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公开(公告)号：CN107230814A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710123087.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M12/08
CPC classification number: H01M12/08 , H01M4/8605 , H01M4/8807 , H01M4/8875 , H01M4/8882 , H01M4/96 , H01M12/06 , H01M2004/8689 , Y02E60/128
Abstract: 本发明涉及金属‑空气电池及其制造方法。金属‑空气电池包括：包括金属的负极部分；包括多孔层的正极部分，其中所述多孔层包括非堆叠还原氧化石墨烯；以及设置在所述负极部分和所述正极部分之间的电解质。
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公开(公告)号：CN119639276A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411290452.8
申请日：2024-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D11/30 , H10H29/851 , B82Y30/00 , H10K59/38 , H10K59/12 , H10K50/115 , H10H29/14 , C09D11/38
Abstract: 提供了一种墨组合物、由其制备的半导体纳米颗粒‑聚合物复合物、一种电子装置和一种显示装置。所述墨组合物包括半导体纳米颗粒、第一有机配体和可聚合单体。半导体纳米颗粒包括包含银、铟、镓和硫的11‑13‑16族化合物。第一有机配体包括芳香族基团和氟，并且在墨组合物中，基于墨组合物的总重量，半导体纳米颗粒的量为约2重量百分比至约70重量百分比。
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公开(公告)号：CN116137318A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211446397.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/134 , H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及负极‑固体电解质子组件、全固体二次电池和制备全固体二次电池的方法。用于全固体二次电池的负极‑固体电解质子组件，所述子组件包括：负极集流体；在所述集流体上的第一负极活性材料层；在所述第一负极活性材料层上的中间层；和在所述中间层上且在所述第一负极活性材料层对面的固体电解质，其中所述中间层包括复合物，所述复合物包括第一金属材料和锂离子导体，其中所述第一金属材料包括第一金属、包括所述第一金属和锂的合金、包括所述第一金属和锂的化合物、或其组合，其中所述第一负极活性材料层包括碳质负极活性材料和任选地第一负极活性材料，所述第一负极活性材料包括第二金属、准金属、或其组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116137782A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211434058.8
申请日：2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种非易失性存储装置及神经形态设备。该垂直非易失性存储装置可以包括：在第一方向上延伸的沟道层；多个栅电极和多个间隔物，其中每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个栅电极和多个间隔物在第一方向上彼此交替排列；以及在沟道层和多个栅电极之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层。多个栅电极中的每个可以包括金属掺杂的石墨烯。
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公开(公告)号：CN107026237B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN105845842B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201610020737.9
申请日：2016-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107026237A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/301 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN105845842A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610020737.9
申请日：2016-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。
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