公开(公告)号：CN115692482A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210423984.9

申请日：2022-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴报恩 ,  金容诚 ,  宋政奎 ,  李周浩

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H10B12/00 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明公开一种反铁电薄膜结构、电子器件、存储单元和电子装置，其中该反铁电薄膜结构包括：电介质层，包括铪氧化物的反铁电相；以及在电介质层中的插入层，该插入层包括氧化物。已经应用反铁电薄膜结构的电子器件可以确保具有很小滞后的工作电压区间。

公开(公告)号：CN114447222A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110775788.3

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  朴报恩 ,  李银河 ,  李周浩 ,  李香淑 ,  赵龙僖 ,  曹恩爱

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括：下部电极；设置成与所述下部电极间隔开的上部电极；以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层包括：第一金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu；第二金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Y、Sc或Ce；和第三金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Al、Mg或Be。

公开(公告)号：CN116583170A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310107180.2

申请日：2023-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩善 ,  朴报恩 ,  安哲现 ,  金亨俊 ,  朴影根 ,  庞桢一

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成第一电极，基底包括单晶结构。在第一电极上形成包括第一介电层和第二介电层的介电层。在介电层上形成第二电极。形成介电层的步骤包括：在第一电极上形成具有单晶钙钛矿结构的第一介电层；以及在第一介电层上形成第二介电层。第一介电层的与第二介电层相邻的上表面具有比第二介电层的上表面大的表面粗糙度。第一介电层的上表面与第二介电层相邻设置，并且第二介电层的上表面与第二电极相邻设置。

公开(公告)号：CN113675176B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202110047413.5

申请日：2021-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  朴报恩 ,  金容诚 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管。该电子装置包括：第一电极；提供在第一电极上的第二电极；提供在第一电极和第二电极之间的铁电膜；以及提供在铁电膜和第二电极之间的电介质膜，铁电膜的阻抗和电介质膜的阻抗被确定为使得被施加在第一电极和第二电极之间的控制电压等于电容提升操作电压，并且电容提升操作电压由以下的方程式确定：#imgabs0#其中VMAX是电容提升操作电压，Z1是铁电膜的阻抗，Z2是电介质膜的阻抗，tF是铁电膜的厚度，EFM是被施加到铁电膜的具有最大极化变化的电场。

公开(公告)号：CN116469875A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310080671.2

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  曹恩爱 ,  金容诚 ,  朴报恩 ,  N·韩

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明涉及电容器、包括电容器的半导体器件和制造电容器的方法。电容器包括下部电极、上部电极、在所述下部电极和所述上部电极之间的电介质膜、以及在所述上部电极和所述电介质膜之间的漏电流减小膜。所述漏电流减小膜包括经掺杂的AlZrO膜，其中所述经掺杂的AlZrO膜中含有的掺杂剂的离子半径大于或等于约130皮米(pm)。

公开(公告)号：CN117219622A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310682672.4

申请日：2023-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨俊 ,  朴报恩 ,  庞桢一 ,  金载兴 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明涉及电容器和包括其的器件以及其制备方法。电容器可包括第一薄膜电极层；第二薄膜电极层；以及在所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层之间的电介质层。所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层可包括导电性钙钛矿型晶体结构。所述电介质层可包括具有介电性钙钛矿型晶体结构的金属氧化物。所述电介质层可为外延层。所述金属氧化物可包括在立方八面体位点中的第一元素、在八面体位点中的第二元素、和在八面体位点中的第三元素。所述第三元素的化合价可低于所述第二元素的化合价，并且所述第三元素可为掺杂剂。

公开(公告)号：CN113675176A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110047413.5

申请日：2021-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  朴报恩 ,  金容诚 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H01L49/02 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管。该电子装置包括：第一电极；提供在第一电极上的第二电极；提供在第一电极和第二电极之间的铁电膜；以及提供在铁电膜和第二电极之间的电介质膜，铁电膜的阻抗和电介质膜的阻抗被确定为使得被施加在第一电极和第二电极之间的控制电压等于电容提升操作电压，并且电容提升操作电压由以下的方程式确定：其中VMAX是电容提升操作电压，Z1是铁电膜的阻抗，Z2是电介质膜的阻抗，tF是铁电膜的厚度，EFM是被施加到铁电膜的具有最大极化变化的电场。