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公开(公告)号：CN114447222A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110775788.3
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括：下部电极；设置成与所述下部电极间隔开的上部电极；以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层包括：第一金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu；第二金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Y、Sc或Ce；和第三金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Al、Mg或Be。
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公开(公告)号：CN107230814A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710123087.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M12/08
CPC classification number: H01M12/08 , H01M4/8605 , H01M4/8807 , H01M4/8875 , H01M4/8882 , H01M4/96 , H01M12/06 , H01M2004/8689 , Y02E60/128
Abstract: 本发明涉及金属‑空气电池及其制造方法。金属‑空气电池包括：包括金属的负极部分；包括多孔层的正极部分，其中所述多孔层包括非堆叠还原氧化石墨烯；以及设置在所述负极部分和所述正极部分之间的电解质。
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公开(公告)号：CN115939195A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210916857.2
申请日：2022-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种电子器件，该电子器件包括：衬底，包括源极、漏极以及在源极和漏极之间的沟道；栅电极，布置在衬底上方并面向沟道，栅电极在第一方向上与沟道隔开；以及在沟道和栅电极之间的铁电薄膜结构，该铁电薄膜结构包括在第一方向上从沟道起顺序布置的第一铁电层、包括电介质材料的结晶阻挡层、和第二铁电层。第一铁电层的晶粒的尺寸的平均值可以小于或等于第二铁电层的晶粒的尺寸的平均值，并且由于小的晶粒，可以改善性能的离散。
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公开(公告)号：CN112563323A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010673033.8
申请日：2020-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了铁电薄膜结构、形成其的方法和系统及包括其的电子器件。该铁电薄膜结构包括至少一个第一原子层和至少一个第二原子层。第一原子层包括基于氧化物的第一电介质材料，第二原子层包括第一电介质材料和具有比第一电介质材料的带隙大的带隙的掺杂剂两者。
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公开(公告)号：CN112701157A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011095367.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L51/05 , H01L21/336
Abstract: 提供了电子器件和制造其的方法和系统。该电子器件包括电介质层，该电介质层包括具有被对准的晶向的晶粒，该电介质层可以在基板和栅电极之间。电介质层可以在隔开的第一电极和第二电极之间。制造电子器件的方法可以包括：准备具有沟道层的基板；在沟道层上形成电介质层；以及在电介质层上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN112531029A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010200986.2
申请日：2020-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子器件和制造该电子器件的方法。该电子器件包括在衬底和栅电极之间的铁电晶化层以及在衬底和铁电晶化层之间的防晶化层。铁电晶化层至少部分地晶化并包括具有铁电性或反铁电性的电介质材料。此外，防晶化层防止铁电晶化层中的晶化朝向衬底扩散。
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公开(公告)号：CN105845842B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201610020737.9
申请日：2016-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。
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公开(公告)号：CN105845842A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610020737.9
申请日：2016-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。
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