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公开(公告)号：CN106328708A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610102164.4
申请日：2016-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01N27/4141 , C30B25/04 , C30B29/46 , C30B29/60 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/3065 , H01L29/0665 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/7851 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法。其中一种晶体管包括：基板；包括基本上垂直地排列在基板上的至少一层的二维材料结构，使得所述至少一层的边缘在基板上并且所述至少一层基本上垂直于基板延伸；源电极和漏电极，连接到二维材料结构的相反端；栅绝缘层，在源电极和漏电极之间的二维材料结构上；和在栅绝缘层上的栅电极。所述至少一层的每个包括具有二维晶体结构的半导体。
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公开(公告)号：CN107026237B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN107026237A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/301 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN106328708B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201610102164.4
申请日：2016-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法。其中一种晶体管包括：基板；包括基本上垂直地排列在基板上的至少一层的二维材料结构，使得所述至少一层的边缘在基板上并且所述至少一层基本上垂直于基板延伸；源电极和漏电极，连接到二维材料结构的相反端；栅绝缘层，在源电极和漏电极之间的二维材料结构上；和在栅绝缘层上的栅电极。所述至少一层的每个包括具有二维晶体结构的半导体。
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