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公开(公告)号：CN117638205A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311108261.0
申请日：2023-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及负极‑固体电解质子组件、包括其的全固体二次电池、以及制备全固体二次电池的方法。用于全固体二次电池的负极‑固体电解质子组件包括：负极集流体，设置在所述负极集流体上的第一负极活性材料层，设置在所述第一负极活性材料层上且与所述负极集流体相对的中间层，及设置在所述中间层上且与所述第一负极活性材料层相对的固体电解质，其中所述第一负极活性材料层可包括式1的化合物和式2的化合物的混合物、式1的化合物和式2的化合物的复合物、或其组合，所述中间层包括第三金属材料、锂氧化物或其组合，所述第三金属材料包括第三金属氧化物、包含第三金属和锂的氧化物或其组合，和所述第三金属是第2至15族的元素：式1LixM1y，式2M2aNb。
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公开(公告)号：CN117954575A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311413102.1
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/133 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M10/056
Abstract: 本公开提供了阳极、固态二次电池以及制备该固态二次电池的方法。一种用于固态二次电池的阳极可以包括：三维多孔集流体，包括具有亲锂特性的多个孔，并基于三维多孔集流体的总体积具有约百分之10至约百分之99的孔隙率，其中所述多个孔中的孔具有尺寸和节距，并且尺寸与节距的比率为约0.1至约0.9；以及第一阳极活性材料层，设置在三维多孔集流体的第一侧上，其中第一阳极活性材料层还设置在三维多孔集流体的孔的至少一部分中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117317346A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310778512.X
申请日：2023-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M4/58
Abstract: 本发明涉及全固态二次电池和制备其的方法。全固态电池包括：包括正极活性材料的正极；包括负极集流体、第一负极活性材料层、和第二负极活性材料层的负极；以及布置在所述正极和所述负极之间的固体电解质，其中所述第一负极活性材料层与所述固体电合，其中第一金属解质相邻地布置并且包括M1和第二金属M2各自独立地为与锂反应以形M1‑M2Ox、Li‑M1‑M2Ox、或其组成锂合金或化合物的至少一种元素，x>0，所述第二负极活性材料层布置在所述负极集流体和所述第一负极活性材料层之间并且包括第二负极活性材料，且所述第二负极活性材料包括含有碳的负极活性材料，或者含有碳的负极活性材料、以及金属或准金属负极活性材料的至少一种。
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公开(公告)号：CN107026237B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN105845842B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201610020737.9
申请日：2016-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107026237A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/301 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN105845842A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610020737.9
申请日：2016-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。
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