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公开(公告)号：CN114373683B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202111531363.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/465 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法。制备方法包括如下步骤：(1)制备栅极、绝缘层和有源层；(2)在较低温度下进行氧气气氛退火；(3)进行两步掩膜版等离子处理，第一步采用高能氮气等离子处理，第二步采用低能氮气+氧气混合气体等离子处理；(4)通过直流溅射制备铝源漏电极，得到TFT器件。本发明方法具有设备简单、可大面积处理、处理时间短、工艺温度低等优势，采用两步等离子处理方法，可以充分发挥其能量传递和界面反应的优化作用。低温工艺不会对柔性衬底造成损伤，其普遍适用于柔性AOS‑TFT器件的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN119518415A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411444528.8
申请日：2024-10-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明公开了ITO衬底及其制备方法、有机电泵浦激光二极管及其制备方法和应用。本发明的ITO衬底的组成包括依次层叠设置的透光基板、ITO层、金属层和透光绝缘层，ITO层为图案化的ITO层，金属层为图案化的金属层，且大小和图案与ITO层匹配，透光绝缘层为图案化的透光绝缘层，仅覆盖金属层的中间区域，ITO衬底的中间区域还设置有若干贯穿透光绝缘层和金属层直达ITO层表面的通孔。本发明的ITO衬底兼具低光学损耗和高导电性，由其制成的有机电泵浦激光二极管可以实现高电流密度的注入，性能十分优异，适合进行大规模工业化生产和应用。
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公开(公告)号：CN115440918B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210920388.1
申请日：2022-08-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种三(4‑吗啉基)氧化膦掺杂的准二维钙钛矿薄膜及其制备方法与在发光器件中的应用，该薄膜包括准二维钙钛矿和三(4‑吗啉基)氧化膦；所述准二维钙钛矿的分子式为L2An‑1BnX3n+1，其中L为正一价有机铵离子，A为一价阳离子，B为钙钛矿材料中的二价阳离子，X为一价阴离子，n为大于1的正整数。本发明通过在钙钛矿前驱体中掺入适量的三(4‑吗啉基)氧化膦，消除了准二维钙钛矿薄膜中的针孔缺陷，钝化了未配位的离子缺陷，调节了准二维钙钛矿的相组成，获得了致密无针孔的缺陷密度低的高质量准二维钙钛矿薄膜；所制备的发光器件的发光效率和发光强度均得到了显著提升。同时，本发明的制备方法简单，重复性好，成本低。
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公开(公告)号：CN118872065A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202480001821.9
申请日：2024-03-06
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/24
Abstract: 本申请提供了一种半导体氧化物薄膜及其制备方法，所述半导体氧化物薄膜的成分包括多层金属氧化物层；所述多层金属氧化物层的组成通式为AOαBOβROγ，其中α，β，γ分别为AO层，BO层，RO层的循环次数；AO为第一金属的氧化物层，BO为第二金属的氧化物层，RO为第三稀土金属的氧化物层。所述半导体氧化物薄膜通过成分及结构的调控，在In和/或Sn的金属氧化物层中，同时引入两种作用不同的第二金属氧化物层和第三稀土金属氧化物层，提高了半导体氧化物薄膜的光热稳定性。所述制备方法通过控制ALD沉积工艺的相关参数，制得的半导体氧化物薄膜致密度极高，成分微区分布均匀且易于精确控制，表面形貌覆盖性优异。
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公开(公告)号：CN118480771A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410453216.7
申请日：2024-04-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种基于缺陷诱导调控的高性能多组分薄膜制备方法与应用，制备方法包括以下步骤：S1、将衬底放入铝腔内抽真空达到一定的腔体气压，并将铝腔加热；S2、向腔体内先脉冲注入第一金属前驱体，惰性气体吹扫，接着脉冲注入第二金属前驱体，惰性气体吹扫，通入氧化剂将前驱体氧化，惰性气体吹扫；S3、重复N次上述步骤S2，得到一定厚度的均匀掺杂薄膜。本发明提出的方法减少了多组分薄膜沉积时前驱体的原子间隙填补效应，这不仅减少了薄膜内部的原子空位，实现了无生长延迟的生长模式，同时减小了薄膜表面起伏，改善了薄膜的表面特性，有利于所制备的薄膜与其余功能层实现良好的界面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118443183A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410489210.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液法的微结构化MXene/rGO柔性压敏传感器及其制备和应用。传感器结构包括用溶液法制备的MXene/rGO复合材料传感层、具有仿生微结构的PDMS柔性基底层、电极层。所用的原料为天然材料，柔性好、可降解、绿色环保、具有良好的生物相容性。通过溶液法直接调控传感层成分，通过复刻天然材料表面获得微结构，制作过程简单、成本低且性能优异，能兼具高灵敏度和宽传感范围，可用于智能穿戴电子、人机交互、医疗检测等领域。
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公开(公告)号：CN117613099A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311767079.6
申请日：2023-12-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种可拉伸可印刷氧化物晶体管，设置有褶皱衬底、氧化物半导体层、栅极、源极、漏极和离子胶层；所述褶皱衬底的褶皱方向随机分布并能在各方向上拉伸，且在各方向上的最大拉伸量相同；所述栅极、所述源极和所述漏极由同一层导电薄膜同时制备得到。与现有技术的预拉伸式制备方式造成了只有某些方向可拉伸不同，本发明的褶皱衬底通过非预拉伸制备方法制备得到，可以在各方向在进行拉伸，并在不同方向拉伸下依然保持较好的性能，其控制电压可以达到20mv‑30mv，实现非常低的控制电压，因此本发明的可拉伸可印刷氧化物晶体管的应用前景更广。
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公开(公告)号：CN117199215A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311464093.9
申请日：2023-11-06
Applicant: TCL华星光电技术有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本申请提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括基板、驱动电层、布线层和反光层，基板包括第一表面和第二表面，驱动电路层包括设置在基板的第一表面背离第二表面的一侧的驱动电路组；布线层包括设置在基板的第二表面背离第一表面的一侧的第一布线部，第一布线部与驱动电路组电性连接；反光层包括第一反光部，且所述第一反光部设置在驱动电路层和第一布线部之间，本申请提供的显示面板中，设置在驱动电路层和第一布线部之间的第一反光部，能够在布线层的图案化过程中对激光进行全反射，改善因激光照射驱动电路组中的器件而导致的器件受损的问题，提高显示面板的显示质量。
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公开(公告)号：CN117165278A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310983045.4
申请日：2023-08-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K9/02 , G02F1/1503 , G02F1/1514 , G02F1/1516 , G02F1/1523
Abstract: 本发明公开了一种基于有机/无机复合的光电材料及其合成方法与应用，电致变色化合物、电极电活性材料、偏钨酸铵以及低级醇混合后在常见溶剂中进行溶剂热合成，合成后得到电致变色液，该电致变色液具有电致变色化合物浓度高，稳定性强，合成简单，价格低廉的优点，取少量溶液，封装进导电夹层后即得到电致变色器件。该发明有效解决了电致变色化合物在常见溶剂中溶解度低且长时间着色效果差的问题。
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公开(公告)号：CN116445044A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310261443.5
申请日：2023-03-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09D129/04 , H01B13/00 , H01B5/14 , C09D7/61
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种复合结构柔性透明介电层及其低温制备方法与应用。将含有铪、镁、钛、钇、锆的前驱体溶液与含有极性基团的有机大分子前驱体溶液等体积混合，分散均匀，旋涂于衬底上，进行预退火，然后进行热退火，得到所述的复合结构柔性透明介电层。本发明通过结合低漏电流的高熵金属氧化物薄膜和高抗弯折性的有机大分子来制备柔性介电层。两者通过配位螯合以及氧化还原反应形成稳定的网络结构，可以增加薄膜抗弯折的能力，并且降低退火温度，使其符合柔性基板的要求。
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