公开(公告)号：CN118480771A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410453216.7

申请日：2024-04-16

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  苏国平 ,  姚日晖 ,  彭俊彪 ,  张子涵 ,  姜博诚 ,  陈豪彦 ,  徐诗涛 ,  吴振宇 ,  杨跃鑫

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种基于缺陷诱导调控的高性能多组分薄膜制备方法与应用，制备方法包括以下步骤：S1、将衬底放入铝腔内抽真空达到一定的腔体气压，并将铝腔加热；S2、向腔体内先脉冲注入第一金属前驱体，惰性气体吹扫，接着脉冲注入第二金属前驱体，惰性气体吹扫，通入氧化剂将前驱体氧化，惰性气体吹扫；S3、重复N次上述步骤S2，得到一定厚度的均匀掺杂薄膜。本发明提出的方法减少了多组分薄膜沉积时前驱体的原子间隙填补效应，这不仅减少了薄膜内部的原子空位，实现了无生长延迟的生长模式，同时减小了薄膜表面起伏，改善了薄膜的表面特性，有利于所制备的薄膜与其余功能层实现良好的界面接触。