公开(公告)号：CN105845842B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201610020737.9

申请日：2016-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹桐振 ,  朴成熏 ,  金成宪 ,  李香淑 ,  白云仲 ,  权映男 ,  金瑢洙 ,  郑在官

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。

公开(公告)号：CN105845842A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610020737.9

申请日：2016-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹桐振 ,  朴成熏 ,  金成宪 ,  李香淑 ,  白云仲 ,  权映男 ,  金瑢洙 ,  郑在官

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供导体、电子器件、和制造导体的方法。所述导体包括多个金属纳米结构体和有机材料，其中包围所述金属纳米结构体的每一个的所述有机材料的至少一部分被选择性地除去，并且所述导体具有小于或等于约1.1的雾度、在约550nm下大于或等于约85％的光透射率、和小于或等于约100Ω/□的薄层电阻。所述电子器件包括所述导体，和所述制造导体的方法包括制备包括金属纳米结构体和有机材料的导电膜，和使用簇离子束溅射从所述导电膜选择性地除去所述有机材料的至少一部分。