公开(公告)号：CN113764417A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110262666.4

申请日：2021-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  金海龙 ,  金润洙 ,  文瑄敏 ,  宋政奎 ,  郑圭镐

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：导电柱，在半导体衬底上；第一支撑图案，所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接，所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的侧表面的第二部分的第一支撑孔；封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案，所述导电柱的侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。

公开(公告)号：CN115692482A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210423984.9

申请日：2022-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴报恩 ,  金容诚 ,  宋政奎 ,  李周浩

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H10B12/00 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明公开一种反铁电薄膜结构、电子器件、存储单元和电子装置，其中该反铁电薄膜结构包括：电介质层，包括铪氧化物的反铁电相；以及在电介质层中的插入层，该插入层包括氧化物。已经应用反铁电薄膜结构的电子器件可以确保具有很小滞后的工作电压区间。

公开(公告)号：CN114447222A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110775788.3

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  朴报恩 ,  李银河 ,  李周浩 ,  李香淑 ,  赵龙僖 ,  曹恩爱

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括：下部电极；设置成与所述下部电极间隔开的上部电极；以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层包括：第一金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu；第二金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Y、Sc或Ce；和第三金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Al、Mg或Be。

公开(公告)号：CN118434272A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410492389.X

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  金润洙 ,  李载昊

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 公开电容器、包括其的半导体器件和电子设备、以及制造电容器的方法。所述电容器包括：底部电极；在所述底部电极上方的顶部电极；在所述底部电极和所述顶部电极之间的介电膜；以及在所述顶部电极和所述介电膜之间的掺杂Al2O3膜，其中所述掺杂Al2O3膜包括第一掺杂剂，并且包括与所述第一掺杂剂相同的元素的氧化物具有比Al2O3的介电常数高的介电常数。

公开(公告)号：CN113314670A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202011020909.5

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  金润洙 ,  李载昊

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开电容器、包括其的半导体器件和电子设备、以及制造电容器的方法。所述电容器包括：底部电极；在所述底部电极上方的顶部电极；在所述底部电极和所述顶部电极之间的介电膜；以及在所述顶部电极和所述介电膜之间的掺杂Al2O3膜，其中所述掺杂Al2O3膜包括第一掺杂剂，并且包括与所述第一掺杂剂相同的元素的氧化物具有比Al2O3的介电常数高的介电常数。

公开(公告)号：CN112071981A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010263653.4

申请日：2020-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  宋政奎 ,  金润洙 ,  李周浩

IPC: H01L49/02

Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件及其制造方法，其中该集成电路器件包括：包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层的下电极；在下电极上的电介质层；以及覆盖电介质层的上电极。

公开(公告)号：CN112086456B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202010141333.1

申请日：2020-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  宋政奎 ,  金润洙 ,  李周浩

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 公开了半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括电容器，电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。介电层可以包括氧化锆铝层，氧化锆铝层包括：第一锆区域，与第一电极相邻；第一铝区域；第二铝区域，与第二电极相邻；以及第二锆区域，位于第一铝区域与第二铝区域之间。第一锆区域和第二锆区域可以包括锆和氧，并且可以不包含铝。第一铝区域和第二铝区域可以包括铝和氧，并且可以不包含锆。第一铝区域和第一锆区域可以分隔开第一距离，第一铝区域和第二锆区域可以分隔开比第一距离短的第二距离。

公开(公告)号：CN116469875A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310080671.2

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  曹恩爱 ,  金容诚 ,  朴报恩 ,  N·韩

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明涉及电容器、包括电容器的半导体器件和制造电容器的方法。电容器包括下部电极、上部电极、在所述下部电极和所述上部电极之间的电介质膜、以及在所述上部电极和所述电介质膜之间的漏电流减小膜。所述漏电流减小膜包括经掺杂的AlZrO膜，其中所述经掺杂的AlZrO膜中含有的掺杂剂的离子半径大于或等于约130皮米(pm)。

公开(公告)号：CN114203904A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110490254.6

申请日：2021-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  金润洙 ,  李周浩 ,  N.韩

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种电子器件，其包括：下电极；上电极，与下电极隔开而不与下电极直接接触；以及在下电极和上电极之间的电介质层，该电介质层包括第一金属氧化物区域、第二金属氧化物区域以及第三金属氧化物区域。第三金属氧化物区域在第一金属氧化物区域和第二金属氧化物区域之间，并包括硼和从铝(Al)、镁(Mg)、硅(Si)或铍(Be)选择的一种或更多种金属元素。在第三金属氧化物区域中，硼(B)的含量小于或等于Al、Mg、Si和/或Be的金属元素的含量。

公开(公告)号：CN112768436B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010434773.6

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  郑圭镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 本申请公开了一种电容器、存储装置、电子装置和金属氮化物膜的制造方法，其中该电容器包括：下电极，包括由MM'N表示的金属氮化物；在下电极上的电介质层；界面层，在下电极与电介质层之间并且包括由MM'ON表示的金属硝酸盐；以及在电介质层上的上电极，其中M是金属元素，M'是不同于M的元素，N是氮，O是氧。