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公开(公告)号：CN110874633B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN201910821984.2
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/063
Abstract: 一种配置为处理多位神经形态操作的神经形态设备，包括单个轴突电路、单个突触电路、单个神经元电路和控制器。单个轴突电路配置为接收n位轴突的第i位作为第一输入。单个突触电路配置为存储m位突触权重的第j位作为第二输入，并输出第一输入和第二输入之间的突触操作值。单个神经元电路配置为基于输出的突触操作值获得n位轴突和m位突触权重之间的多位神经形态操作结果的每个位值。控制器配置为分别确定对于不同时间段的每个时间段要顺序地分配给单个轴突电路和单个突触电路的第i位和第j位。
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公开(公告)号：CN118434272A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410492389.X
申请日：2020-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电容器、包括其的半导体器件和电子设备、以及制造电容器的方法。所述电容器包括：底部电极；在所述底部电极上方的顶部电极；在所述底部电极和所述顶部电极之间的介电膜；以及在所述顶部电极和所述介电膜之间的掺杂Al2O3膜，其中所述掺杂Al2O3膜包括第一掺杂剂，并且包括与所述第一掺杂剂相同的元素的氧化物具有比Al2O3的介电常数高的介电常数。
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公开(公告)号：CN109830548B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201810538676.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L27/146 , G01S17/08
Abstract: 具有小形状尺寸并相对于可见光和红外线两者具有高探测效率的一种光电探测器可以包括第一电极、在第一电极上的收集层、在收集层上的隧道势垒层、在隧道势垒层上的石墨烯层、在石墨烯层上的发射层以及在发射层上的第二电极。该光电探测器可以被包括在图像传感器中。一种图像传感器可以包括基板、在基板上的绝缘层和在绝缘层上的多个光电探测器。光电探测器可以在平行于或垂直于绝缘层的顶表面延伸的方向上彼此对准。光电探测器可以被包括在LiDAR系统中。
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公开(公告)号：CN113675176A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110047413.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管。该电子装置包括：第一电极；提供在第一电极上的第二电极；提供在第一电极和第二电极之间的铁电膜；以及提供在铁电膜和第二电极之间的电介质膜，铁电膜的阻抗和电介质膜的阻抗被确定为使得被施加在第一电极和第二电极之间的控制电压等于电容提升操作电压，并且电容提升操作电压由以下的方程式确定：其中VMAX是电容提升操作电压，Z1是铁电膜的阻抗，Z2是电介质膜的阻抗，tF是铁电膜的厚度，EFM是被施加到铁电膜的具有最大极化变化的电场。
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公开(公告)号：CN113314670A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202011020909.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 公开电容器、包括其的半导体器件和电子设备、以及制造电容器的方法。所述电容器包括：底部电极；在所述底部电极上方的顶部电极；在所述底部电极和所述顶部电极之间的介电膜；以及在所述顶部电极和所述介电膜之间的掺杂Al2O3膜，其中所述掺杂Al2O3膜包括第一掺杂剂，并且包括与所述第一掺杂剂相同的元素的氧化物具有比Al2O3的介电常数高的介电常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106169511B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201610157055.2
申请日：2016-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/06 , H01L31/101
Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。
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公开(公告)号：CN104103671B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410175362.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/786 , H01L29/78642 , H01L29/78684 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L33/34 , H01L51/0046 , H01L51/0504 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/428 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。
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公开(公告)号：CN106057880A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510737327.1
申请日：2015-11-03
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H01L29/772 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/467 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/0665 , H01L29/1606 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78687 , H01L29/78696 , H01L29/772 , H01L29/1029 , H01L29/1033 , H01L29/66409 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 电子器件包括具有带隙的二维(2D)材料层。该2D材料层包括两个多层2D材料区域和在其间的沟道区。第一电极电接触其中一个多层2D材料层，第二电极电接触另一个多层2D材料层。
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公开(公告)号：CN1572743A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410028449.5
申请日：2004-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C03B37/025 , C03B37/03 , C03C25/20
CPC classification number: C03B37/032 , C03B37/02745 , C03B2203/19 , C03B2203/36
Abstract: 本发明公开了一种通过旋压制造光纤的方法和装置，在光纤制造方法中，熔化光纤预制品的端部并从熔化的光纤预制品端部中拉制光纤。接着对光纤涂敷涂层并沿某一方向旋压光纤。通过沿不同方向旋压光纤来消除涂层变形。
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公开(公告)号：CN1445518A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03121613.7
申请日：2003-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01L1/242 , G01M11/088
Abstract: 本发明涉及一种测量光导纤维中残余应力的装置，该装置包括：一个固定单元，用于固定待测量的带有残余应力的光导纤维；和一个测量单元，包括一个光发生器，用于生成测量光导纤维残余应力的光，和一个探测器，用于探测光发生器生成的光的相位变化；其中，测量单元根据穿过光导纤维的光的相位变化，测量光导纤维中的残余应力，与此同时，测量单元沿光导纤维的周边转动。
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