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公开(公告)号：CN115440918B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210920388.1
申请日：2022-08-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种三(4‑吗啉基)氧化膦掺杂的准二维钙钛矿薄膜及其制备方法与在发光器件中的应用，该薄膜包括准二维钙钛矿和三(4‑吗啉基)氧化膦；所述准二维钙钛矿的分子式为L2An‑1BnX3n+1，其中L为正一价有机铵离子，A为一价阳离子，B为钙钛矿材料中的二价阳离子，X为一价阴离子，n为大于1的正整数。本发明通过在钙钛矿前驱体中掺入适量的三(4‑吗啉基)氧化膦，消除了准二维钙钛矿薄膜中的针孔缺陷，钝化了未配位的离子缺陷，调节了准二维钙钛矿的相组成，获得了致密无针孔的缺陷密度低的高质量准二维钙钛矿薄膜；所制备的发光器件的发光效率和发光强度均得到了显著提升。同时，本发明的制备方法简单，重复性好，成本低。
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公开(公告)号：CN106783948B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201611166965.3
申请日：2016-12-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40‑80nm。本发明还公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN109786482B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201811525726.1
申请日：2018-12-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/07 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池的制备方法，包括以下步骤：(1)在P型InP晶圆上制备金电极；(2)将镀好金电极的P型InP圆片用金刚刀切割成方片，得到P型InP片；(3)清洗P型InP片；(4)在清洗吹干后的P型InP片上镀ZnO电子传输层；(5)取出已经镀好ZnO电子传输层的P型InP片，将已经准备好的石墨烯进行转移到P型InP片表面上；(6)后处理；(7)在石墨烯边缘用注射器做一圈导电银胶，烘干导电银胶。本发明还公开了一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池。本发明不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN109786482A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811525726.1
申请日：2018-12-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/07 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池的制备方法，包括以下步骤：(1)在P型InP晶圆上制备金电极；(2)将镀好金电极的P型InP圆片用金刚刀切割成方片，得到P型InP片；(3)清洗P型InP片；(4)在清洗吹干后的P型InP片上镀ZnO电子传输层；(5)取出已经镀好ZnO电子传输层的P型InP片，将已经准备好的石墨烯进行转移到P型InP片表面上；(6)后处理；(7)在石墨烯边缘用注射器做一圈导电银胶，烘干导电银胶。本发明还公开了一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池。本发明不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN109768112A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811525727.6
申请日：2018-12-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , B82Y20/00
Abstract: 本发明公开了一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池，由下至上依次包括底部金电极，p型磷化铟衬底，n型层状二硫化钼，Au纳米颗粒，Al顶电极。本发明还公开了一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池的制备方法。本发明制备的p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池，通过在二硫化钼表面覆盖一层Au纳米颗粒，一方面可以提高电池的光吸收，同时利用Au表面等离激元的局域电场提高电子-空穴对的分离效率。因此该p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高，是一种制备新型异质结太阳电池的有效方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109768111A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811525715.3
申请日：2018-12-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/07 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米柱-石墨烯肖特基结太阳能电池，由下至上依次包括背电极、GaAs片、GaAs纳米柱、石墨烯层、正电极。所述GaAs纳米柱高度为500-3000nm,直径为15～100nm。本发明还公开了一种GaAs纳米柱-石墨烯肖特基结太阳能电池的制备方法。本发明通过生长纳米柱，增大肖特基结的面积，提高光的利用效率，实现太阳能电池高的光电转换效率；本发明的方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN108365047A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810097623.3
申请日：2018-01-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/07 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种石墨烯-GaAs肖特基结太阳能电池及其制备方法。太阳能电池由下至上依次包括背电极、GaAs片、空穴传输层、石墨烯层、正电极；还包括钝化膜层。方法：(1)在GaAs片的一面镀上背电极，将GaAs片中镀有背电极的一面称为下表面，另一面称为上表面；在GaAs片的上表面镀上空穴传输层；或在镀空穴传输层之前，将镀有背电极的GaAs片置于钝化剂中钝化处理，形成钝化膜；(2)将石墨烯转移至空穴传输层上，获得石墨烯层；(3)在石墨烯层上制备正电极。本发明加入空穴传输层，减少电子和空穴的复合，增大光生电流，实现太阳能电池高的光电转换效率；本发明的方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN107068823A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710057826.5
申请日：2017-01-23
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/34 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，由下至上依次包括GaAs(115)A衬底、InGaAs量子点层、GaAs盖层、In纳米结构层和石墨烯覆盖层。本发明还公开了上述生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的制备方法。本发明制备的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，极大提高了InGaAs量子点的光致发光强度，且制备方法简单、成本较低，是一种制备强光致发光强度的高密度InGaAs量子点的有效方法。
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公开(公告)号：CN106601887A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611226922.X
申请日：2016-12-27
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了生长在玻璃衬底上的GaN薄膜，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在玻璃衬底上的GaN薄膜的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
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公开(公告)号：CN105140104A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510468527.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02461 , H01L21/02499 , H01L21/02546 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(3)Si衬底脱氧化膜；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1-xP缓冲层，0.57
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