.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种包含空穴传输层的异质结太阳电池，由下至上依次包括底电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、二硫化钼层和顶电极。所述空穴传输层为2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴薄膜。本发明还公开了上述包含空穴传输层的异质结太阳电池的制备方法。本发明的异质结太阳电池，不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高，是一种制备新型异质结太阳电池的有效方法。
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公开(公告)号：CN108735866A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810803947.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体器件的技术领域，公开了生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法。生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。本发明还公开了生长在Si/石墨烯复合衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一、高有序性，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，改善InN纳米柱外延片的性能，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。
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