公开(公告)号：CN112384877B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201980046461.3

申请日：2019-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李尚俸 ,  金南亨 ,  金泰坤 ,  任基烈 ,  李在勳

IPC: G06F1/16 ,  B32B17/06 ,  C09D11/107

Abstract: 根据某些实施例的电子装置包括壳体、第一玻璃板、装饰层和保护层，其中，第一玻璃板联接到壳体并限定内部空间，第一玻璃板包括周边部分，周边部分包括形成玻璃板的边缘的第一、第二、第三、第四和第五表面，第一和第五表面基本上平行，并且第三表面基本上垂直于第一和第五表面；装饰层由第一材料形成，设置在第五表面的第一区域上，使得设置在第四表面和第一区域之间的第二区域未被装饰层覆盖；保护层由第二材料形成并且覆盖第二表面、第三表面、第四表面、第五表面的第二区域和装饰层的一部分。

公开(公告)号：CN118048068A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311543617.3

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文得圭 ,  朴相铉 ,  元钟勳 ,  金泰坤

IPC: C09D11/101 ,  G09F9/33 ,  C09D11/03

Abstract: 本公开提供了一种墨组合物、其制备方法、复合物、装置和显示装置，该墨组合物包括：半导体纳米颗粒和可聚合单体，其中，半导体纳米颗粒包括锌以及包含银、13族金属和16族元素的11‑13‑16族化合物，16族元素包括硫；以及第一有机配体，包括由R1‑COOA表示的化合物或部分，其中，R1是第一有机基团，并且A是氢或连接到半导体纳米颗粒的表面的部分。

公开(公告)号：CN114624803A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111497450.2

申请日：2021-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰坤 ,  朴相铉 ,  田信爱

IPC: G02B5/20 ,  G02F1/1335

Abstract: 提供了一种包括被构造为发射第一光的第一像素(或颜色转换区域)的滤色器和包括该滤色器的显示装置。第一像素包括(第一)量子点复合物(或包括量子点复合物的颜色转换层)，其中，量子点复合物可以包括基质和(例如，任意地)分散在基质中的多个量子点，其中，多个量子点在尺寸分析中表现出包括第一峰值颗粒尺寸和第二峰值颗粒尺寸的多模式分布(例如，双模式分布)，其中，第二峰值颗粒尺寸大于第一峰值颗粒尺寸，并且第一峰值颗粒尺寸与第二峰值颗粒尺寸之间的差小于或等于大约5纳米(nm)(例如，小于或等于大约4.5nm)。

公开(公告)号：CN113736446A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110586871.6

申请日：2021-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相铉 ,  金泰坤 ,  田信爱

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  G02B1/02

Abstract: 提供了一种量子点复合物、包括该量子点复合物的滤色器和显示装置以及量子点组合物，所述量子点复合物包括：基质；以及多个量子点，分散在基质中，其中，多个量子点包括包含铟和磷的半导体纳米晶体核以及设置在半导体纳米晶体核上的半导体纳米晶体壳，并且半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫。多个量子点的算术尺寸大于或等于约8nm，其中，量子点复合物被构造为发射红光，并且其中，当量子点复合物用约450nm至约470nm的波长的光照射小于或等于约500小时的时间段时，量子点复合物的亮度增加小于或等于量子点复合物的初始亮度的约1.2％。

公开(公告)号：CN106341962B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610525767.5

申请日：2016-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李河林 ,  金明坤 ,  金正贤 ,  韩焞好 ,  金泰坤 ,  辛炫锡 ,  金序炫 ,  徐瑾灿 ,  李昇勋 ,  崔锺哲

IPC: H05K5/00 ,  H05K5/03

Abstract: 提供了一种包括玻璃盖的电子装置。所述电子装置包括具有面对第一方向的第一表面以及面对相反的第二方向的第二表面的壳体。玻璃盖可形成第一表面的至少一部分。显示器可通过玻璃盖暴露。至少一个突起被构造为吸收对电子装置的外部冲击。所述突起从第一表面突出并形成为玻璃盖的部分，或者通过玻璃盖中的孔突出。

公开(公告)号：CN109411532A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810403205.2

申请日：2018-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  金泰坤 ,  雄一朗·佐佐木

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：衬底，包括定义有源区的场区；源区/漏区，位于有源区中；沟道区，位于源区/漏区之间；轻掺杂漏(LDD)区，位于源区/漏区中的一个与沟道区之间；以及栅极结构，位于沟道区上。有源区的上部部分可包括外延生长层，所述外延生长层的晶格常数大于硅(Si)的晶格常数，且源区/漏区以及LDD区可掺杂有镓(Ga)。

公开(公告)号：CN108695256A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810288543.6

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  金泰贤 ,  申洪湜 ,  金泰坤 ,  朴栽永 ,  佐佐木雄一朗

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本申请提供了一种制造半导体装置的方法以及半导体装置。该制造半导体装置的方法包括：将衬底的上部图案化，以形成第一有源图案，所述衬底包括具有第一晶格常数的半导体元素；在第一有源图案的上部上执行选择性外延生长工艺，以形成第一源极/漏极区；为第一源极/漏极区掺杂镓；在掺有镓的第一源极/漏极区上执行退火工艺；以及形成连接至第一源极/漏极区的第一接触图案。第一源极/漏极区包括具有大于第一晶格常数的第二晶格常数的半导体元素。

公开(公告)号：CN107966878A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710977354.5

申请日：2017-10-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星显示有限公司 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 金泰坤 ,  权河一 ,  田信爱

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/033 ,  G03F7/004 ,  G02F1/13357 ,  C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  G02F1/1335

CPC classification number: C09K11/025 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C08K3/00 ,  C09D5/22 ,  C09K11/883 ,  G02B5/201 ,  G02F1/133514 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/0044 ,  G03F7/031 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/322 ,  G03F7/40 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/055 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/783 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/897 ,  Y10S977/95 ,  G03F7/033 ,  G02F1/1336 ,  G02F2001/133614 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 公开量子点-聚合物复合物膜、其制造方法和包括其的装置。所述量子点-聚合物复合物膜包括：多个量子点，其中所述量子点在其表面上包括有机配体；包含碳-碳不饱和键的能光聚合的单体的固化产物；和选自高沸点溶剂的残留物、多价金属化合物的残留物、及其组合的残留物。

公开(公告)号：CN107722184A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710684626.2

申请日：2017-08-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星显示有限公司 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 权河一 ,  金泰坤 ,  安珠娫 ,  元那渊 ,  田信爱 ,  张银珠

IPC: C08F265/02 ,  C08F222/14 ,  C08F2/48 ,  C08K3/32 ,  C08K3/30 ,  C08K5/37 ,  C08K3/16 ,  C09K11/70 ,  C09K11/02

CPC classification number: C09K11/08 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/60 ,  C01P2004/62 ,  C09K11/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/34 ,  H01L33/502 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2933/0033 ,  C08F265/02 ,  C08F2/48 ,  C08K3/16 ,  C08K3/30 ,  C08K3/32 ,  C08K5/37 ,  C08K2003/168 ,  C08K2003/3036 ,  C09K11/02 ,  C09K11/703 ,  C08F222/14

Abstract: 公开量子点聚集体颗粒、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子装置。所述量子点聚集体颗粒包括多个量子点、多价金属化合物、和在其末端处具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物，其中所述量子点聚集体颗粒的尺寸在约20纳米-10微米的范围内。

公开(公告)号：CN104512860A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410495213.6

申请日：2014-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉基 ,  田信爱 ,  金龙郁 ,  金泰坤 ,  元裕镐 ,  张银珠 ,  章效淑 ,  金泽勋

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/61 ,  C09K11/612 ,  C09K11/70 ,  C09K11/705 ,  C09K11/88 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/95

Abstract: 纳米晶体颗粒及其合成方法，所述纳米晶体颗粒可包括至少一种半导体材料和卤族元素。