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发明公开
电容器、包括电容器的半导体器件和制造电容器的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116469875A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310080671.2

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 , 曹恩爱 , 金容诚 , 朴报恩 , N·韩

IPC: H01L23/64 , H10B12/00

Abstract: 本发明涉及电容器、包括电容器的半导体器件和制造电容器的方法。电容器包括下部电极、上部电极、在所述下部电极和所述上部电极之间的电介质膜、以及在所述上部电极和所述电介质膜之间的漏电流减小膜。所述漏电流减小膜包括经掺杂的AlZrO膜，其中所述经掺杂的AlZrO膜中含有的掺杂剂的离子半径大于或等于约130皮米(pm)。

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